無錫發(fā)光二極管專賣店

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-01

    該微控制器15獲取該發(fā)光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值,依據(jù)溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值,依據(jù)該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發(fā)光二極管11的該良好溫度值,該ntc離發(fā)光二極管距離比較近的情況下,該第二溫度值可以確定為該發(fā)光二極管11的良好溫度值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,提供了一種發(fā)光二極管11的控制方法,圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖,如圖7所示,該方法包括如下步驟:步驟s702,獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值,依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值,調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良好對(duì)比,依據(jù)該良好對(duì)比的結(jié)果對(duì)該良好壓差值進(jìn)行校準(zhǔn)后,獲取第二壓差值,良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始溫度值和該初始電壓值統(tǒng)計(jì)表;步驟s704,獲取發(fā)光二極管的電流值,依據(jù)該第二壓差值和該電流值,調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行第二對(duì)比,第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始?jí)翰钪岛统跏茧娏髦到y(tǒng)計(jì)表,在該第二對(duì)比的結(jié)果不符合預(yù)設(shè)閾值的情況下,發(fā)送報(bào)警信息。通過上述步驟s702至s704,發(fā)光二極管11出廠工作后,微控制器15自主控制該發(fā)光二極管11的電流。樂山二極管找巨新科。無錫發(fā)光二極管專賣店

    所以二pmos管mp2管的源極電壓可以隨著輸入改變,從而將其鉗位到步進(jìn)電壓處。本發(fā)明提出通過引入負(fù)電源電壓vne對(duì)apd的偏壓進(jìn)行調(diào)節(jié),為了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端電壓為0v時(shí),四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能開啟,四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓至少要比各自的源極電壓低一個(gè)閾值電壓vth,而四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓分別由二電阻r2和三電阻r3上的壓降決定,pmos管的閾值電壓vth接近1v,所以負(fù)電源電壓vne可以設(shè)置為-1v??梢姳景l(fā)明通過引入負(fù)電源電壓vne擴(kuò)大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍。一些實(shí)施例中,一運(yùn)算放大器op1的輸出端和一pmos管mp1的柵極之間還設(shè)置有一電平位移電路,二運(yùn)算放大器op2的輸出端和三pmos管mp3的柵極之間還設(shè)置有二電平位移電路,電平位移電路能夠保證二pmos管mp2、四pmos管mp4的源端電位更好地鉗位在步進(jìn)電壓和0v處。為了精簡電路,像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中一運(yùn)算放大器和二運(yùn)算放大器可以采用相同的結(jié)構(gòu),如均采用折疊式共源共柵運(yùn)放結(jié)構(gòu)或其他類型的運(yùn)放結(jié)構(gòu)。如圖2所示給出了折疊式共源共柵運(yùn)放結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)形式,本實(shí)施例以一運(yùn)算放大器為例進(jìn)行說明。上海激光二極管哪家公司好捷捷微二極管原廠渠道。

    本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域,涉及一種基于負(fù)電源電壓對(duì)雪崩光電二極管的偏置電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù):單光子探測(cè)技術(shù)是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測(cè)技術(shù),它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)極微弱光信號(hào)的檢測(cè)。在目前所用的光電探測(cè)器中,具有單光子探測(cè)能力的探測(cè)器主要有兩種,即光電倍增管(photomultipliertube,pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode,apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用。雪崩光電二極管apd探測(cè)器根據(jù)其偏置電壓的不同,可分為線性和蓋革兩種工作模式。工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管apd被稱為單光子雪崩二極管,具有單光子探測(cè)能力,被廣泛應(yīng)用于單光子探測(cè)技術(shù)。單光子探測(cè)技術(shù)可被用于光子測(cè)距、國防、熒光壽命測(cè)量等各方面。隨著對(duì)探測(cè)器分辨率要求的提高,單光子探測(cè)技術(shù)正在向集成大陣列方向發(fā)展,陣列探測(cè)的一致性成為重要指標(biāo)。apd陣列的靈敏度與偏壓相關(guān),但是由于apd陣列存在雪崩擊穿電壓不均勻分布的問題,因此比較高偏壓被陣列中比較低擊穿電壓的像素所限制,apd陣列中將有大量像素處在偏壓不足的狀態(tài)。

    TVS瞬態(tài)抑制二極管的作用:實(shí)際應(yīng)用中TVS二極管是反向并聯(lián)在電路中,當(dāng)二極管兩端瞬間通過高能量的沖擊時(shí),二極管能夠在極短的時(shí)間內(nèi)由關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)換為導(dǎo)通狀態(tài),瞬間將電路中高能量沖擊吸收,并且將后端電路電壓鉗位在固定的電壓值上,從而到達(dá)保護(hù)后端電路的作用?,F(xiàn)以ST公司的SMBJ系列二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)進(jìn)行功能參數(shù)介紹:現(xiàn)以ST公司的SMBJ系列二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)進(jìn)行功能參數(shù)介紹:電器特征參數(shù)定義Ppp(Peakpulsepower脈沖峰值電壓功率)VRM(Stand-off反向工作電壓/隔離電壓/反向關(guān)斷電壓)VBR(Breakdownvoltage擊穿電壓)VCL(Clampingvoltage鉗位電壓)IRM(Leakagecurrent泄露電流)IPP(Peakpulsecurrent峰值脈沖電流)VF(Forwardvoltagedrop正向壓降)特征參數(shù):器件特性:Ppp(Peakpulsepower脈沖峰值電壓功率)600W(10/1000us)4Kw(8/20us)(參數(shù)解釋:10/1000us和8/20us為兩種不同的浪涌測(cè)試波形,兩種波形能量不一樣。8/20uS是雷擊浪涌的一種波形,10/1000us也是浪涌的一種波形,10us表示沖擊脈沖到達(dá)90%電流峰值的時(shí)間,而1000us表示從電流峰值到半峰值的時(shí)間。)反向工作電壓:Vs5V-188V低泄漏電流:--μAat25°C--1μAat85°C。樂山大功率二極管原裝現(xiàn)貨。

    三pmos管mp3柵極引出二電流鏡單元偏置電壓為二電流鏡單元的九pmos管mp9供電,二電流鏡單元鏡像的電流在一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都斷開時(shí)能夠使得像素內(nèi)的五pmos管mp5的源極電壓達(dá)到0v大小。具體過程為:像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中通過運(yùn)放鉗位作用將四pmos管mp4的源極電壓鉗位到0v,將二pmos管mp2的源極電壓鉗位到步進(jìn)電壓,步進(jìn)電壓的大小即為設(shè)置的基準(zhǔn)電壓vref的電壓值。當(dāng)一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都斷開時(shí),鉗位到0v的偏置電流通過三pmos管mp3被像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊的二電流鏡單元的pmos管鏡像,鏡像過來的電流流經(jīng)像素內(nèi)的三電阻r3上,從而改變五pmos管mp5的柵極電壓,進(jìn)而將浮動(dòng)地點(diǎn)的電壓鉗位到0v,因?yàn)?v對(duì)浮動(dòng)地點(diǎn)的電壓步進(jìn)沒有影響,所以該電流通路一直保持開啟,隨后調(diào)整一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3來調(diào)節(jié)比例電流鏡產(chǎn)生的電流繼而調(diào)節(jié)浮動(dòng)地的電壓為步進(jìn)電壓的整數(shù)倍大小。鉗位到步進(jìn)電壓的偏置電流通過一pmos管mp1被像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊的三個(gè)寬長比同一pmos管mp1的寬長比比值為1:2:4的pmos管鏡像,鏡像的電流大小分別為1:2:4,鏡像的三條電流通路都匯集到三電阻r3上,每個(gè)pmos管下都有開關(guān)控制該條通路的導(dǎo)通與關(guān)斷。東莞樂山二極管代理商公司。無錫進(jìn)口二極管專賣店

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    可以將流過一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進(jìn)行復(fù)制,如當(dāng)只有一開關(guān)s1閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:1的比例進(jìn)行復(fù)制,當(dāng)一開關(guān)s1和二開關(guān)s2同時(shí)閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:3的比例進(jìn)行復(fù)制,當(dāng)一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3都閉合時(shí)一電流鏡單元能夠?qū)⒘鬟^一pmos管mp1的電流按1:7的比例進(jìn)行復(fù)制。按照相同的原理可以設(shè)置多種開關(guān)組合實(shí)現(xiàn)想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管mp3的電流,如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實(shí)現(xiàn)形式,包括九pmos管mp9,九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極,其源極連接電源電壓,其漏極連接二電流鏡單元的輸出端。像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊中三電阻r3和五pmos管mp5分別與像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中的一電阻r1和二pmos管mp2、二電阻r2和四pmos管mp4鉗位對(duì)稱,再利用一電流鏡單元和二電流鏡單元鏡像的電流,可以控制五pmos管mp5的源極處產(chǎn)生的浮動(dòng)地電壓大小。本實(shí)施例中一pmos管mp1柵極引出一電流鏡單元偏置電壓為一電流鏡單元的六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8供電,比例電流鏡結(jié)構(gòu)按不同比例鏡像一pmos管mp1的電流使得像素內(nèi)的五pmos管mp5的源極電壓達(dá)到步進(jìn)電壓的整數(shù)倍大小。無錫發(fā)光二極管專賣店

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