但使用久了，壽命就有可能降低。電容的介質(zhì)損耗電容器在電場作用下消耗的能量，通常用損耗功率和電容器的無功功率之比，即損耗角的正切值表示。損耗角越大，電容器的損耗越大，損耗角大的電容不適于高頻情況下工作。DF值是高還是低，就同一品牌、同一系列的電容器來說，與溫度、容量、電壓、頻率……都有關(guān)系；當(dāng)容量相同時，耐壓愈高的DF值就愈低。此外溫度愈高DF值愈高，頻率愈高DF值也會愈高。電容的漏電流電容器的介質(zhì)對直流電流具有很大的阻礙作用。然而，由于鋁氧化膜介質(zhì)上浸有電解液，在施加電壓時，重新形成的以及修復(fù)氧化膜的時候會產(chǎn)生一種很小的稱之為漏電流的電流。通常，漏電流會隨著溫度和電壓的升高而增大。它的計算公式大致是:I＝K×CV。漏電流I的單位是μA，K是常數(shù)。一般來說，電容器容量愈高，漏電流就愈大。從公式可得知額定電壓愈高，電容的漏電流也愈大，因此降低工作電壓亦可降低漏電流。電容的外型尺寸電容的外型尺寸與重量及接腳型態(tài)相關(guān)。singleended是徑向引線式，screw是鎖螺絲式，另外還有貼片鋁電解電容等。至於重量，同容量同耐壓，但品牌不同的兩個電容做比較，重量一定不同；而外型尺寸更與外殼規(guī)劃有關(guān)。一般來說。華科、國巨電容找巨新科。壓敏電容廠家
字母表示法：1m=1000μF4P7=1n=1000PF數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)宇，第三位數(shù)宇表示有效數(shù)字后面零的個數(shù)，它們的單位都是pF。如:102表示標(biāo)稱容量為1000pF。331表示標(biāo)稱容量為330pF。474表示標(biāo)稱容量為47x10(4)pF。在這種表示法中有一個特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時，是用有效數(shù)宇乘上來表示容量大小。如:229表示標(biāo)稱容量為允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%電容器的特性與用途通交隔直：作用是阻止直流通過而讓交流通過。如圖中的電容C1和C2，分析三極管工作狀態(tài)時，直流等效電路將電容視為開路，微變等效電路將電容視為短路，從而簡化了電路的分析運算。交流旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。比如下面的電路，可以將高頻信號旁路。交流耦合：作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸?shù)较乱患夒娐分绷麟娫礊V波：比如二極管橋式整流后面，用于平滑電流。溫度補(bǔ)償：針對其它元件對溫度的適應(yīng)性不夠帶來的影響，而進(jìn)行補(bǔ)償，改善電路的穩(wěn)定性。計時：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時間常數(shù)，時間常數(shù)t=RC。調(diào)諧：對與頻率相關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧。光明區(qū)CBB電容廠家深圳華科電容代理商公司。
電容器是一種能儲存電荷的容器．它是由兩片靠得較近的金屬片，中間再隔以絕緣物質(zhì)而組成的．按絕緣材料不同，可制成各種各樣的電容器.如：云母．瓷介．紙介，電解電容器等．在構(gòu)造上，又分為固定電容器和可變電容器鋁電解電容選型要點電容的容量和額定工作電壓鋁電解電容本體上標(biāo)有的容量和耐壓，這兩個參數(shù)是選用電容基本的內(nèi)容。在實際電容選型中，對電流變化節(jié)奏快的地方要用容量較大的電容，但并非容量越大越好，首先，容量增大，成本和體積可能會上升，另外，電容越大充電電流就越大，充電時間也會越長。電容的額定工作電壓：在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)，電容長期能承受的大直流電壓。在交流電路中，要注意所加的交流電壓大值不能超過電容的直流工作電壓值。常用的固定電容工作電壓有、10V、16V、25V、50V、63V、100V、250V、400V、500V、630V。電容在電路中實際要承受的電壓不能超過它的耐壓值。在濾波電路中，電容的耐壓值不要小于交流有效值的。另外還要注意的一個問題是工作電壓裕量的問題，一般來說要在15％以上。讓電容器的額定電壓具有較多的余裕，能降低內(nèi)阻、降低漏電流、降低損失角、增加壽命。雖然說，48V的工作電壓使用50V的鋁電解電容短時間不會出現(xiàn)問題。
精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-。+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級，根據(jù)用途選取。額定電壓在低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的長久損壞。電容器應(yīng)用在高壓場合時，必須注意電暈的影響。電暈是由于在介質(zhì)/電極層之間存在空隙而產(chǎn)生的，它除了可以產(chǎn)生損壞設(shè)備的寄生信號外，還會導(dǎo)致電容器介質(zhì)擊穿。在交流或脈動條件下，電暈特別容易發(fā)生。對于所有的電容器，在使用中應(yīng)保證直流電壓與交流峰值電壓之和不的超過直流電壓額定值。絕緣電阻直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.當(dāng)電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越小越好。電容的時間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。損耗角正切(tgδ)：電容在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。風(fēng)華電容一級代理商。
并聯(lián)后的各個電容兩端電壓相等；并聯(lián)后的耐壓取決于耐壓**小的那個電容電壓。電容器的類型電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件。電容的類型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類；按照介質(zhì)類型可分為無機(jī)介質(zhì)電容器、有機(jī)介質(zhì)電容器和電解電容器三大類。不同介質(zhì)的電容，在結(jié)構(gòu)、成本、特性、用途方面都大不相同。無機(jī)介質(zhì)電容器：包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會經(jīng)?？吹教沾呻娙?。陶瓷電容的綜合性能很好，可以應(yīng)用GHz級別的超高頻器件上，比如CPU/GPU。當(dāng)然，它的價格也很貴。云母電容（CY）電容量：10p--0。1μ額定電壓：100V--7kV主要特點：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小。應(yīng)用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容（CC）電容量：1--6800p額定電壓：63--500V主要特點：高頻損耗小，穩(wěn)定性好。應(yīng)用于高頻電路。低頻瓷介電容（CT）電容量：10p--4。7μ額定電壓：50V--100V主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩(wěn)定性差。應(yīng)用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容（CI）電容量：10p--0。1μ額定電壓：63--400V主要特點：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫（200度）。應(yīng)用：脈沖、耦合、旁路等電路單片陶瓷電容器。華科安規(guī)電容原裝現(xiàn)貨。寶安區(qū)瓷片電容質(zhì)量好的
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這里電流表示電流密度，即J)設(shè)交流電壓為正弦變化，即：實際位移電流等于電流密度乘以面積：所以電容的容抗為1/ωC，頻率很高時，電容容抗會很小，也就是通高頻。下圖是利用ANSYSHFSS仿真的平行板電容器內(nèi)部的電磁場的變化。橫截面電場變化(GIF動圖，貌似要點擊查看)縱斷面磁場變化(GIF動圖，貌似要點擊查看)也就是說電容在通交流的時候，內(nèi)部的電場和磁場在相互轉(zhuǎn)換。隔直流直流電壓不隨時間變化，位移電流ε(?E/?t)為0，直流分量無法通過。實際電容等效模型實際電容的特性都是非理想的，有一些寄生效應(yīng)；因此，需要用一個較為復(fù)雜的模型來表示實際電容，常用的等效模型如下：·由于介質(zhì)都不是一定絕緣的，都存在著一定的導(dǎo)電能力；因此，任何電容都存在著漏電流，以等效電阻Rleak表示；·電容器的導(dǎo)線、電極具有一定的電阻率，電介質(zhì)存在一定的介電損耗；這些損耗統(tǒng)一以等效串聯(lián)電阻ESR表示；·電容器的導(dǎo)線存在著一定的電感，在高頻時影響較大，以等效串聯(lián)電感ESL表示；·另外，任何介質(zhì)都存在著一定電滯現(xiàn)象，就是電容在快速放電后，突然斷開電壓，電容會恢復(fù)部分電荷量，以一個串聯(lián)RC電路表示。·大多數(shù)時候，主要關(guān)注電容的ESR和ESL。品質(zhì)因數(shù)。壓敏電容廠家
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