24AA02E64T-E/OT存儲器可編程

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-08-27

存儲器的分類1、按存儲介質(zhì)分(1)半導(dǎo)體存儲器:用半導(dǎo)體器件組成的存儲器。U盤是半導(dǎo)體存儲器,U盤內(nèi)集成的是Flash芯片,存儲介質(zhì)為半導(dǎo)體。(2)磁表面存儲器:用磁性材料做成的存儲器。2、按存儲方式分(1)隨機(jī)存儲器:任何存儲單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取,且存取時(shí)間和存儲單元的物理位置無關(guān)。(2)順序存儲器:只能按某種順序來存取,存取時(shí)間和存儲單元的物理位置有關(guān)。3、按存儲器的讀寫功能分(1)只讀存儲器(ROM):存儲的內(nèi)容是固定不變的,只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲器。(2)隨機(jī)讀寫存儲器(RAM):既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲器。存儲器的操作方法是什么?24AA02E64T-E/OT存儲器可編程

構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中更小的存儲單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲元,它可存儲一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲元組成一個(gè)存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個(gè)存儲器。根據(jù)存儲材料的性能及使用方法的不同,存儲器有幾種不同的分類方法。  1.按存儲介質(zhì)分類半導(dǎo)體存儲器:用半導(dǎo)體器件組成的存儲器。 磁表面存儲器:用磁性材料做成的存儲器。 2.按存儲方式分類隨機(jī)存儲器:任何存儲單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取,且存取時(shí)間和存儲單元的物理位置無關(guān)。 順序存儲器:只能按某種順序來存取,存取時(shí)間與存儲單元的物理位置有關(guān)。24AA02E64T-E/OT存儲器可編程存儲器能夠存儲許多我們記不住的東西。

存儲管理要實(shí)現(xiàn)的目的是為用戶提供方便、安全和充分大的存儲空間。方便是指將邏輯地址和物理地址分開,用戶只在各自的邏輯地址空間編寫程序,不必過問物理空間和物理地址的細(xì)節(jié),地址的轉(zhuǎn)換由操作系統(tǒng)自動(dòng)完成;安全是指同時(shí)駐留在內(nèi)存的多個(gè)用戶進(jìn)程相互之間不會發(fā)生干擾,也不會訪問操作系統(tǒng)所占有的空間;充分大的存儲空間是指利用虛擬存儲技術(shù),從邏輯上對內(nèi)存空間進(jìn)行擴(kuò)充,從而可以使用戶在較小的內(nèi)存里運(yùn)行較大的程序,為客戶提供了更加完好的體驗(yàn)。

SRAM存儲器StaticRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器:是一種可以靜態(tài)存儲數(shù)據(jù)的存儲器,靜態(tài)是指不需要刷新電路就可以保存數(shù)據(jù)。SRAM是用觸發(fā)器作為存儲元,觸發(fā)器只要直流電源一直加在記憶電路上,就會一直保持0或1的狀態(tài),電源斷電就會失去記憶,也就是說當(dāng)供電時(shí)SRAM可以存儲數(shù)據(jù),但是一旦斷電存儲的數(shù)據(jù)就會消失。SRAM有三組信號線與外部連接:·地址線地址線的條數(shù)n的數(shù)量指定了存儲器的容量為2^n個(gè)存儲單元。·數(shù)據(jù)線n條數(shù)據(jù)線指定了存儲器的存儲字長為n位。·控制線控制線控制存儲器是進(jìn)行讀操作(高電平)還是寫操作(低電平)。·SRAM采用雙譯碼方式,以便組織更大的存儲容量。在市場上,好的存儲器應(yīng)該具有什么特質(zhì)?

任何存儲芯片的存儲容量都是有限的。要構(gòu)成一定容量的內(nèi)存,單個(gè)芯片往往不能滿足字長或存儲單元個(gè)數(shù)的要求,甚至字長和存儲單元數(shù)都不能滿足要求。這時(shí),就需要用多個(gè)存儲芯片進(jìn)行組合,以滿足對存儲容量的需求,這種組合就稱為存儲器的擴(kuò)展。存儲器擴(kuò)展時(shí)要解決的問題主要包括位擴(kuò)展、字?jǐn)U展和字位擴(kuò)展。異步SRAM的接口是一種非常典型的半導(dǎo)體存儲芯片接口,掌握了它的接口設(shè)計(jì)方法就意味著掌握了一系列半導(dǎo)體存儲芯片接口的設(shè)計(jì)方法(包括 NoR Flash、E2PROM等),同時(shí)也為學(xué)習(xí)其他半導(dǎo)體存儲芯片的接口設(shè)計(jì)打下了基礎(chǔ)。本節(jié)以異步SRAM的接口為例,介紹半導(dǎo)體存儲芯片接口設(shè)計(jì)的基本方法與原則。存儲器的相關(guān)知識有什么?重慶24AA02E48T-I/OT存儲器只讀存儲

存儲器的優(yōu)勢是體積小,易攜帶。24AA02E64T-E/OT存儲器可編程

存儲器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和更終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中更小的存儲單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲元,它可存儲一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲元組成一個(gè)存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個(gè)存儲器。一個(gè)存儲器包含許多存儲單元,每個(gè)存儲單元可存放一個(gè)字節(jié)。每個(gè)存儲單元的位置都有一個(gè)編號,即地址,一般用十六進(jìn)制表示。一個(gè)存儲器中所有存儲單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲容量。假設(shè)一個(gè)存儲器的地址碼由20位二進(jìn)制數(shù)(即5位十六進(jìn)制數(shù))組成,則可表示220,即1M個(gè)存儲單元地址。每個(gè)存儲單元存放一個(gè)字節(jié),則該存儲器的存儲容量為1KB。24AA02E64T-E/OT存儲器可編程

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