二極管PN結形成原理：P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。 N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。中山雙向觸發(fā)二極管特點
二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。開關二極管命名二極管初被發(fā)明時通常被稱作“整流器”。
肖特基二極管：肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。隧道二極管又稱為江崎二極管，它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其優(yōu)點是開關特性好，速度快、工作頻率高，多應用于某些開關電路或高頻振蕩等電路中。
二極管種類：PN結二極管（PN Diode）施加順向偏壓，利用半導體中PN接合的整流性質，是基本的半導體二極管，常見應用于整流方面以及與電感并聯保護其他元件用。細節(jié)請參照PN接面的條目。蕭特基二極管利用金屬和半導體二者的接合面的'蕭特基效應'的整流作用。由于順向的切入電壓較低，導通回復時間也短，適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。穩(wěn)壓二極管（Reference Diode）（常用稱法：齊納二極管）施加逆向偏壓，超過特定電壓時發(fā)生的反向擊穿電壓隨反向電流變化很小，具有一定的電壓穩(wěn)定能力。利用此性質做成的元件被用于電壓基準。借由摻雜物的種類、濃度，決定擊穿電壓（破壞電壓）。其順向偏壓與一般的二極管相同。二極管當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。
二極管在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導體材料出現。因為新出現的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規(guī)模使用。貝爾實驗室還開發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀40年代中后期，美國電話電報公司在美國四處新建的微波塔上開始應用這種微波接收器，主要用于傳輸電話和網絡電視信號。不過貝爾實驗室并未研發(fā)出效果令人滿意的熱離子二極管微波接收器。之后隨著量子力學和半導體材料的發(fā)展和應用，逐漸發(fā)展并形成了目前人們使用的半導體二極管結構和配套的應用產業(yè)。開關二極管：開關二極管是二極管的一種。臺州高壓二極管生產
平面型二極管在脈沖數字電路中作開關管使用時PN結面積小，用于大功率整流時PN結面積較大。中山雙向觸發(fā)二極管特點
二極管的反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和反向電壓作用下，其流過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流為5μA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。中山雙向觸發(fā)二極管特點
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