揚(yáng)州二極管命名

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-03

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽(yáng)極加上正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通。 當(dāng)給陽(yáng)極和陰極加上反向電壓時(shí),二極管截止。 因此,二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的接通與斷開(kāi)二極管(Diode),是一種具有不對(duì)稱電導(dǎo)的雙電極電子元件。理想的二極管在正向?qū)〞r(shí)兩個(gè)電極(陽(yáng)極和陰極)間擁有零電阻,而反向時(shí)則有無(wú)窮大電阻,即電流只允許由單一方向流過(guò)二極管。因此二極管具有單向?qū)щ姷奶攸c(diǎn),可起到整流的作用。二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí),會(huì)將管子擊穿,失去單向?qū)щ娔芰?。揚(yáng)州二極管命名

二極管VD1溫度補(bǔ)償電路分析:利用二極管的管壓降溫度特性可以正確解釋VD1在電路中的作用。假設(shè)溫度升高,根據(jù)三極管特性可知,VT1的基極電流會(huì)增大一些。當(dāng)溫度升高時(shí),二極管VD1的管壓降會(huì)下降一些,VD1管壓降的下降導(dǎo)致VT1基極電壓下降一些,結(jié)果使VT1基極電流下降。由上述分析可知,加入二極管VD1后,原來(lái)溫度升高使VT1基極電流增大的,現(xiàn)在通過(guò)VD1電路可以使VT1基極電流減小一些,這樣起到穩(wěn)定三極管VT1基極電流的作用,所以VD1可以起溫度補(bǔ)償?shù)淖饔?。中山超快恢?fù)二極管用途二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的接通與斷開(kāi)。

二極管電路分析思路說(shuō)明對(duì)電路中VD1和VD2作用分析的思路主要說(shuō)明下列幾點(diǎn):(1)從電路中可以看出,VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6兩組二極管的電路結(jié)構(gòu)一樣,這兩組二極管在這一電路中所起的作用是相同的,所以只要分析其中一組二極管電路工作原理即可。(2)集成電路A1的①腳通過(guò)電阻R1與三極管VT1基極相連,顯然R1是信號(hào)傳輸電阻,將①腳上輸出信號(hào)通過(guò)R1加到VT1基極,由于在集成電路A1的①腳與三極管VT1基極之間沒(méi)有隔直電容,根據(jù)這一電路結(jié)構(gòu)可以判斷:集成電路A1的①腳是輸出信號(hào)引腳,而且輸出直流和交流的復(fù)合信號(hào)。確定集成電路A1的①腳是信號(hào)輸出引腳的目的是為了判斷二極管VD1在電路中的具體作用。

固態(tài)二極管1874年,德國(guó)物理學(xué)家卡爾·布勞恩發(fā)現(xiàn)了晶體的“單向傳導(dǎo)”的能力,并在1899年將晶體整流器申請(qǐng)了。氧化亞銅和硒整流器則是在1930年代為了供電應(yīng)用而發(fā)明的。印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了個(gè)使用晶體檢測(cè)無(wú)線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究。1903年,格林里夫·惠特勒·皮卡德(Greenleaf Whittier Pickard)發(fā)明了硅晶檢波器,并在1906年11月20日注冊(cè)了。也正是因?yàn)楦窳掷锓?,使得晶體檢波器發(fā)展成了可實(shí)用于無(wú)線電報(bào)的裝置。其他實(shí)驗(yàn)者嘗試了多種其他物質(zhì),其中普遍使用的是礦物方鉛礦(硫化鉛),因它價(jià)格便宜且容易獲取。在這些早期的晶體收音機(jī)集的晶體檢波器包括一個(gè)可調(diào)節(jié)導(dǎo)線的點(diǎn)接觸設(shè)備(即所謂的“貓須”)。可以通過(guò)手動(dòng)調(diào)節(jié)晶體表面上的導(dǎo)線,以獲得的信號(hào)。二極管初被發(fā)明時(shí)通常被稱作“整流器”。

二極管的伏安特性二極管具有單向?qū)щ娦?,二極管的伏安特性曲線 。在二極管加有正向電壓,當(dāng)電壓值較小時(shí),電流極??;當(dāng)電壓超過(guò)0.6V時(shí),電流開(kāi)始按指數(shù)規(guī)律增大,通常稱此為二極管的開(kāi)啟電壓;當(dāng)電壓達(dá)到約0.7V時(shí),二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài),通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓,用符號(hào)UD表示 。對(duì)于鍺二極管,開(kāi)啟電壓為0.2V,導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓,當(dāng)電壓值較小時(shí),電流極小,其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí),電流開(kāi)始急劇增大,稱之為反向擊穿,稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大,從幾十伏到幾千伏。二極管紅外線發(fā)光的發(fā)射強(qiáng)度因發(fā)射方向而異。中山超快恢復(fù)二極管用途

當(dāng)LED產(chǎn)生的光是頻寬極窄的同調(diào)光時(shí),則稱為激光二極管。揚(yáng)州二極管命名

二極管的正向特性:外加正向電壓時(shí),在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。 當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服,二極管正向?qū)?,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變,這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。 當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過(guò)一定數(shù)值 ,內(nèi)電場(chǎng)很快被削弱,特性電流迅速增長(zhǎng),二極管正向?qū)ā?叫做門(mén)坎電壓或閾值電壓,硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V。硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V,鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。揚(yáng)州二極管命名

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