線性穩(wěn)壓器使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或 FET,從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。所謂壓降電壓,是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的較小值。正輸出電壓的 LDO(低壓降)穩(wěn)壓器通常使...
2、鍵型二極管鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細(xì)絲而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二極管和合金型二極管之間。與點(diǎn)接觸型相比較,雖然鍵型二極管的 PN 結(jié)電容量稍有增加,但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用,有時(shí)也被應(yīng)用于檢波和電源整流(不大于 50mA)。在鍵型...
濾波從理論上(即假設(shè)電容為純電容)說,電容越大,阻抗越小,通過的頻率也越高。但實(shí)際上超過1μF的電容大多為電解電容,有很大的電感成份,所以頻率高后反而阻抗會增大。有時(shí)會看到有一個電容量較大電解電容并聯(lián)了一個小電容,這時(shí)大電容濾低頻,小電容濾高頻。電容的作用就是...
6、放大用二極管用二極管放大,有依靠隧道二極管和體效應(yīng)二極管那樣的負(fù)阻性器件的放大,以及用變?nèi)荻O管的參量放大。因此,放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應(yīng)二極管和變?nèi)荻O管。7、開關(guān)用二極管有在小電流下(10mA 程度)使用的邏輯運(yùn)算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯...
6、放大用二極管用二極管放大,有依靠隧道二極管和體效應(yīng)二極管那樣的負(fù)阻性器件的放大,以及用變?nèi)荻O管的參量放大。因此,放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應(yīng)二極管和變?nèi)荻O管。7、開關(guān)用二極管有在小電流下(10mA 程度)使用的邏輯運(yùn)算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯...
1N4007的正向壓降為1.0V、較大正向平均整流電流為1.0A、較高反向耐壓為1000V、A105J2ZQ004反向漏電流為5 p,A(較大值)、較大反向峰值電流為30pA,正向壓降是指使二極管能夠?qū)ǖ恼蜉^低電壓,1N4007是一種硅材料整流二極管,在小...
誤差放大器輸出電壓通過一個電流放大器驅(qū)動串聯(lián)功率晶體管的基極。當(dāng)輸入VBUS電壓下降或負(fù)載電流增大時(shí),VCC輸出電壓下降。反饋電壓VFB也將下降。因此,反饋誤差放大器和電流放大器產(chǎn)生更多的電流并輸入晶體管Q1的基極。這將減小電壓降 VCE,因而使VCC輸出電壓...
7、合金擴(kuò)散型二極管它是合金型的一種。合金材料是容易被擴(kuò)散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地?fù)脚潆s質(zhì),就能與合金一起過擴(kuò)散,以便在已經(jīng)形成的 PN 結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當(dāng)?shù)臐舛确植?。此法適用于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。8、外延型二極管用外延面長的過程制造 PN 結(jié)...
15、肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為 N 型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的...
什么是線性穩(wěn)壓電源?線性穩(wěn)壓電源工作原理是什么?根據(jù)調(diào)整管的工作狀態(tài),我們常把穩(wěn)壓電源分成兩類:線性穩(wěn)壓電源和開關(guān)穩(wěn)壓電源。此外,還有一種使用穩(wěn)壓管的小電源。這里說的線性穩(wěn)壓電源,是指調(diào)整管工作在線性狀態(tài)下的直流穩(wěn)壓電源。調(diào)整管工作在線性狀態(tài)下,可這么來理解:...
二極管的特性與應(yīng)用幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導(dǎo)體二極管,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生較早的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用也非常擴(kuò)大。二極管的應(yīng)用1、整流二極管利用二極管單向?qū)щ娦?,可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。2、開關(guān)元件二...
開關(guān)電源中常用,快速恢復(fù)整流二極管、超快速恢復(fù)整流二極管、肖特基整流二極管特點(diǎn):正向壓降低、快速恢復(fù)的特點(diǎn),輸出功率較大快速恢復(fù)和超快恢復(fù)整流二極管具有適中的和較高的正向電壓降,壓降范圍大約是0.8~1.2V。這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù)。主要在小...
8、外延型二極管用外延面長的過程制造 PN 結(jié)而形成的二極管。制造時(shí)需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布,故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。9、肖特基二極管基本原理是:在金屬(例如鉛)和半導(dǎo)體(N 型硅片)的接觸面上,用已形成的肖特基來阻擋反...
穩(wěn)幅電容:在鑒頻器中,用于穩(wěn)定輸出信號的幅度。預(yù)加重電容:為了避免音頻調(diào)制信號在處理過程中造成對分頻量衰減和丟失,而設(shè)置的RC高頻分量提升網(wǎng)絡(luò)電容。移相電容:用于改變交流信號相位的電容。反饋電容:跨接于放大器的輸入與輸出端之間,使輸出信號回輸?shù)捷斎攵说碾娙?。?..
由于P溝道FET穩(wěn)壓器具有較低的壓差和接地電流,因此被廣大用于許多電池供電的設(shè)備。該類型穩(wěn)壓器將P溝道FET用作它的旁路元件。這種穩(wěn)壓器的電壓差可以很低,因?yàn)楹苋菀淄ㄟ^調(diào)整FET尺寸將漏-源阻抗調(diào)整到較低值。另一個有用的特性是低的接地電流,因?yàn)镻溝道FET的“...
時(shí)鐘振蕩器是利用了晶體的壓電效應(yīng)制造的,當(dāng)在晶片的兩面上加交變電壓時(shí),晶片會反復(fù)的機(jī)械變形而產(chǎn)生振動,而這種機(jī)械振動又會反過來產(chǎn)生交變電壓。晶體振蕩器,以下簡稱晶振,是利用了晶體的壓電效應(yīng)制造的,當(dāng)在晶片的兩面上加交變電壓時(shí),晶片會反復(fù)的機(jī)械變形而產(chǎn)生振動,而...
如果把整流電路的結(jié)構(gòu)作一些調(diào)整,可以得到一種能充分利用電能的全波整流電路。全波整流電路,可以看作是由兩個半波整流電路組合成的。變壓器次級線圈中間需要引出一個抽頭,把次組線圈分成兩個對稱的繞組,從而引出大小相等但極性相反的兩個電壓e2a 、e2b ,構(gòu)成e2a ...
線性穩(wěn)壓器的作用解析線性穩(wěn)壓器可實(shí)現(xiàn)一個可變電阻器以調(diào)節(jié)輸出電壓線性穩(wěn)壓器作用線性穩(wěn)壓器的突出優(yōu)點(diǎn)是具有較低的成本,較低的噪聲和較低的靜態(tài)電流。它的外面器件也很少,通常只有一兩個旁路電容。新型線性穩(wěn)壓器可達(dá)到以下指標(biāo):30μV 輸出噪聲、60dB PSRR、6...
線性穩(wěn)壓器(Linear Regulator)使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或 FET,從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。其產(chǎn)品均采用小型封裝,具有出色的性能,并且提供熱過載保護(hù)、安全限流等增值特性,關(guān)斷模式還能大幅降低功耗。實(shí)際的線性...
電容(Capacitance)亦稱作“電容量”,是指在給定電位差下自由電荷的儲藏量,記為C,國際單位是法拉(F)。一般來說,電荷在電場中會受力而移動,當(dāng)導(dǎo)體之間有了介質(zhì),則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導(dǎo)體上,造成電荷的累積儲存,儲存的電荷量則稱為電容。電容是...
時(shí)鐘振蕩器是利用了晶體的壓電效應(yīng)制造的,當(dāng)在晶片的兩面上加交變電壓時(shí),晶片會反復(fù)的機(jī)械變形而產(chǎn)生振動,而這種機(jī)械振動又會反過來產(chǎn)生交變電壓。晶體振蕩器,以下簡稱晶振,是利用了晶體的壓電效應(yīng)制造的,當(dāng)在晶片的兩面上加交變電壓時(shí),晶片會反復(fù)的機(jī)械變形而產(chǎn)生振動,而...
1N4007的正向壓降為1.0V、較大正向平均整流電流為1.0A、較高反向耐壓為1000V、A105J2ZQ004反向漏電流為5 p,A(較大值)、較大反向峰值電流為30pA,正向壓降是指使二極管能夠?qū)ǖ恼蜉^低電壓,1N4007是一種硅材料整流二極管,在小...
線性穩(wěn)壓器(Linear Regulator)使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或 FET,從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。其產(chǎn)品均采用小型封裝,具有出色的性能,并且提供熱過載保護(hù)、安全限流等增值特性,關(guān)斷模式還能大幅降低功耗。實(shí)際的線性...
ID---暗電流IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM---發(fā)射極峰值電流IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與基極間反向電流IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM---比較大輸出平均電流IFMP---正向脈沖電流IP---峰點(diǎn)電流Ⅳ-...
開關(guān)電源中常用,快速恢復(fù)整流二極管、超快速恢復(fù)整流二極管、肖特基整流二極管特點(diǎn):正向壓降低、快速恢復(fù)的特點(diǎn),輸出功率較大快速恢復(fù)和超快恢復(fù)整流二極管具有適中的和較高的正向電壓降,壓降范圍大約是0.8~1.2V。這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù)。主要在小...
15、肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為 N 型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的...
去藕電容:去耦電容,是把輸出信號的干擾作為濾除對象,去耦電容相當(dāng)于電池,利用其充放電,使得放大后的信號不會因電流的突變而受干擾。它的容量根據(jù)信號的頻率、抑制波紋程度而定,去藕電容就是起到一個“電池”的作用,滿足驅(qū)動電路電流的變化,避免相互間的耦合干擾。旁路電容...
晶體管的電流放大作用如下圖所示為基本放大電路,為輸入電壓信號,它接入基極-發(fā)射極回路,稱為輸入回路;放大后的信號在集電極-發(fā)射極回路,稱為輸出回路。由于發(fā)射極是兩個回路的公共端,故稱該電路為共射放大電路。晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)射結(jié)正偏且集電結(jié)反向偏...
14、快速關(guān)斷(階躍恢復(fù))二極管 (Step Recovary Diode)它也是一種具有 PN 結(jié)的二極管。其結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)是:在 PN 結(jié)邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū),從而形成“自助電場”。由于 PN 結(jié)在正向偏壓下,以少數(shù)載流子導(dǎo)電,并在 PN 結(jié)附近具有電...
時(shí)鐘振蕩器的原理主要有由電容器和電感器組成的LC回路,通過電場能和磁場能的相互轉(zhuǎn)換產(chǎn)程自由振蕩。要維持振蕩還要有具有正反饋的放大電路,LC振蕩器又分為變壓器耦合式和三點(diǎn)式振蕩器,很多應(yīng)用石英晶體的石英晶體振蕩器,還有用集成運(yùn)放組成的LC振蕩器。由于器件不可能參...