場效應(yīng)管場效晶體管（場效應(yīng)晶體管、場效應(yīng)管)是一種用電場效應(yīng)來控制電流的電子器件。場效應(yīng)晶體管是一種三極管，包括源極、柵極和漏極。場效應(yīng)晶體管通過向柵極施加電壓來控制電流，這反過來會改變漏極和源極之間的電導(dǎo)率。場效應(yīng)晶體管因其只需要一種載流子起作用，故又稱為單極型晶體管。場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的結(jié)構(gòu)和工作原理而制成的傳感器。即，場效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子。現(xiàn)已有許多不同類型的場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)晶體管通常在低頻時顯示非常高的輸入阻抗。柵極(G)，調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極。通過向柵極施加電壓，可以控制ID。深圳N型場效應(yīng)管命名
場效應(yīng)管的參數(shù):場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時的漏源電流?！?、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓?！?、UT — 開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。溫州場效應(yīng)管市場報價場效應(yīng)管輸出為輸入的2次冪函數(shù)。
場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線：柵極電壓對漏極電流的控制稱為轉(zhuǎn)移特性，反映兩者關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。N溝結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時，漏極電流隨之變化。當(dāng)柵極電壓=0時，ID值為場效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS；當(dāng)漏極電流=0時，柵極電壓的值為結(jié)型場效應(yīng)管夾斷UQ。輸出特性曲線：當(dāng) Ugs確定時，反映 ID與 Uds的關(guān)系曲線是輸出特征曲線，又稱漏極特性曲線。按圖示可劃分為三個區(qū)域：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。當(dāng)起放大作用時，應(yīng)該在飽和區(qū)內(nèi)工作。請注意，這里的“飽和區(qū)”對應(yīng)普通三極管的“放放區(qū)”。
場效應(yīng)管估測放大能力:將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場效應(yīng)管用電阻檔測量時的工作點可能不同，因此用手捏柵極時表針可能向右擺動，也可能向左擺動。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動，多數(shù)管子的RDS增大，表針向左擺動。無論表針的擺動方向如何，只要能有明顯地擺動，就說明管子具有放大能力。場效應(yīng)管場效應(yīng)管更好的熱穩(wěn)定性，抗輻射性和較低噪聲 。
場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比三極管好。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。場效應(yīng)管高中低頻能量分配適當(dāng)， 解析力和定位感均有較好表現(xiàn)，具有良好的聲場空間描繪能力 。杭州非絕緣型場效應(yīng)管型號
場效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成。深圳N型場效應(yīng)管命名
場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。深圳N型場效應(yīng)管命名
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