通常，小規(guī)模的ipm的特點(diǎn)在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開關(guān)和驅(qū)動(dòng)ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進(jìn)行散熱。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是將模塊分為兩個(gè)層次。功率半導(dǎo)體在底部，驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽...

三相全波整流橋不需要輸入電源的零線（中性線）。整流橋堆一般用在全波整流電路中。全橋是由6只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，右圖為其外形。全橋的正向電流有5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值（比較高反向電壓）有50V、...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

（3）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱底板相互隔離，導(dǎo)熱底板不帶電，絕緣強(qiáng)度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對(duì)稱性好，直流分量小。大規(guī)格模塊具有過熱、過流、缺相保護(hù)作用。（5）輸入0～10V直流控制信號(hào)或0～5V直流控制信號(hào)、4～20mA...

若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個(gè)關(guān)斷條件：1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向?？梢?，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號(hào)開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會(huì)一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次，才能使其關(guān)斷。若...

測量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋...

確定IGBT 的門極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時(shí)的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù)，那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出：門極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

KP型晶閘管（phase control thyristor），又叫普通晶閘管，是用于可控整流的設(shè)備。定義：應(yīng)用PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和三極（陰極，陽極，門極）實(shí)現(xiàn)可控整流功能。晶閘管T在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電...

右圖給出三相橋式不控整流電路示意圖，變壓器一次側(cè)繞組為三角形連接，二次側(cè)繞組為星形連接。六個(gè)整流二極管按其導(dǎo)通順序排列，VD1、VD3、VD5三個(gè)二極管構(gòu)成共陰極三相半波整流，VD2、VD4、VD6三個(gè)二極管構(gòu)成共陽極三相半波整流，電感L和電阻R串聯(lián)成阻感負(fù)載...

1、智能功率模塊（ipms） 智能功率模塊的特點(diǎn)在于除了功率半導(dǎo)體器件外，還有驅(qū)動(dòng)電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護(hù)和監(jiān)測功能，如過電流和短路保護(hù)，驅(qū)動(dòng)器電源電壓控制和直流母線電壓測...

當(dāng)控制極G接收到觸發(fā)信號(hào)時(shí)，晶閘管會(huì)從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。值得注意的是，一旦晶閘管導(dǎo)通，即使控制極信號(hào)消失，只要陽極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)，直到陽極電流降至維持電流以下或陽極出現(xiàn)反向偏置時(shí)，才會(huì)重新回到截止?fàn)顟B(tài)。二、應(yīng)用領(lǐng)域晶閘管模塊...

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅...

二、晶閘管模塊的應(yīng)用領(lǐng)域晶閘管模塊的應(yīng)用范圍較為廣闊，涵蓋了幾乎所有需要電力電子轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域。在電力行業(yè)，晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電（HVDC）和柔**流輸電系統(tǒng)（FACTS）中。作為換流閥的關(guān)鍵部件，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)大功率電能的遠(yuǎn)距離傳輸，同時(shí)...

1、“給定”電位器旋鈕逆時(shí)針到底置**小位置，2SA 按鈕置“停機(jī)”位置，此時(shí)無輸出電 壓。再斷開交流接觸器，運(yùn)行指示燈暗，然后切斷電源。2、整流柜面板上調(diào)節(jié)電壓作為“給定” 。3、“穩(wěn)流”或“穩(wěn)壓”通過 1SA 按鈕轉(zhuǎn)換。4、調(diào)節(jié)電流作為調(diào)節(jié)板上的偏置電壓，...

一個(gè)有趣的趨勢是將標(biāo)準(zhǔn)模塊升級(jí)為ipm?？芍苯踊蚴褂脦?qū)動(dòng)電路（通過彈簧連接）的適配器板來進(jìn)行升級(jí)。賽米控的skypertm驅(qū)動(dòng)器是這方面理想的產(chǎn)品。 2、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點(diǎn)是真實(shí)的“智能”，即將設(shè)定點(diǎn)值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)脈沖序列的控制器不包含在模...

晶閘管整流器是一種整流器，拖動(dòng)裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動(dòng)機(jī)供電。這種拖動(dòng)裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動(dòng)機(jī)供電，所以又稱。電動(dòng)機(jī)的電樞和磁場均可由晶閘管整流器供電，因?yàn)樵撜髌鞯闹绷麟妷嚎赏ㄟ^觸發(fā)延遲角均勻調(diào)節(jié)，電...

IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT...

橋式整流模塊是一種將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的電力電子器件，采用進(jìn)口方形芯片、高級(jí)芯片支撐板，經(jīng)特殊燒結(jié)工藝，保證焊接層無空洞，使用更可靠。采用DCB板及其它高級(jí)導(dǎo)熱絕緣材料，導(dǎo)熱性能好，導(dǎo)熱基板不帶電（MDY2000型模塊除外），保證使用安全。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)超過國...

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半...

另外，變壓器的標(biāo)稱容量還與允許的溫升有關(guān)，例如，如果一臺(tái)1000KVA的變壓器，允許溫升為100K，如果在特殊的情況下，可以允許其工作到120K，則其容量就不止1000KVA。由此也可以看出，如果改善變壓器的散熱條件，則可以增大其標(biāo)稱容量，反過來說，對(duì)于相同容...

在輸出波形圖中，N相平直虛線是整流濾波后的平均輸出電壓值。虛線以下和各正弦波的交點(diǎn)以上（細(xì)虛線以上）的小脈動(dòng)波是整流后未經(jīng)濾波的輸出電壓波形。圖二是三相全波整流橋的電路圖（帶電容）。三相半波整流橋半橋是將連接好的3個(gè)整流二極管（和一個(gè)電容器）封裝在一起，組成一...

由此可見,交流電壓通過二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動(dòng)的。一般負(fù)載需要供給平滑的直流電壓，因此在整流元件與負(fù)載之間常接有濾波器。濾波器對(duì)整流電流的直流分量無扼流作用，而對(duì)交流分量的感抗很大。這樣，就能在負(fù)載上得到平直的直流電壓Ud，其數(shù)值等于脈動(dòng)電壓...

IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、UPS、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋...

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。（2）采用進(jìn)口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進(jìn)口貼片元件...

1、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長度；b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合，并且不要用過粗的線；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近；d) 柵極電阻使用無感電阻；e) 如果是有感電阻，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。2、IG...

普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件，出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有三個(gè)極：陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。普通晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與...

(2) 在風(fēng)機(jī)吊裝完后，吊裝變壓器直接就位于基礎(chǔ)上，利用千斤頂進(jìn)行找平、找正。(3) 按廠家規(guī)定的固定方式（螺接或焊接）進(jìn)行變壓器與基礎(chǔ)之間的連接。(4) 若為分體到貨，在變壓器安裝找正后，進(jìn)行外殼的安裝。(5) 懸掛標(biāo)志牌，清掃變壓器箱體內(nèi)部。(6) 在下一...

IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加...