可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動...

一個有趣的趨勢是將標(biāo)準(zhǔn)模塊升級為ipm?？芍苯踊蚴褂脦?qū)動電路（通過彈簧連接）的適配器板來進(jìn)行升級。賽米控的skypertm驅(qū)動器是這方面理想的產(chǎn)品。 2、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點(diǎn)是真實(shí)的“智能”，即將設(shè)定點(diǎn)值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動脈沖序列的控制器不包含在模...

將其分成兩個6脈波TCR來進(jìn)行分析。以一次測A相基波線電流為參考向量，表示了一個星一星聯(lián)結(jié)變壓器的TCR在其一次側(cè)產(chǎn)生的基波、5次和7次線電流的向量圖。同樣的，我們也可以得到星形一三角形聯(lián)結(jié)變壓器的TCR在其一次側(cè)產(chǎn)生的基波、5次和7次線電流的向量圖。由于都是...

4、各種保護(hù)功能相對**，保護(hù)定值、實(shí)現(xiàn)、閉鎖條件和保護(hù)投退可**整定和配制。5、保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)不依賴于通訊網(wǎng)絡(luò)，滿足電力系統(tǒng)保護(hù)的可靠性。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置具備進(jìn)線保護(hù)、出現(xiàn)保護(hù)，分段保護(hù)、配變保護(hù)、電動機(jī)保護(hù)、電容器保護(hù)、主變后備保護(hù)、發(fā)電機(jī)后備保護(hù)、P...

表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍骸２⑶以?..

IGBT電源模塊是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，其**由MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和GTR（巨型晶體管）復(fù)合結(jié)構(gòu)組成，兼具高輸入阻抗與低導(dǎo)通壓降的優(yōu)勢。該模塊廣泛應(yīng)用于高壓變流系統(tǒng)，包括工業(yè)變頻器、電力牽引傳動裝置及智能電網(wǎng)設(shè)備等...

四、直流輸電用這類整流變壓器的電壓一般在110kV以上，容量在數(shù)萬千伏安。需特別注意對地絕緣的交、直流疊加問題。 此外還有電鍍用或電加工用直流電源，勵磁用直流電源，充電用及靜電除塵用直流電源等。應(yīng)用整流變**多的化學(xué)行業(yè)中，大功率整流裝置也是二次電壓低，電流...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導(dǎo)體開...

橋式電路的特點(diǎn)是整流橋中有兩組：共陰極組和共陽極組，兩組共同串聯(lián)到負(fù)載上，因此適宜在高電壓、小電流情況下運(yùn)行。如果電源大小合適，可不用變壓器。在低電壓、大電流情況下運(yùn)行應(yīng)是兩組三相半波電路的并聯(lián)結(jié)線（圖2d）。并聯(lián)后，利用變壓器繞組的適當(dāng)連接，消除了直流磁化，...

廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：直流拖動、軋鋼、電解、電鍍機(jī)床、造紙、紡織、勵磁、低壓大電流工業(yè)電爐等領(lǐng)域。整流器運(yùn)行操作流程：1、接通交流電源，控制電源與主開關(guān)電源相序同步，將“2SA”按鈕置于啟動位置， “給定” 電位器旋至**小位置。2、合上交流接觸器、運(yùn)行指示燈亮...

晶閘管模塊（Silicon Controlled Rectifier Module）是現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件之一，以下是對其的詳細(xì)介紹：一、基本原理晶閘管模塊是一種將晶閘管與換流電路等集成在一起的產(chǎn)品，采用模塊化設(shè)計，便于安裝和使用。其**元件晶閘管本身...

阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，...

保護(hù)裝置整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機(jī)、高精度電流電壓互感器、高絕緣強(qiáng)度出口中間繼電器、高可靠開關(guān)電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護(hù)、通訊為一體化的一種經(jīng)濟(jì)型保護(hù)。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置的優(yōu)點(diǎn)1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護(hù)，...

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，...

建筑與家用電器：在建筑照明系統(tǒng)中，晶閘管模塊通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時，在空調(diào)、洗衣機(jī)、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的溫控和能耗管理，提高了設(shè)備的使用壽命和可靠性。醫(yī)療設(shè)備：晶閘管模塊用于控制X射線機(jī)、CT掃描儀等設(shè)備...

。不同的控制策略可以容易的被實(shí)現(xiàn)，特別是那些涉及外部輔助信號以顯著提高系統(tǒng)性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質(zhì)上是模塊化的，因此通過追加更多的TCR模塊就能達(dá)到擴(kuò)容的目的，當(dāng)然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不...

隨著科技的不斷發(fā)展，晶閘管模塊的應(yīng)用領(lǐng)域還在不斷拓展。在建筑照明系統(tǒng)和家用電器中，晶閘管模塊也發(fā)揮著重要作用。通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時，在空調(diào)、洗衣機(jī)、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的溫控和能耗管理，提高了設(shè)備的使用壽...

此外，在冶金、石油化工、新能源等行業(yè)，晶閘管模塊同樣發(fā)揮著重要作用。在冶金過程中，晶閘管模塊作為電力調(diào)整器的主要組成部分，能夠精確控制電能，提高冶煉過程的自動化水平和能源利用效率。在石油化工行業(yè)中，晶閘管模塊被用于加熱爐、裂解爐等電熱設(shè)備的溫度控制系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)...

（2）最高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電?VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100...

IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時間，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨...

應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示。當(dāng)這個電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電...

移相全橋 PWM DC/DC 變換器基本的全橋電路結(jié)構(gòu)基本的 DC/DC 全橋變換器由全橋逆變器和輸出整流濾波電路構(gòu)成，右圖 顯示了PWM DC/DC 全橋變換器的電路基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及主要波形。Vin是直流輸入電壓，Q1&D1～Q4&D4構(gòu)成變換器的兩個橋臂，高...

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很***；IGBT也是三端器...

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動電路。其性能更好，整機(jī)的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT...

5. ih：**小維持電流在室溫下，控制極開路、晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后，維持導(dǎo)通狀態(tài)所必須的**小電流。一般為幾十到一百多毫安。 6. ug、ig：控制極觸發(fā)電壓和電流 在室溫下， 陽極電壓為直流 6v 時，使晶閘管完全導(dǎo)通所必須的**小控制極直流電壓、電流 ...

冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [...

保護(hù)電路設(shè)計：設(shè)計過流和過壓保護(hù)電路，以防止晶閘管因過流或過壓而損壞。環(huán)境影響：工作環(huán)境溫度、濕度以及塵埃和污染都可能影響晶閘管的性能和使用壽命，需要采取相應(yīng)的防護(hù)措施。電磁兼容性（EMC）：設(shè)計相應(yīng)的電磁屏蔽和濾波電路來減小電磁干擾，并增強(qiáng)晶閘管的電磁抗性。...

4、故障解除：當(dāng)整流器故障時，發(fā)出燈光報警信號并停機(jī)，操作人員應(yīng)在排除故障以后可 合閘，否則將擴(kuò)大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開關(guān)置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運(yùn)行程序開機(jī)。5、起動后，直流輸出電壓或電流達(dá)不到額定值則丟脈沖...

（2）可以采用開關(guān)電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求（1）工作場所環(huán)境溫度范圍...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標(biāo)志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...