紅外光譜微光顯微鏡設(shè)備制造

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進(jìn)制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進(jìn)制程產(chǎn)品中的亮點(diǎn)和熱點(diǎn)（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性，但I(xiàn)nGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢：

1.偵測到缺陷所需時間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10；

2.能夠偵測到微弱電流及先進(jìn)制程中的缺陷；

3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷；

4.針對芯片背面（Back-Side）的定位分析中，紅外光對硅基板具有較高的穿透率。 微光顯微鏡能檢測半導(dǎo)體器件微小缺陷和失效點(diǎn)，及時發(fā)現(xiàn)隱患，保障設(shè)備可靠運(yùn)行、提升通信質(zhì)量。紅外光譜微光顯微鏡設(shè)備制造

選擇國產(chǎn) EMMI 微光顯微鏡，既是擁抱技術(shù)自主，更是搶占效率與成本的雙重優(yōu)勢！致晟光電全本土化研發(fā)實(shí)力，與南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院深度攜手，致力于光電技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，充分發(fā)揮其科研優(yōu)勢，構(gòu)建起產(chǎn)學(xué)研深度融合的技術(shù)研發(fā)體系。

憑借這一堅(jiān)實(shí)后盾，我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實(shí)現(xiàn)更佳突破：-80℃制冷型探測器搭配高分辨率物鏡，輕松捕捉極微弱漏電流光子信號，漏電缺陷定位精度與國際設(shè)備同步，讓每一個細(xì)微失效點(diǎn)無所遁形。 國產(chǎn)微光顯微鏡范圍其低噪聲電纜連接設(shè)計(jì)，減少信號傳輸過程中的損耗，確保微弱光子信號完整傳遞至探測器。

例如，當(dāng)某批芯片在測試中發(fā)現(xiàn)漏電失效時，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續(xù)通過聚焦離子束（FIB）切割進(jìn)行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵前提。可以說，我們的設(shè)備是半導(dǎo)體行業(yè)失效分析中定位失效點(diǎn)的工具，其的探測能力和高效的分析效率，為后續(xù)問題的解決奠定了不可或缺的基礎(chǔ)。

在芯片研發(fā)階段，它能幫助研發(fā)人員快速鎖定設(shè)計(jì)或工藝中的隱患，避免資源的無效投入；在量產(chǎn)過程中，它能及時發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭，為生產(chǎn)線調(diào)整爭取寶貴時間，降低損失；在產(chǎn)品應(yīng)用端，它能為可靠性問題的排查提供方向，助力企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場口碑。無論是先進(jìn)制程的芯片研發(fā)，還是成熟工藝的量產(chǎn)檢測，我們的設(shè)備都以其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，成為失效分析流程中無法替代的關(guān)鍵一環(huán)，為半導(dǎo)體企業(yè)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)和技術(shù)升級提供有力支撐。

失效分析是指通過系統(tǒng)的檢測、實(shí)驗(yàn)和分析手段，探究產(chǎn)品或器件在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、使用過程中出現(xiàn)故障、性能異常或失效的根本原因，進(jìn)而提出改進(jìn)措施以預(yù)防同類問題再次發(fā)生的技術(shù)過程。它是連接產(chǎn)品問題與解決方案的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，**在于精細(xì)定位失效根源，而非*關(guān)注表面現(xiàn)象。在半導(dǎo)體行業(yè)，失效分析具有不可替代的應(yīng)用價值，貫穿于芯片從研發(fā)到量產(chǎn)的全生命周期。

在研發(fā)階段，針對原型芯片的失效問題（如邏輯錯誤、漏電、功耗過高等），通過微光顯微鏡、探針臺等設(shè)備進(jìn)行失效點(diǎn)定位，結(jié)合電路仿真、材料分析等手段，可追溯至設(shè)計(jì)缺陷（如布局不合理、時序錯誤）或工藝參數(shù)偏差，為芯片設(shè)計(jì)優(yōu)化提供直接依據(jù)；在量產(chǎn)環(huán)節(jié)，當(dāng)出現(xiàn)批量性失效時，失效分析能快速判斷是光刻、蝕刻等制程工藝的穩(wěn)定性問題，還是原材料（如晶圓、光刻膠）的質(zhì)量波動，幫助生產(chǎn)線及時調(diào)整參數(shù)，降低報(bào)廢率；在應(yīng)用端，針對芯片在終端設(shè)備（如手機(jī)、汽車電子）中出現(xiàn)的可靠性失效（如高溫環(huán)境下性能衰減、長期使用后的老化失效），通過環(huán)境模擬測試、失效機(jī)理分析，可推動芯片在封裝設(shè)計(jì)、材料選擇上的改進(jìn)，提升產(chǎn)品在復(fù)雜工況下的穩(wěn)定性。 晶體管和二極管短路或漏電時，微光顯微鏡依其光子信號判斷故障類型與位置，利于排查電路故障。

InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處，均依賴于電子-空穴對復(fù)合產(chǎn)生的光子及熱載流子作為探測信號源。然而，InGaAs微光顯微鏡相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，呈現(xiàn)出更高的探測靈敏度，并且其探測波長范圍擴(kuò)展至900nm至1700nm，而傳統(tǒng)微光顯微鏡的探測波長范圍限于350nm至1100nm。這一特性使得InGaAs微光顯微鏡具備更更好的波長檢測能力，從而拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。進(jìn)一步而言，InGaAs微光顯微鏡的這一優(yōu)勢使其在多個科研與工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特價值。在半導(dǎo)體材料研究中，InGaAs微光顯微鏡能夠探測到更長的波長，這對于分析材料的缺陷、雜質(zhì)以及能帶結(jié)構(gòu)等方面具有重要意義。但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時，產(chǎn)生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵測到，借助近紅外光進(jìn)行檢測。。國產(chǎn)微光顯微鏡范圍

紅外成像可以不破壞芯片封裝，嘗試定位未開封芯片失效點(diǎn)并區(qū)分其在封裝還是 Die 內(nèi)部，利于評估芯片質(zhì)量。紅外光譜微光顯微鏡設(shè)備制造

半導(dǎo)體企業(yè)購入微光顯微鏡設(shè)備，是提升自身競爭力的關(guān)鍵舉措，原因在于芯片測試需要找到問題點(diǎn) —— 失效分析。失效分析能定位芯片設(shè)計(jì)缺陷、制造瑕疵或可靠性問題，直接決定產(chǎn)品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力，可捕捉芯片內(nèi)部微弱發(fā)光信號，高效識別漏電、熱失控等隱性故障，為優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升芯片性能提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場競爭中，快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本，同時通過提升產(chǎn)品可靠性鞏固客戶信任，這正是半導(dǎo)體企業(yè)在技術(shù)迭代與市場爭奪中保持優(yōu)勢的邏輯。紅外光譜微光顯微鏡設(shè)備制造