珠海N型場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開(kāi)路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞。焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須裝有外接地線(xiàn)，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對(duì)于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作。柵極(G)，調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極。通過(guò)向柵極施加電壓，可以控制ID。珠海N型場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)

場(chǎng)效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱(chēng)為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。珠海N型場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管輸入結(jié)電容?。ǚ答侂娙荩?，輸出端負(fù)載的變化對(duì)輸入端影響小。

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話(huà)說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說(shuō)，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門(mén)極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱(chēng)為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。

場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù):場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流。　2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓?！?、UT — 開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U GS — 對(duì)漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，當(dāng)以線(xiàn)性模式工作時(shí)，電子可以沿任意方向流過(guò)溝道。

場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)：柵極電壓對(duì)漏極電流的控制稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性，反映兩者關(guān)系的曲線(xiàn)稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)。N溝結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)如圖。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時(shí)，漏極電流隨之變化。當(dāng)柵極電壓=0時(shí)，ID值為場(chǎng)效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS；當(dāng)漏極電流=0時(shí)，柵極電壓的值為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管夾斷UQ。輸出特性曲線(xiàn)：當(dāng) Ugs確定時(shí)，反映 ID與 Uds的關(guān)系曲線(xiàn)是輸出特征曲線(xiàn)，又稱(chēng)漏極特性曲線(xiàn)。按圖示可劃分為三個(gè)區(qū)域：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。當(dāng)起放大作用時(shí)，應(yīng)該在飽和區(qū)內(nèi)工作。請(qǐng)注意，這里的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放放區(qū)”。場(chǎng)效應(yīng)管它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好。廣東金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

漏極與源極之間的電壓由VDS表示。珠海N型場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開(kāi)啟電壓VGS（th） （或VT）開(kāi)啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開(kāi)啟電壓的好不要值，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS（off） 時(shí)，漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管，當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。④ 輸入電阻RGS場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于107Ω，對(duì)于絕緣柵場(chǎng)型效應(yīng)三極管，RGS約是109～1015Ω。珠海N型場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)

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