UCC2808ADTR-2G4穩(wěn)壓IC

來源： 發(fā)布時間：2023-05-21

數(shù)據(jù)表SMPS設(shè)備評估模塊中公布的傳導(dǎo)和輻射EMI結(jié)果根據(jù)**嚴格的工業(yè)和汽車EMI標準進行測試，數(shù)據(jù)表中公布的結(jié)果有助于您提前了解設(shè)備的EMI性能。您可以通過單擊設(shè)備數(shù)據(jù)表第一頁上的“針對**EMI要求進行了優(yōu)化”來訪問詳細的EMI報告。LM62440-Q1數(shù)據(jù)表中的EMI報告包括CISPR 25 5級傳導(dǎo)和輻射設(shè)置的完整數(shù)據(jù)。
此外，TI可以在內(nèi)部執(zhí)行系統(tǒng)級EMI建模和測量，以幫助您驗證EMI性能并加快循環(huán)時間。
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穩(wěn)壓IC-電源發(fā)展趨勢

功率密度功率更大，布板空間更小。

TI的高功率密度器件產(chǎn)品系列的設(shè)計亮點在于采用了SWIFT?降壓穩(wěn)壓器系列，在緊湊的熱增強型封裝中提供高性能功能集和高輸出電流功能。高密度開關(guān)穩(wěn)壓器是為FPGA和處理器等高電流數(shù)字負載供電的理想選擇。使用我們的處理器連接工具，查找可優(yōu)化FPGA或處理器的合適產(chǎn)品。低EMI降低開關(guān)穩(wěn)壓器的EMI可能是許多電源設(shè)計人員面臨的一項主要挑戰(zhàn)。采用內(nèi)置EMI消減技術(shù)的器件不僅能縮短設(shè)計時間，還有助于符合CISPR255類等嚴苛標準。


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EMI建模能力
對任何電路進行建模都是早期評估設(shè)計性能的重要方法，因此在縮短設(shè)計周期方面起著關(guān)鍵作用。
EMI建模是一個復(fù)雜的過程，涉及PCB的時域電路分析和頻域電磁仿真。
通過減少設(shè)計迭代次數(shù)，對EMI發(fā)射進行建模可以更快速地滿足EMI標準限制。
讓我們回顧一下可用于建模EMI的一些選項。
使用WEBENCH®設(shè)計工具進行低頻EMI設(shè)計
WEBENCH輸入濾波器設(shè)計工具可幫助您自動設(shè)計適當?shù)妮斎霝V波器，以減輕符合CISPR 32和CISPR 25等標準的低頻（<30 MHz）傳導(dǎo)EMI噪聲。該工具優(yōu)化過濾器大小，同時確保設(shè)計符合特定標準。在設(shè)計濾波器時，保證了濾波器的穩(wěn)定性和變換器回路的穩(wěn)定性。此在線工具支持100多個TI power設(shè)備。
讓輸入EMI濾波器電感器保持無阻尼狀態(tài)是一個常見的錯誤，這會對總體設(shè)計穩(wěn)定性產(chǎn)生負面影響。WEBENCH設(shè)計工具對輸入濾波器和開關(guān)電源進行阻抗分析（如下圖23所示），并建議適當?shù)淖枘峤M件以確保穩(wěn)定性。

穩(wěn)壓IC-開放式機架PTH08T2xx“T2”電源模塊高電流模塊，

用于需要高達50A的應(yīng)用。

?高達50A的高輸出電流

?渦輪變速器?可調(diào)瞬態(tài)響應(yīng)特性

?均流（50-A版本）

穩(wěn)壓IC-QFN電源模塊易于使用的高功率密度模塊，

適用于占地面積小的應(yīng)用。

?輸入電壓范圍：2.95至60V

?輸出電流高達30A

?功能豐富靈活

?只需要三個外部組件

穩(wěn)壓IC-帶導(dǎo)線的SIMPLESWITCHER®模塊易于使用的模塊，

適用于需要高達42V輸入電壓的應(yīng)用。

?單個外露底部

?支持5-V、12-V和24-V導(dǎo)軌


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德州儀器 穩(wěn)壓IC技術(shù)專題

圖13顯示了在400 kHz開關(guān)頻率下運行的buck變換器的EMI測量結(jié)果，比較了有源和無源EMI濾波方法。為了有效滿足CISPR 25 5級頻譜屏蔽，無源EMI濾波器需要一個3.3μH的DM電感和一個10μF的DM電容。有源濾波方法可以通過*1μH的DM電感器以及100 nF的傳感和注入電容實現(xiàn)相同的有效衰減。這有助于將無源濾波器的大小和體積分別減小到原始值的43%和27%。對于更大電流的轉(zhuǎn)換器，可以通過降低電感直流電阻來獲得成本和效率方面的進一步好處。 特克電子十年IC代理，經(jīng)營德州儀器穩(wěn)壓IC，專業(yè)產(chǎn)品顧問為您服務(wù)！LM5175PWPT穩(wěn)壓IC

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取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題

與非隔離變流器不同，隔離邊界上的額外發(fā)射路徑是隔離變流器***模（CM）EMI的關(guān)鍵原因。下頁的圖14顯示了標準反激變換器中隔離變壓器上存在的寄生電容。CM電流可通過與每個開關(guān)節(jié)點相關(guān)的寄生電容直接從一次側(cè)流向接地。由于繞組之間的寄生電容，CM電流也從初級流向次級，導(dǎo)致測量的CM EMI增加。按照慣例，您可以通過在輸入功率路徑中使用大型CM扼流圈來衰減這種額外干擾。

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