選擇紅熱外顯微鏡(Thermal EMMI)品牌選擇方面,濱松等國際品牌技術成熟,但設備及維護成本高昂;國產(chǎn)廠商如致晟光電等,則在性價比和本地化服務上具備優(yōu)勢,例如其 RTTLIT 系統(tǒng)兼顧高精度檢測與多模態(tài)分析。預算規(guī)劃上,需求(>500 萬元)可優(yōu)先考慮進口設備,中端(200-500 萬元)和基礎需求(<200 萬元)場景下,國產(chǎn)設備是更經(jīng)濟的選擇。此外,設備的可升級性、售后響應速度同樣重要,建議通過樣品實測驗證設備的定位精度、靈敏度及軟件功能,并關注量子點探測器、AI 集成等前沿技術趨勢,從而選定契合自身需求的比較好設備方案。半導體芯片內(nèi)部缺陷定位是工藝優(yōu)化與失效分析的關鍵技術基礎?;輥頍峒t外顯微鏡
近年來,非制冷熱紅外顯微鏡價格呈下行趨勢。在技術進步層面,國內(nèi)紅外焦平面陣列芯片技術不斷突破,像元間距縮小、陣列規(guī)模擴大,從早期的 17μm、384×288 發(fā)展到如今主流的 12μm 像元,1280 ×1 024、1920 × 1080 陣列規(guī)模實現(xiàn)量產(chǎn),如大立科技等企業(yè)推動技術升級,提升生產(chǎn)效率,降低單臺設備成本。同時,國產(chǎn)化進程加速,多家本土廠商崛起,如我司推出非制冷型鎖相紅外顯微鏡,打破進口壟斷格局,市場競爭加劇,促使產(chǎn)品價格更加親民。國產(chǎn)熱紅外顯微鏡牌子評估 PCB 走線布局、過孔設計對熱分布的影響,指導散熱片、導熱膠的選型與 placement。
在失效分析的有損分析中,打開封裝是常見操作,通常有三種方法。全剝離法會將集成電路完全損壞,留下完整的芯片內(nèi)部電路。但這種方法會破壞內(nèi)部電路和引線,導致無法進行電動態(tài)分析,適用于需觀察內(nèi)部電路靜態(tài)結構的場景。局部去除法通過特定手段去除部分封裝,優(yōu)點是開封過程不會損壞內(nèi)部電路和引線,開封后仍可進行電動態(tài)分析,能為失效分析提供更豐富的動態(tài)數(shù)據(jù)。自動法則是利用硫酸噴射實現(xiàn)局部去除,自動化操作可提高效率和精度,不過同樣屬于破壞性處理,會對樣品造成一定程度的損傷。
致晟光電熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)系列中的 RTTLIT P20 實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng),采用鎖相熱成像(Lock-inThermography)技術,通過調(diào)制電信號提升特征分辨率與靈敏度,并結合軟件算法優(yōu)化信噪比,實現(xiàn)顯微成像下超高靈敏度的熱信號測量。RTTLIT P20搭載100Hz高頻深制冷型超高靈敏度顯微熱紅外成像探測器,測溫靈敏度達0.1mK,顯微分辨率低至2μm,具備良好的檢測靈敏度與測試效能。該系統(tǒng)重點應用于對測溫精度和顯微分辨率要求嚴苛的場景,包括半導體器件、晶圓、集成電路、IGBT、功率模塊、第三代半導體、LED及microLED等的失效分析,是電子集成電路與半導體器件失效分析及缺陷定位領域的關鍵工具。分析倒裝芯片(Flip Chip)、3D 封裝(TSV)的層間熱傳導異常,排查焊球陣列、TSV 通孔的熱界面失效。
除了熱輻射,電子設備在出現(xiàn)故障或異常時,還可能伴隨微弱的光發(fā)射增強。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學探測器,如光電倍增管(PMT)或電荷耦合器件(CCD),能夠有效捕捉這些低強度的光信號。這類光發(fā)射通常源自電子在半導體材料中發(fā)生的能級躍遷、載流子復合或其他物理過程。通過對光發(fā)射信號的成像和分析,熱紅外顯微鏡不僅能夠進一步驗證熱點區(qū)域的存在,還可輔助判斷異常的具體機制,為故障定位和性能評估提供更精確的信息。熱紅外顯微鏡通過納秒級瞬態(tài)熱捕捉,揭示高速芯片開關過程的瞬態(tài)熱失效機理。檢測用熱紅外顯微鏡哪家好
熱紅外顯微鏡支持芯片、電路板等多類電子元件熱檢測?;輥頍峒t外顯微鏡
半導體制程已逐步進入 3 納米及更先進階段,芯片內(nèi)部結構日趨密集,供電電壓也持續(xù)降低,這使得微觀熱行為對器件性能的影響變得更為明顯。致晟光電熱紅外顯微鏡是在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡基礎上,經(jīng)迭代進化而成的精密工具。在先進制程研發(fā)中,它在應對熱難題方面能提供一定支持,在芯片設計驗證、失效排查以及性能優(yōu)化等環(huán)節(jié),都能發(fā)揮相應的作用。其通過不斷優(yōu)化的技術,適應了先進制程下對微觀熱信號檢測的需求,為相關研發(fā)工作提供了有助于分析和解決問題的熱分布信息,助力研發(fā)人員更好地推進芯片相關的研究與改進工作。
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