在延遲熒光摻雜劑“td”和磷光摻雜劑“pd”中產(chǎn)光。換言之，當(dāng)eml150包含延遲熒光摻雜劑152并且包含特定重量百分比條件(例如不大于5重量％)的磷光摻雜劑154時，延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光，使得oledd1的色彩連續(xù)性得到改善。[oled]將陽極(ito，)、hil(式9，)、htl(式10，)、ebl(式11，)、eml(基質(zhì)(式12)和摻雜劑)、hbl(式13，)、etl(式14，)、eil(lif)和陰極(al)順序堆疊以形成oled。1.比較例1(ref1)使用式15的延遲熒光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：70重量％，摻雜劑：30重量％)2.比較例2(ref2)使用式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：95重量％，摻雜劑：5重量％)3.實施例1(ex1)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：65重量％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：5重量％)4.實施例2(ex2)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：67重量％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：3重量％)5.實施例3(ex3)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì)：69重量％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：1重量％)6.實施例4。樂山穩(wěn)壓二極管原裝現(xiàn)貨。上海強(qiáng)茂二極管進(jìn)口
參數(shù)解釋：泄漏電流是指電器在正常工作時，其火線與零線之間產(chǎn)生的極為微小的電流，相當(dāng)于一般電器的靜電一樣，測試時用泄漏電流測試儀，主要測試其L極與N極。------摘自百度百科）比較大額定參數(shù)（25℃）：Ppp（脈沖峰值功率）600WTj（結(jié)溫）-55到150℃Tstg（儲存溫度）-65到150℃TL(10s焊接過程中比較大焊接溫度)260℃（25℃）：VRM=5VVBR=VCL=(10/1000us)VCL=(8/20us)因此在選擇TVS瞬態(tài)抑制二極管的過程中，我們需要重點(diǎn)關(guān)注的參數(shù)為VRM反向關(guān)斷電壓即為電路正常工作時的電壓，脈沖峰值電流要小于IPP，VCL鉗位電壓在電路遇到浪涌沖擊時后端電路正常工作時可接受的比較大輸入電壓應(yīng)大于鉗位電壓。命名規(guī)則：SM:器件封裝形式B:脈沖峰值功率B=600W0:反向關(guān)斷電壓A:單向CA:雙向。南京快恢復(fù)二極管公司捷捷微大功率二極管原裝現(xiàn)貨。
在這種情況下，半導(dǎo)體層可以包含非晶硅。盡管未示出，但是柵極線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)域，并且形成切換tft以與柵極線和數(shù)據(jù)線連接。切換tft與作為驅(qū)動元件的tfttr連接。此外，還可以形成電力線，所述電力線可以形成為與柵極線和數(shù)據(jù)線中的一者平行并間隔開；和用于在一幀中保持tfttr的柵極電極的電壓的存儲電容器。形成有鈍化層350以覆蓋tfttr，鈍化層350包括暴露tfttr的漏電極342的漏極接觸孔352。在各像素中單獨(dú)形成有電極220，電極220通過漏極接觸孔352與tfttr的漏電極342連接。電極220可以為陽極，并且可以由具有相對高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如，電極220可以由透明導(dǎo)電材料例如ito或izo形成?？梢栽陔姌O220下方形成反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(apc)合金形成。在鈍化層350上形成有堤層360以覆蓋電極220的邊緣。即，堤層360被定位在像素的邊界并且暴露像素中的電極220的中心。堤層360可以省略。在電極220上形成有有機(jī)發(fā)光層290。參照圖5，有機(jī)發(fā)光層290包括發(fā)光部分250，發(fā)光部分250包括有eml240；和第二發(fā)光部分270，第二發(fā)光部分270包括有第二eml260。例如。
20.根據(jù)實施方案19所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述第二磷光摻雜劑相對于所述第二延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內(nèi)。21.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：基板；有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：電極；面向所述電極的第二電極；以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在所述電極與所述第二電極之間的發(fā)光材料層；以及布置在所述基板與所述有機(jī)發(fā)光二極管之間并與所述有機(jī)發(fā)光二極管連接的薄膜晶體管，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。22.根據(jù)實施方案20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括：布置在所述基板與所述有機(jī)發(fā)光二極管之間或在所述有機(jī)發(fā)光二極管上方的濾色器層。23.一種照明裝置，包括：基板；以及有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：電極；面向所述電極的第二電極；以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在所述電極與所述第二電極之間的發(fā)光材料層，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。強(qiáng)茂二極管原裝現(xiàn)貨。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量％比(wpd/wtd)等于或小于％，并且推薦地為約％至％。根據(jù)本發(fā)明的一方面，延遲熒光摻雜劑相對于基質(zhì)的重量百分比可以為約1/4至3/7。如實施例7、9和10中所示，隨著磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量百分比增加，oled的效率降低。如上所述，在本公開內(nèi)容的oledd1中，eml150包含在發(fā)射波長范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154，并且相對于延遲熒光摻雜劑152，磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5％。因此，oledd1的色彩連續(xù)性得到提高。圖4為根據(jù)本公開內(nèi)容的照明裝置的示意性截面圖。如圖4所示，照明裝置100包括基板110和在基板110上或在基板110上方的oledd1。oledd1包括電極120、有機(jī)發(fā)光層140和第二電極130。在圖4中，有機(jī)發(fā)光層140和第二電極130順序堆疊在電極120上?；蛘?，有機(jī)發(fā)光層140和電極120可以順序堆疊在第二電極130上。如上所述，在本公開內(nèi)容的oledd1中，eml150包含在發(fā)射波長范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154，并且相對于延遲熒光摻雜劑152，磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5％。因此，oledd1的色彩連續(xù)性得到提高，并且提供好的的照明裝置100。樂山、強(qiáng)茂、捷捷微二極管找巨新科。武漢開關(guān)二極管進(jìn)口
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具體實施方式下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。本發(fā)明提出一種基于負(fù)壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路，包括像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊和像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊，如圖1所示，像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括一運(yùn)算放大器op1、二運(yùn)算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一電阻r1、二電阻r2、一電流源i1和二電流源i2，一運(yùn)算放大器op1的正相輸入端連接基準(zhǔn)電壓vref，其反相輸入端連接二pmos管mp2的源極和一電流源i1，其輸出端連接一pmos管mp1的柵極；一pmos管mp1的源極連接電源電壓，其漏極連接二pmos管mp2的柵極并通過一電阻r1后連接負(fù)電源電壓vne；二運(yùn)算放大器op2的正相輸入端接地，其反相輸入端連接四pmos管mp4的源極和二電流源i2，其輸出端連接三pmos管mp3的柵極；三pmos管mp3的源極連接電源電壓，其漏極連接四pmos管mp4的柵極并通過二電阻r2后連接負(fù)電源電壓vne；二pmos管mp2和四pmos管mp4的漏極連接負(fù)電源電壓vne。二pmos管mp2和四pmos管mp4用于產(chǎn)生一運(yùn)算放大器op1和二運(yùn)算放大器op2的反相輸入端信號，一電流源i1和二電流源i2用于為二pmos管mp2和四pmos管mp4提供偏置電流。上海強(qiáng)茂二極管進(jìn)口
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