深圳碳化硅襯底sic

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-04-08

現(xiàn)在,SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些**的半導(dǎo)體器件廠商,如羅姆(ROHM)株式會(huì)社、英飛凌科技公司、Cree、飛兆國(guó)際電子有限公司等都在開發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌科技公司在今年推出了第5代SiC肖特基勢(shì)壘二極管,它結(jié)合了第3代產(chǎn)品的低容性電荷(Qc)特性與第2代產(chǎn)品中的低正向電壓(Vf)特性,使PFC電路達(dá)到**高效率水平,擊穿電壓則達(dá)到了650V。飛兆半導(dǎo)體發(fā)布了SiCBJT,實(shí)現(xiàn)了1200V的耐壓,傳導(dǎo)和開關(guān)損耗相對(duì)于傳統(tǒng)的Si器件降低了30%~50%,從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。ROHM公司則推出了1200V的第2代SiC制MOSFET產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)了SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝,與Si-IGBT相比,工作損耗降低了70%,并可達(dá)到50kHz以上的開關(guān)頻率。值得一提的是,IGBT的驅(qū)動(dòng)比較復(fù)雜,如果使用SiC基的MOSFET,則能使系統(tǒng)開發(fā)的難度大為降低。SiC的市場(chǎng)頗為看好,根據(jù)預(yù)測(cè),到2022年,市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到40億美元,年平均復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá)到45%如何選擇一家好的碳化硅襯底公司。深圳碳化硅襯底sic

碳化硅(SiC)半導(dǎo)體器件在航空、航天探測(cè)、核能開發(fā)、衛(wèi)星、石油和地?zé)徙@井勘探、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)等高溫(350~500oC)和抗輻射領(lǐng)域具有重要應(yīng)用;          高頻、高功率的碳化硅(SiC)器件在雷達(dá)、通信和廣播電視領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景;(目前航天和下屬的四家院所已有兩家開始使用,訂貨1億/年,另兩家還在進(jìn)行測(cè)試,在航天宇航碳化硅器件是不可取代的,可以抵御太空中強(qiáng)大的射線輻射及巨大的差,在核戰(zhàn)或強(qiáng)電磁干擾作用的時(shí)候,碳化硅電子器件的耐受能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)強(qiáng)于硅基器件,雷達(dá)、通信方面有重要作用深圳碳化硅襯底sic碳化硅襯底的的性價(jià)比、質(zhì)量哪家比較好?

相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅減小至原來的1/10,導(dǎo)通電阻可至少降低至原來的1/100。相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET較硅基IGBT的總能量損耗可降低70%。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢(shì),將極大提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉(zhuǎn)換效率,未來將主要應(yīng)用領(lǐng)域有電動(dòng)汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。市場(chǎng)空間:據(jù) Yole 統(tǒng)計(jì),2020 年 SiC 碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模約 7.1 億美元,預(yù)計(jì) 2026 年將增長(zhǎng)至 45 億美元,2020-2026 年 CAGR 近 36%。其中,新能源汽車是 SiC 功率器件下游重要的應(yīng)用市場(chǎng),預(yù)計(jì)需求于 2023 年開始快速爆發(fā)。

    隨著電力電子變換系統(tǒng)對(duì)于效率和體積提出更高的要求,SiC(碳化硅)將會(huì)是越來越合適的半導(dǎo)體器件。尤其針對(duì)光伏逆變器和UPS應(yīng)用,SiC器件是實(shí)現(xiàn)其高功率密度的一種非常有效的手段。由于SiC相對(duì)于Si的一些獨(dú)特性,對(duì)于SiC技術(shù)的研究,可以追溯到上世界70年代。簡(jiǎn)單來說,SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì):擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于Si)更寬的能帶隙(3倍于Si)熱導(dǎo)率高(3倍于Si)這些特性使得SiC器件更適合應(yīng)用在高功率密度、高開關(guān)頻率的場(chǎng)合。當(dāng)然,這些特性也使得大規(guī)模生產(chǎn)面臨一些障礙,直到2000年初單晶SiC晶片出現(xiàn)才開始逐步量產(chǎn)。目前標(biāo)準(zhǔn)的是4英寸晶片,但是接下來6英寸晶片也要誕生,這會(huì)導(dǎo)致成本有顯著的下降。而相比之下,當(dāng)今12英寸的Si晶片已經(jīng)很普遍,如果預(yù)測(cè)沒有問題的話,接下來4到5年的時(shí)間18英寸的Si晶片也會(huì)出現(xiàn)。 哪家公司的碳化硅襯底的品質(zhì)比較好?

碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,在低功耗、小型化、高壓、高頻的應(yīng)用場(chǎng)景有極大優(yōu)勢(shì)。第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅、氮化鎵為,與前兩代半導(dǎo)體材料相比比較大的優(yōu)勢(shì)是較寬的禁帶寬度,保證了其可擊穿更高的電場(chǎng)強(qiáng)度,適合制備耐高壓、高頻的功率器件。碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法)等生成外延片,制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中,由于襯造工藝難度大,產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。蘇州質(zhì)量好的碳化硅襯底的公司。廣東n型碳化硅襯底

哪家的碳化硅襯底性價(jià)比比較高?深圳碳化硅襯底sic

    為何半絕緣型與導(dǎo)電型碳化硅襯底技術(shù)壁壘都比較高?PVT方法中SiC粉料純度對(duì)晶片質(zhì)量具有較大影響。粉料中一般含有極微量的氮(N),硼(B)、鋁(Al)、鐵(Fe)等雜質(zhì),其中氮是n型摻雜劑,在碳化硅中產(chǎn)生游離的電子,硼、鋁是p型摻雜劑,產(chǎn)生游離的空穴。為了制備n型導(dǎo)電碳化硅晶片,在生長(zhǎng)時(shí)需要通入氮?dú)?,讓它產(chǎn)生的一部分電子中和掉硼、鋁產(chǎn)生的空穴(即補(bǔ)償),另外的游離電子使碳化硅表現(xiàn)為n型導(dǎo)電。為了制備高阻不導(dǎo)電的碳化硅(半絕緣型),在生長(zhǎng)時(shí)需要加入釩(V)雜質(zhì),釩既可以產(chǎn)生電子,也可以產(chǎn)生空穴,讓它產(chǎn)生的電子中和掉硼、鋁產(chǎn)生的空穴(即補(bǔ)償),它產(chǎn)生的空穴中和掉氮產(chǎn)生的電子,所以所生長(zhǎng)的碳化硅幾乎沒有游離的電子、空穴,形成高阻不導(dǎo)電的晶片(半絕緣型)。摻釩工藝復(fù)雜,所以半絕緣碳化硅很難制備,成本很高。近年來也出現(xiàn)了通過點(diǎn)缺陷來實(shí)現(xiàn)高阻半絕緣碳化硅的方法。p型導(dǎo)電碳化硅也不容易制備,特別是低阻的p型碳化硅更不容易制備。 深圳碳化硅襯底sic

蘇州豪麥瑞材料科技有限公司是以陶瓷研磨球,碳化硅,陶瓷精加工,拋光液研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)為一體的蘇州豪麥瑞材料科技有限公司(Homray Material Company)成立于2014年,是由一群在半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)多年的專業(yè)團(tuán)隊(duì)所組成,專注于半導(dǎo)體技術(shù)和資源的發(fā)展與整合,現(xiàn)以進(jìn)口碳化硅晶圓,供應(yīng)切割、研磨及拋光等相關(guān)制程的材料與加工設(shè)備,氧化鋁研磨球,氧化鋯研磨球,陶瓷研磨球,陶瓷精加工,拋光液。企業(yè),公司成立于2014-04-24,地址在蘇州市工業(yè)園區(qū)唯華路3號(hào)君地商務(wù)廣場(chǎng)5棟602室。至創(chuàng)始至今,公司已經(jīng)頗有規(guī)模。公司具有陶瓷研磨球,碳化硅,陶瓷精加工,拋光液等多種產(chǎn)品,根據(jù)客戶不同的需求,提供不同類型的產(chǎn)品。公司擁有一批熱情敬業(yè)、經(jīng)驗(yàn)豐富的服務(wù)團(tuán)隊(duì),為客戶提供服務(wù)。依托成熟的產(chǎn)品資源和渠道資源,向全國(guó)生產(chǎn)、銷售陶瓷研磨球,碳化硅,陶瓷精加工,拋光液產(chǎn)品,經(jīng)過多年的沉淀和發(fā)展已經(jīng)形成了科學(xué)的管理制度、豐富的產(chǎn)品類型。蘇州豪麥瑞材料科技有限公司通過多年的深耕細(xì)作,企業(yè)已通過化工質(zhì)量體系認(rèn)證,確保公司各類產(chǎn)品以高技術(shù)、高性能、高精密度服務(wù)于廣大客戶。歡迎各界朋友蒞臨參觀、 指導(dǎo)和業(yè)務(wù)洽談。