顯微微光顯微鏡成像儀

芯片制造工藝復(fù)雜精密，從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的每一個(gè)環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測(cè)試流程的重要一環(huán)，是攔截不合格產(chǎn)品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測(cè)技術(shù)，能夠捕捉到芯片內(nèi)部因漏電、熱失控等故障產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號(hào)，定位微米級(jí)甚至納米級(jí)的缺陷。這種檢測(cè)能力，能幫助企業(yè)快速鎖定問題所在 —— 無論是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的邏輯漏洞，還是制造過程中的材料雜質(zhì)、工藝偏差，都能被及時(shí)發(fā)現(xiàn)。這意味著企業(yè)可以針對(duì)性地優(yōu)化生產(chǎn)工藝、改進(jìn)設(shè)計(jì)方案，從而提升芯片良率。在當(dāng)前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)成本的降低，讓企業(yè)在價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)更有利的位置。微光顯微鏡的快速預(yù)熱功能，可縮短設(shè)備啟動(dòng)至正常工作的時(shí)間，提高檢測(cè)效率。顯微微光顯微鏡成像儀

在故障分析領(lǐng)域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實(shí)用價(jià)值且效率出眾的分析工具。其功能是探測(cè)集成電路（IC）內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對(duì)（ElectronHolePairs,EHP）的復(fù)合過程會(huì)伴隨光子（Photon）的釋放。具體可舉例說明：當(dāng)P-N結(jié)施加偏壓時(shí)，N區(qū)的電子會(huì)向P區(qū)擴(kuò)散，同時(shí)P區(qū)的空穴也會(huì)向N區(qū)擴(kuò)散，隨后這些擴(kuò)散的載流子會(huì)與對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子（即擴(kuò)散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴(kuò)散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子）發(fā)生EHP復(fù)合，并在此過程中釋放光子。非制冷微光顯微鏡哪家好電路驗(yàn)證中出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)及漏電，微光顯微鏡可定位位置，為電路設(shè)計(jì)優(yōu)化提供依據(jù)，保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

可探測(cè)到亮點(diǎn)的情況

一、由缺陷導(dǎo)致的亮點(diǎn)結(jié)漏電（Junction Leakage）接觸毛刺（Contact Spiking）熱電子效應(yīng)（Hot Electrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶須（Poly-silicon Filaments）襯底損傷（Substrate Damage）物理損傷（Mechanical Damage）等。

二、器件本身固有的亮點(diǎn)飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管（Saturated/Active Bipolar Transistors）飽和狀態(tài)的 MOS 管 / 動(dòng)態(tài) CMOS（Saturated MOS/Dynamic CMOS）正向偏置二極管 / 反向偏置二極管（擊穿狀態(tài)）（Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown)）等。

致晟光電始終以客戶需求為重心，兼顧貨源保障方面。目前，我們有現(xiàn)貨儲(chǔ)備，設(shè)備及相關(guān)配件一應(yīng)俱全，能夠快速響應(yīng)不同行業(yè)、不同規(guī)模客戶的采購(gòu)需求。無論是緊急補(bǔ)購(gòu)的小型訂單，還是批量采購(gòu)的大型項(xiàng)目，都能憑借充足的貨源實(shí)現(xiàn)高效交付，讓您無需為設(shè)備短缺而擔(dān)憂，確保生產(chǎn)計(jì)劃或項(xiàng)目推進(jìn)不受影響。

為了讓客戶對(duì)設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解，我們大力支持現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)貨。您可以親臨我們的倉庫或展示區(qū)，近距離觀察設(shè)備的外觀細(xì)節(jié)，親身操作查驗(yàn)設(shè)備的運(yùn)行性能、精度等關(guān)鍵指標(biāo)。每一臺(tái)設(shè)備都經(jīng)過嚴(yán)格的出廠檢測(cè)，我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前，讓您在采購(gòu)前就能對(duì)設(shè)備的實(shí)際狀況了然于胸，消除后顧之憂。 氧化層漏電及多晶硅晶須引發(fā)電流異常時(shí)，會(huì)產(chǎn)生光子，使微光顯微鏡下出現(xiàn)亮點(diǎn)。

半導(dǎo)體材料分為直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體，而Si是典型的直接帶隙半導(dǎo)體，其禁帶寬度為1.12eV。所以當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)，電子會(huì)彈射出一個(gè)光子，該光子的能量為1.12eV，根據(jù)波粒二象性原理，該光子的波長(zhǎng)為1100nm，屬于紅外光區(qū)。通俗的講就是當(dāng)載流子進(jìn)行復(fù)合的時(shí)候就會(huì)產(chǎn)生1100nm的紅外光。這也就是產(chǎn)生亮點(diǎn)的原因之一：載流子復(fù)合。所以正偏二極管的PN結(jié)處能看到亮點(diǎn)。如果MOS管產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象，（體寄生三極管導(dǎo)通）也會(huì)觀察到在襯底處產(chǎn)生熒光亮點(diǎn)。為提升微光顯微鏡探測(cè)力，我司多種光學(xué)物鏡可選，用戶可依樣品工藝與結(jié)構(gòu)選裝，滿足不同微光探測(cè)需求。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡規(guī)格尺寸

熱電子與晶格相互作用及閂鎖效應(yīng)發(fā)生時(shí)也會(huì)產(chǎn)生光子，在顯微鏡下呈現(xiàn)亮點(diǎn)。顯微微光顯微鏡成像儀

致晟光電 RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是一款專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測(cè)量身打造的高精度檢測(cè)設(shè)備。該系統(tǒng)搭載先進(jìn)的 - 80℃制冷型 InGaAs 探測(cè)器與高分辨率顯微物鏡，憑借超高檢測(cè)靈敏度，可捕捉器件在微弱漏電流信號(hào)下產(chǎn)生的極微弱微光。通過超高靈敏度成像技術(shù)，設(shè)備能快速定位漏電缺陷并開展深度分析，為工程師優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性提供關(guān)鍵支持，進(jìn)而為半導(dǎo)體器件的質(zhì)量控制與失效分析環(huán)節(jié)提供安全可靠的解決方案。顯微微光顯微鏡成像儀