貼片場效應管:1:場效應管是電壓控制器件,管子的導電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,管子的導電情況取決于基極電流的大小。 2:場效應管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。3:場效應管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導Gm 決定,晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說,場效應管的放大能力用Gm 衡量,晶體管的放大能力用β衡量。4:場效應管的輸入阻抗很大,輸入電流極小;晶體管輸入阻抗很小,在導電時輸入電流較大。5:一般場效應管功率較小,晶體管功率較大。場效應管極間電容場效應管三個電極之間的電容,它的值越小表示管子的性能越好。廣東耗盡型場效應管
與雙極型晶體管相比,場效應管具有如下特點。(1)場效應管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);(2)場效應管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多數(shù)載流子導電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);(5)場效應管的抗輻射能力強;(6)由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。單級場效應管場效應管當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型。
場效應管的分類:場效應管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名,絕緣柵型場效應管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中,應用為普遍的是MOS場效應管,簡稱MOS管(即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管,以及近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等?!“礈系腊雽w材料的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分,場效應管又可分成耗盡型與增強型。結(jié)型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。
場效應管注意事項:為了安全使用場效應管,在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率,較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接入電路中,要遵守場效應管偏置的極性。如結(jié)型場效應管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓,等等。MOS場效應管由于輸入阻抗極高,所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場效應管放入塑料盒子內(nèi),保存時比較好放在金屬盒內(nèi),同時也要注意管的防潮。場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
場效應管輸入電阻基本是無窮大,但是GS之間存在一個電容,而且場效應管能承受電流越大,Cgs一般也越大,在高速開關(guān)時,MOS會在突然導通與突然關(guān)斷之間切換,那么前級的推動電路就需要對MOS的輸入電容進行充放電,如果不要驅(qū)動電路,推動電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求(推動輸出電阻越大,MOS的Vgs上升或下降越慢),這樣就使得MOS在相當一部分時間內(nèi)工作在線性區(qū)域,從而導致開關(guān)效率降低!例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)(4)檢查跨導將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S極,黑表筆接D極,手持螺絲刀去碰觸柵極,表針應有明顯偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)愈大,管子的跨導愈高。場效應管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。廣東耗盡型場效應管
場效應管布局走線合理,整機穩(wěn)定性高,信噪比佳,音樂細節(jié)有很好表現(xiàn) 。廣東耗盡型場效應管
用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力具體方法:用萬用表電阻的R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,給場效應管加上1.5V的電源電壓,此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應管的柵極G,將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小,說明管的放大能力較差;表針擺動較大,表明管的放大能力大;若表針不動,說明管是壞的。廣東耗盡型場效應管
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