低噪音和精度-TI穩(wěn)壓IC發(fā)展趨勢(shì)
增強(qiáng)電源和信號(hào)完整性，以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和準(zhǔn)確性。
為了比較大限度地提高系統(tǒng)性能和可靠性，監(jiān)控、調(diào)節(jié)和處理電源鏈中信號(hào)的能力至關(guān)重要。高精度系統(tǒng)需要精確的低噪聲基準(zhǔn)，以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進(jìn)的電路和測(cè)試技術(shù)，以提高精度并將失真降至比較低。
減少和緩解IC錯(cuò)誤源
?利用TI高度優(yōu)化的低噪聲互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝，減少工藝的非理想性。
?利用先進(jìn)的電路和測(cè)試技術(shù)減少工藝非理想性的影響。
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真回轉(zhuǎn)率控制
盡管有上述技術(shù)，在一些設(shè)計(jì)中，高頻EMI（60至250 MHz）可能仍不在規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)限值范圍內(nèi)。為了通過(guò)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，減輕和提高裕度的一種方法是使用與開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的啟動(dòng)電容串聯(lián)的電阻器。使用電阻器可以降低開(kāi)關(guān)邊緣轉(zhuǎn)換率，從而降低EMI，但會(huì)帶來(lái)效率降低的預(yù)期損失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)使得可以使用電阻器來(lái)選擇高側(cè)FET驅(qū)動(dòng)器在開(kāi)啟期間的強(qiáng)度。如下頁(yè)圖22所示，通過(guò)RBOOT引腳（teal虛線環(huán)）的電流被倍增，并從CBOOT（紅色虛線）穿過(guò)，以打開(kāi)高壓側(cè)功率MOSFET。通過(guò)這樣做，電阻器可以控制轉(zhuǎn)換速率，但不會(huì)遭受串聯(lián)啟動(dòng)電阻器運(yùn)行大部分電流時(shí)發(fā)生的效率損失。當(dāng)RBOOT對(duì)CBOOT短路時(shí)，上升時(shí)間很快；開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波在高于150 MHz之前不會(huì)衰減。如果CBOOT和RBOOT通過(guò)700Ω保持連接，則在將13.5 V轉(zhuǎn)換為5 V時(shí)，回轉(zhuǎn)時(shí)間將增加到10 ns。此緩慢上升時(shí)間可使開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波中的能量在大多數(shù)情況下在50 MHz附近衰減。
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高壓電源-穩(wěn)壓IC：
交流/直流和隔離直流/直流MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器TI的100多個(gè)門驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合提供了業(yè)界**快的開(kāi)關(guān)電源，同時(shí)滿足了各種規(guī)格。優(yōu)點(diǎn)包括在高開(kāi)關(guān)頻率下具有快速開(kāi)啟/關(guān)閉時(shí)間的穩(wěn)健設(shè)計(jì)，可減少功率損耗并實(shí)現(xiàn)更好的系統(tǒng)性能。TI的門驅(qū)動(dòng)器系列包括低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋驅(qū)動(dòng)器和隔離驅(qū)動(dòng)器。
UCC2751x和UCC2752x
?選定產(chǎn)品的版本
?AEC-Q100適用于部分產(chǎn)品
?非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)和分離輸出選項(xiàng)可在選定的單通道驅(qū)動(dòng)器上使用
?前列的傳播延遲和與MOSFET功率開(kāi)關(guān)更高的VDD兼容性
?兩個(gè)系列都具有TTL和CMOS輸入閾值
UCC27531，UCC27531-Q1
?可采用D和DBV包裝
?FET和IGBT單柵驅(qū)動(dòng)器
?2.5A和5A，35V比較大VDD
穩(wěn)壓IC專題
由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉(zhuǎn)換率還會(huì)導(dǎo)致高頻開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，從而進(jìn)一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。
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下頁(yè)的圖7顯示了切換節(jié)點(diǎn)上的轉(zhuǎn)換速率和相關(guān)振鈴如何影響排放。限制開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換引起的EMI發(fā)射的傳統(tǒng)方法是通過(guò)在開(kāi)關(guān)設(shè)備的柵極驅(qū)動(dòng)路徑中添加有意的電阻來(lái)降低它們的速度。這會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)換速度變慢，導(dǎo)致更快的發(fā)射衰減，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發(fā)射。然而，這種開(kāi)關(guān)邊緣的減速會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的峰值電流效率降低2%-3%。
DC/DC控制器-穩(wěn)壓IC-輸出電流由外部MOSFET設(shè)置，這使設(shè)計(jì)者能夠優(yōu)化效率和性能。堅(jiān)強(qiáng)的TI控制器中的MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)更多的外部MOSFET。電荷泵-TI的低壓電荷泵系列--穩(wěn)壓IC提供了一種低噪聲解決方案，無(wú)需電感器即可提高電壓。電荷泵達(dá)到90%的峰值效率，對(duì)于300mA以下的輸出電流非常有用。訪問(wèn)TECH-TREK官網(wǎng)通過(guò)簡(jiǎn)單的提供系統(tǒng)的電壓和輸出電流。
采用TI***的電源模塊產(chǎn)品組合進(jìn)行設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)寬輸入電壓和輸出電流范圍、靈活的封裝選項(xiàng)和易于使用的集成解決方案，適用于各種非隔離、工業(yè)、醫(yī)療和通信應(yīng)用。
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數(shù)據(jù)表SMPS設(shè)備評(píng)估模塊中公布的傳導(dǎo)和輻射EMI結(jié)果根據(jù)**嚴(yán)格的工業(yè)和汽車EMI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試，數(shù)據(jù)表中公布的結(jié)果有助于您提前了解設(shè)備的EMI性能。您可以通過(guò)單擊設(shè)備數(shù)據(jù)表第一頁(yè)上的“針對(duì)**EMI要求進(jìn)行了優(yōu)化”來(lái)訪問(wèn)詳細(xì)的EMI報(bào)告。LM62440-Q1數(shù)據(jù)表中的EMI報(bào)告包括CISPR 25 5級(jí)傳導(dǎo)和輻射設(shè)置的完整數(shù)據(jù)。
此外，TI可以在內(nèi)部執(zhí)行系統(tǒng)級(jí)EMI建模和測(cè)量，以幫助您驗(yàn)證EMI性能并加快循環(huán)時(shí)間。
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深圳市特克電子技術(shù)有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及客戶資源，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是最好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市特克電子供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái)，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！