場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較:(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲,因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件。珠海單級(jí)場(chǎng)效應(yīng)管命名
場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)標(biāo)示管的判別:首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來(lái),對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,把其測(cè)得電阻值記下來(lái),兩次測(cè)得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來(lái)的S、D極,還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是S極,兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后,按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路,一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置,這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置,從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。珠海單級(jí)場(chǎng)效應(yīng)管命名場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來(lái)區(qū)分。
場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定:柵極用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小,說(shuō)明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐?! ∽⒁獠荒苡么朔ㄅ卸ń^緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管:VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不光繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動(dòng)電流小(左右0.1μA左右),還具有耐壓高(較高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。
場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù):① 開(kāi)啟電壓VGS(th) (或VT)開(kāi)啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù),柵源電壓小于開(kāi)啟電壓的好不要值,場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。② 夾斷電壓VGS(off) (或VP)夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù),當(dāng)VGS=VGS(off) 時(shí),漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管,當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。④ 輸入電阻RGS場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值,對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管,反偏時(shí)RGS約大于107Ω,對(duì)于絕緣柵場(chǎng)型效應(yīng)三極管,RGS約是109~1015Ω。場(chǎng)效應(yīng)管由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。深圳金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管命名
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。珠海單級(jí)場(chǎng)效應(yīng)管命名
場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效晶體管(場(chǎng)效應(yīng)晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管)是一種用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的電子器件。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種三極管,包括源極、柵極和漏極。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過(guò)向柵極施加電壓來(lái)控制電流,這反過(guò)來(lái)會(huì)改變漏極和源極之間的電導(dǎo)率。場(chǎng)效應(yīng)晶體管因其只需要一種載流子起作用,故又稱為單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的結(jié)構(gòu)和工作原理而制成的傳感器。即,場(chǎng)效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子?,F(xiàn)已有許多不同類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻時(shí)顯示非常高的輸入阻抗。珠海單級(jí)場(chǎng)效應(yīng)管命名
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