用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,測量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知,各種不同型號的管,其電阻值是各不相同的),如果測得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測得阻值是無窮大,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當測得其各項電阻值均為無窮大,則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或為通路,則說明管是壞的。要注意,若兩個柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進行檢測。場效應(yīng)管可以用作可變電阻。蘇州場效應(yīng)管使用注意事項
結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例),N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號,由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導(dǎo)電的,形成了所謂耗盡區(qū),當漏極電源電壓ED一定時,如果柵極電壓越負,PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,漏極電流ID就愈小;反之,如果柵極電壓沒有那么負,則溝道變寬,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,就是說,場效應(yīng)管是電壓控制元件。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因為如此,使得該電路不會因為兩管同時導(dǎo)通而造成電源短路。泰州場效應(yīng)管市場報價場效應(yīng)管高中低頻能量分配適當, 解析力和定位感均有較好表現(xiàn),具有良好的聲場空間描繪能力 。
場效應(yīng)管的主要參數(shù) :Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.Up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓. Ut — 開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓.gM — 跨導(dǎo).是表示柵源電壓UGS — 對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時,場效應(yīng)管正常工作所能承受的較大漏源電壓.這是一項極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BVDS.PDSM — 較大耗散功率,也是一項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率.使用時,場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量.IDSM — 較大漏源電流.是一項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許通過的較大電流.場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM
場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET起到的作用相當于一個開關(guān)。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時,電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,因此,總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,器件將不能按設(shè)計意圖工作,并可能在不恰當?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉,導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時,開關(guān)關(guān)閉,而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉,但仍然有微小電流存在,這稱之為漏電流,即IDSS。場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。
場效應(yīng)管注意事項:在安裝場效應(yīng)管時,注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動,有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時,應(yīng)當大于根部尺寸5毫米處進行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等。使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,較大功率才能達到30W。多管并聯(lián)后,由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,使放大器的高頻特性變壞,通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個,而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。場效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成。泰州場效應(yīng)管市場報價
場效應(yīng)晶體管的一個優(yōu)點是它的柵極到主電流電阻高(≥100 MΩ)。蘇州場效應(yīng)管使用注意事項
場效應(yīng)管介紹:場效應(yīng)晶體管(縮寫FET)簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);場效應(yīng)管的輸入端電流極小,因此它的輸入電阻很大。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲相對會比較低。蘇州場效應(yīng)管使用注意事項
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