顯微微光顯微鏡成像儀

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-29

同時(shí),我們誠摯歡迎各位客戶蒞臨蘇州實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行深入交流。在這里,我們的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)將為您詳細(xì)演示微光顯微鏡、熱紅外顯微鏡的全套操作流程,從基礎(chǔ)功能到高級應(yīng)用,一一講解其中的技術(shù)原理與操作技巧。針對您在設(shè)備選型、使用場景、技術(shù)參數(shù)等方面的疑問,我們也會給予細(xì)致入微的解答,讓您對失效分析領(lǐng)域掌握設(shè)備優(yōu)勢與適用范圍。

這種面對面的深度溝通,旨在讓合作過程更加透明,讓您對我們的產(chǎn)品與服務(wù)更有信心,合作也更顯安心。 其搭載的圖像增強(qiáng)算法,能強(qiáng)化微弱光子信號,減少噪聲干擾,使故障點(diǎn)成像更鮮明,便于識別。顯微微光顯微鏡成像儀

顯微微光顯微鏡成像儀,微光顯微鏡

企業(yè)用戶何如去采購適合自己的設(shè)備?

功能側(cè)重的差異,讓它們在芯片檢測中各司其職。微光顯微鏡的 “專長” 是識別電致發(fā)光缺陷,對于邏輯芯片、存儲芯片等高密度集成電路中常見的 PN 結(jié)漏電、柵氧擊穿、互連缺陷等細(xì)微電性能問題,它能提供的位置信息,是芯片失效分析中定位 “電故障” 的工具。

例如,在 7nm 以下先進(jìn)制程芯片的檢測中,其高靈敏度可捕捉到單個(gè)晶體管異常產(chǎn)生的微弱信號,為工藝優(yōu)化提供關(guān)鍵依據(jù)。

熱紅外顯微鏡則更關(guān)注 “熱失控” 風(fēng)險(xiǎn),在功率半導(dǎo)體、IGBT 等大功率器件的檢測中表現(xiàn)突出。這類芯片工作時(shí)功耗較高,散熱性能直接影響可靠性,短路、散熱通道堵塞等問題會導(dǎo)致局部溫度驟升,熱紅外顯微鏡能快速生成熱分布圖譜,直觀呈現(xiàn)熱點(diǎn)位置與溫度梯度,幫助工程師判斷散熱設(shè)計(jì)缺陷或電路短路點(diǎn)。在汽車電子等對安全性要求極高的領(lǐng)域,這種對熱異常的敏銳捕捉,是預(yù)防芯片失效引發(fā)安全事故的重要保障。



無損微光顯微鏡訂制價(jià)格在航空航天芯片檢測中,它可定位因輻射導(dǎo)致的芯片損傷,為航天器電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行保駕護(hù)航。

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這一技術(shù)不僅有助于快速定位漏電根源(如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結(jié)邊緣缺陷等),更能在芯片量產(chǎn)階段實(shí)現(xiàn)潛在漏電問題的早期篩查,為采取針對性修復(fù)措施(如優(yōu)化工藝參數(shù)、改進(jìn)封裝設(shè)計(jì))提供依據(jù),從而提升芯片的長期可靠性。例如,某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的EMMI抽檢中,發(fā)現(xiàn)部分芯片的邊角區(qū)域存在持續(xù)穩(wěn)定的微弱光信號。結(jié)合芯片的版圖設(shè)計(jì)與工藝參數(shù)分析,確認(rèn)該區(qū)域的NMOS晶體管因柵氧層局部厚度不足導(dǎo)致漏電。技術(shù)團(tuán)隊(duì)據(jù)此對這批次芯片進(jìn)行篩選,剔除了存在漏電隱患的產(chǎn)品,有效避免了缺陷芯片流入市場后可能引發(fā)的設(shè)備功耗異常、發(fā)熱甚至燒毀等風(fēng)險(xiǎn)。

光束誘導(dǎo)電阻變化(OBIRCH)功能與微光顯微鏡(EMMI)技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng),合稱為光發(fā)射顯微鏡(PEM,PhotoEmissionMicroscope)。


二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ),能夠協(xié)同應(yīng)對集成電路中絕大多數(shù)失效模式,大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢在于,即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”,其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。


為提升微光顯微鏡探測力,我司多種光學(xué)物鏡可選,用戶可依樣品工藝與結(jié)構(gòu)選裝,滿足不同微光探測需求。

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需要失效分析檢測樣品,我們一般會在提前做好前期的失效背景調(diào)查和電性能驗(yàn)證工作,能夠?yàn)檎麄€(gè)失效分析過程找準(zhǔn)方向、提供依據(jù),從而更高效、準(zhǔn)確地找出芯片失效的原因。

1.失效背景調(diào)查收集芯片型號、應(yīng)用場景、失效模式(如短路、漏電、功能異常等)、失效比例、使用環(huán)境(溫度、濕度、電壓)等。確認(rèn)失效是否可復(fù)現(xiàn),區(qū)分設(shè)計(jì)缺陷、制程問題或應(yīng)用不當(dāng)(如過壓、ESD)。

2.電性能驗(yàn)證使用自動(dòng)測試設(shè)備(ATE)或探針臺(ProbeStation)復(fù)現(xiàn)失效,記錄關(guān)鍵參數(shù)(如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移)。對比良品與失效芯片的電特性差異,縮小失效區(qū)域(如特定功能模塊)。 氧化層漏電及多晶硅晶須引發(fā)電流異常時(shí),會產(chǎn)生光子,使微光顯微鏡下出現(xiàn)亮點(diǎn)。檢測用微光顯微鏡設(shè)備制造

微光顯微鏡的自動(dòng)瑕疵分類系統(tǒng),可依據(jù)發(fā)光的強(qiáng)度、形狀等特征進(jìn)行歸類,提高檢測報(bào)告的生成效率。顯微微光顯微鏡成像儀

考慮到部分客戶的特殊應(yīng)用場景,我們還提供Thermal&EMMI的個(gè)性化定制服務(wù)。無論是設(shè)備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化,還是外觀結(jié)構(gòu)適配,我們都能根據(jù)您的具體需求進(jìn)行專屬設(shè)計(jì)與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和成熟的生產(chǎn)體系,定制項(xiàng)目通常在 2-3 個(gè)月內(nèi)即可完成交付,在保證定制靈活性的同時(shí),充分兼顧了交付效率,讓您的特殊需求得到及時(shí)且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務(wù),期待與您攜手共進(jìn),共創(chuàng)佳績。顯微微光顯微鏡成像儀