湖北POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

某材料科學研究中心在探索新型納米復合材料的性能時，需要在材料表面構建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機成為實現(xiàn)這一目標的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結構。經過測試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復合材料，其電學、光學和力學性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學性能普通的納米材料，在經過 Polos 光刻機處理后，對特定波長光的吸收率提高了 30%，為開發(fā)新型光電器件和光學傳感器提供了新的材料選擇和設計思路 。實時觀測系統(tǒng)：120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡，實現(xiàn)加工過程動態(tài)監(jiān)控。湖北POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

在微流控芯片集成領域，某微機電系統(tǒng)實驗室利用 Polos 光刻機的多材料同步曝光技術，在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅動的氣動泵閥結構。其微泵通道寬度可控制在 20μm，流量調節(jié)精度達 ±1%，響應時間小于 50ms。通過軟件輸入不同圖案，可在 10 分鐘內完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細胞代謝分析，實現(xiàn)了單個tumor細胞葡萄糖攝取率的實時監(jiān)測，檢測靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍，相關設備已進入臨床前驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。湖北德國BEAM光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸Polos-BESM：基礎款高性價比，適合高校實驗室基礎微納加工。

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設備，將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%，開關損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結構，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導體領域實現(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

上海有機化學研究所通過光刻技術制備多組分納米纖維，實現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地，Polos系列設備可支持此類結構的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術基礎3。設備的高重復性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉化性。掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。德國 SPS Polos：深耕微納加工 35 年，專注半導體與生命科學領域，全球布局 6 大技術中心，服務 500 + 科研機構。

某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結構的超疏水涂層。其激光直寫技術在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運，液滴驅動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM 光刻機：無掩模激光技術，成本降低 50%，任意圖案輕松輸入，適配實驗室微納加工。黑龍江POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米

Polos-BESM XL：大尺寸加工空間，保留緊湊設計，科研級精度實現(xiàn)復雜結構一次性成型。湖北POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構合作，推動光子集成與半導體封裝技術發(fā)展。例如，Quantum X align系統(tǒng)的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產業(yè)鏈整合的優(yōu)勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。湖北POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米