LM2647MTCX/NOPB穩(wěn)壓IC

來(lái)源： 發(fā)布時(shí)間：2023-05-26

穩(wěn)壓IC的EMI，除了了解特定應(yīng)用的適當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)外，了解如何測(cè)量EMI也很重要，因?yàn)檫@些知識(shí)將使您深入了解如何減少EMI。EMI測(cè)量通常分為傳導(dǎo)和輻射，這揭示了測(cè)量方法和EMI的產(chǎn)生方式。雖然傳導(dǎo)發(fā)射通常與較低頻率（<30 MHz）相關(guān)，而輻射發(fā)射通常與較高頻率（>30 MHz）相關(guān)，但兩者之間的區(qū)別并不那么簡(jiǎn)單，因?yàn)閭鲗?dǎo)和輻射頻率范圍確實(shí)重疊。
傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量旨在量化設(shè)備產(chǎn)生并返回其電源的EMI。重要的是：減少許多應(yīng)用中的這些排放，因?yàn)槠渌舾须娐吠ǔ＿B接到相同的電源線。在處理現(xiàn)代汽車中數(shù)量不斷增加的長(zhǎng)線束時(shí)，降低傳導(dǎo)電磁干擾尤為重要。
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德州儀器 穩(wěn)壓IC技術(shù)專題

圖13顯示了在400 kHz開關(guān)頻率下運(yùn)行的buck變換器的EMI測(cè)量結(jié)果，比較了有源和無(wú)源EMI濾波方法。為了有效滿足CISPR 25 5級(jí)頻譜屏蔽，無(wú)源EMI濾波器需要一個(gè)3.3μH的DM電感和一個(gè)10μF的DM電容。有源濾波方法可以通過(guò)*1μH的DM電感器以及100 nF的傳感和注入電容實(shí)現(xiàn)相同的有效衰減。這有助于將無(wú)源濾波器的大小和體積分別減小到原始值的43%和27%。對(duì)于更大電流的轉(zhuǎn)換器，可以通過(guò)降低電感直流電阻來(lái)獲得成本和效率方面的進(jìn)一步好處。 UCC28C41DGKR穩(wěn)壓IC電源穩(wěn)壓IC，就選特克集團(tuán)，專業(yè)專注!專業(yè)顧問(wèn)為您服務(wù)！

穩(wěn)壓IC專題知識(shí)，

為了**小化濾波電感的尺寸，您可以為SMPS設(shè)計(jì)選擇更高的開關(guān)頻率。然而，切換器操作時(shí)應(yīng)避免使用敏感頻段。

例如，傳統(tǒng)上，汽車電源解決方案的優(yōu)先開關(guān)頻率為亞AM頻段（約400 kHz）。
選擇更高的開關(guān)頻率以**小化電感器尺寸意味著您必須避免整個(gè)AM頻段（525至1705 kHz），以便在更嚴(yán)格的汽車EMI頻段中沒有基本開關(guān)雜散。
德州儀器（TI）的開關(guān)轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率高于1.8 MHz，以滿足EMI頻段的要求。向更高開關(guān)頻率的推進(jìn)對(duì)開關(guān)轉(zhuǎn)換上升和下降時(shí)間施加了嚴(yán)格限制，以減少開關(guān)損耗。然而，如圖6所示，上升和下降時(shí)間很短的開關(guān)節(jié)點(diǎn)即使在接近其100次諧波的高頻下也能保持較高的能量含量，這再次突出了高效率和低EMI之間的權(quán)衡。

穩(wěn)壓IC專題

由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉(zhuǎn)換率還會(huì)導(dǎo)致高頻開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，從而進(jìn)一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。 電源IC、穩(wěn)壓IC就找特克電子，德州儀器、亞德諾、英飛凌原裝現(xiàn)貨，歡迎新老客戶來(lái)旬！
下頁(yè)的圖7顯示了切換節(jié)點(diǎn)上的轉(zhuǎn)換速率和相關(guān)振鈴如何影響排放。限制開關(guān)轉(zhuǎn)換引起的EMI發(fā)射的傳統(tǒng)方法是通過(guò)在開關(guān)設(shè)備的柵極驅(qū)動(dòng)路徑中添加有意的電阻來(lái)降低它們的速度。這會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)換速度變慢，導(dǎo)致更快的發(fā)射衰減，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發(fā)射。然而，這種開關(guān)邊緣的減速會(huì)導(dǎo)致開關(guān)轉(zhuǎn)換器的峰值電流效率降低2%-3%。


功率密度

在更小的空間實(shí)現(xiàn)更大的功率，以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能隨著功率需求的增加，電路板面積和高度正在成為限制因素。電力設(shè)計(jì)師必須在應(yīng)用中加入更多的電路，以使其產(chǎn)品與眾不同，同時(shí)提高效率和熱性能?，F(xiàn)在，使用TI的先進(jìn)工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可以以更小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高的功率水平。
產(chǎn)生較少熱量的設(shè)備
?業(yè)界先進(jìn)的功率處理節(jié)點(diǎn)，適用于<100 V
?600-V氮化鎵（GaN）器件具有很好的開關(guān)性能


熱圖像比較了更高的效率對(duì)溫升的影響。


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