選用三極管需要了解三極管的主要參數(shù)。若手中有一本晶體管特性手冊(cè)好。三極管的參數(shù)很多，其中必須了解的四個(gè)極限參數(shù)：ICM、BVCEO、PCM、fT、TON TOFF 等，可滿足95%以上的使用需要。ICM是集電極大允許電流。三極管工作時(shí)當(dāng)它的集電極電流超過(guò)一定數(shù)值時(shí)，它的電流放大系數(shù)β將下降。為此規(guī)定三極管的電流放大系數(shù)β變化不超過(guò)允許值時(shí)的集電極大電流稱為ICM。所以在使用中當(dāng)集電極電流IC超過(guò)ICM時(shí)不至于損壞三極管，但會(huì)使β值減小，影響電路的工作性能。三極管放大電路主要利用三極管或場(chǎng)效應(yīng)管的控制作用放大微弱信號(hào)。深圳三極管
三極管飽和區(qū)的特點(diǎn)是，三級(jí)管的電流與IB和VCE有關(guān)，但是與VCE相關(guān)程度更大，因?yàn)榭梢钥吹疆?dāng)VCE固定時(shí)，不同的IB變化引起的IC變化不大；但是反過(guò)來(lái)，IB固定，VCE變化一點(diǎn)點(diǎn)就會(huì)引起IC劇烈變化，換句話說(shuō)三極管已經(jīng)飽和了，已經(jīng)不受控于IB而受控于VCE了。飽和的意思就是滿了，我們可以用向水杯子倒水的模型來(lái)理解這個(gè)過(guò)程，IB就是倒水的水流，IC就是水面的高度，VCE就是指水面的高度。飽和就是指水滿了，飽和時(shí)狀態(tài)所示，此時(shí)水面高度IC已經(jīng)滿了（已經(jīng)飽和）不受控于IB了，而受控于水杯的高度VCE，如果想要進(jìn)一步增加IC，就需要增加水杯高度VCE，這樣理解飽和這個(gè)概念就更形象易懂了。深圳TOS三極管作用開關(guān)三極管的外形與普通三極管外形相同，主要用于電路的關(guān)與通的轉(zhuǎn)換。
三極管實(shí)際放大電路三極管在實(shí)際的放大電路中使用時(shí)，還需要加合適的偏置電路。這有幾個(gè)原因。首先是由于三極管BE結(jié)的非線性(相當(dāng)于一個(gè)二極管)，基極電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產(chǎn)生(對(duì)于硅管，常取0.7V)。當(dāng)基極與發(fā)射極之間的電壓小于0.7V時(shí)，基極電流就可以認(rèn)為是0。但實(shí)際中要放大的信號(hào)往往遠(yuǎn)比0.7V要小，如果不加偏置的話，這么小的信號(hào)就不足以引起基極電流的改變(因?yàn)樾∮?.7V時(shí)，基極電流都是0)。如果我們事先在三極管的基極上加上一個(gè)合適的電流(叫做偏置電流，圖2中那個(gè)電阻Rb就是用來(lái)提供這個(gè)電流的，所以它被叫做基極偏置電阻)，那么當(dāng)一個(gè)小信號(hào)跟這個(gè)偏置電流疊加在一起時(shí)，小信號(hào)就會(huì)導(dǎo)致基極電流的變化，而基極電流的變化，就會(huì)被放大并在集電極上輸出。另一個(gè)原因就是輸出信號(hào)范圍的要求，如果沒有加偏置，那么只有對(duì)那些增加的信號(hào)放大，而對(duì)減小的信號(hào)無(wú)效(因?yàn)闆]有偏置時(shí)集電極電流為0，不能再減小了)。而加上偏置，事先讓集電極有一定的電流，當(dāng)輸入的基極電流變小時(shí)，集電極電流就可以減小;當(dāng)輸入的基極電流增大時(shí)，集電極電流就增大。這樣減小的信號(hào)和增大的信號(hào)都可以被放大了。
雙極型三極管的電流傳輸關(guān)系：發(fā)射結(jié)加正偏時(shí)，從發(fā)射區(qū)將有大量的電子向基區(qū)擴(kuò)散，形成的電流為IEN。與PN結(jié)中的情況相同。從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，但其數(shù)量小，形成的電流為IEP。這是因?yàn)榘l(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)的摻雜濃度。進(jìn)入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃度低，被復(fù)合的機(jī)會(huì)較少。又因基區(qū)很薄，在集電結(jié)反偏電壓的作用下，電子在基區(qū)停留的時(shí)間很短，很快就運(yùn)動(dòng)到了集電結(jié)的邊上，進(jìn)入集電結(jié)的結(jié)電場(chǎng)區(qū)域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區(qū)被復(fù)合的電子形成的電流是 IBN。晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。
正向放大區(qū)（或簡(jiǎn)稱放大區(qū)）：當(dāng)發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置時(shí)，晶體管工作在放大區(qū)。大多數(shù)雙極性晶體管的設(shè)計(jì)目標(biāo)，是為了在正向放大區(qū)得到大的共射極電流增益。晶體管工作在這一區(qū)域時(shí)，集電極-發(fā)射極電流與基極電流近似成線性關(guān)系。由于電流增益的緣故，當(dāng)基極電流發(fā)生微小的擾動(dòng)時(shí)，集電極-發(fā)射極電流將產(chǎn)生較為有名變化。反向放大區(qū)：當(dāng)發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)正向偏置時(shí)，晶體管工作在反向放大區(qū)。此時(shí)發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的作用與正向放大區(qū)正好相反，但由于集電區(qū)的摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，反向放大區(qū)產(chǎn)生的放大效果小于正向放大區(qū)。而大多數(shù)雙極性晶體管的設(shè)計(jì)目標(biāo)是盡可能得到大正向放大電流增益，因此在實(shí)際這種工作模式幾乎不被采用。三極管按材質(zhì)分: 硅管、鍺管。廣東電子三極管作用
NPN型三極管，適合射極接GND集電極接負(fù)載到VCC的情況。深圳三極管
晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負(fù)極的意思（英文中Negative），N型半導(dǎo)體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導(dǎo)電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的對(duì)于NPN管，它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié)，三條引線分別稱為發(fā)射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。深圳三極管
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