并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580與第二eml540之間，第二etl554被定位在第二eml540與第二cgl590之間。第二eml540包含藍色摻雜劑542。藍色摻雜劑542具有與eml520中的延遲熒光摻雜劑522和磷光摻雜劑524相比更短的發(fā)射波長范圍。例如，藍色摻雜劑542可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。盡管未示出，但是第二eml540還可以包含基質(zhì)。相對于基質(zhì)，藍色摻雜劑542的重量百分比可以為約1％至40％，推薦為3％至40％。第三發(fā)光部分570可以包括第三htl572、第三eml560、第三etl574和eil576。第三htl572被定位在第二cgl590與第三eml560之間，第三etl574被定位在第三eml560與第二電極512之間。此外，eil576被定位在第三etl574與第二電極512之間。第三eml560包含第二延遲熒光摻雜劑562和第二磷光摻雜劑564。第二延遲熒光摻雜劑562具有發(fā)射波長范圍，第二磷光摻雜劑564具有與發(fā)射波長范圍不同的第二發(fā)射波長范圍。第二比較大發(fā)射波長比比較大發(fā)射波長更長(更大)。例如，發(fā)射波長范圍可以為綠色波長范圍，第二發(fā)射波長范圍可以為紅色波長范圍。強茂二極管原廠渠道。無錫快恢復二極管穩(wěn)壓
20.根據(jù)實施方案19所述的有機發(fā)光二極管，其中所述第二磷光摻雜劑相對于所述第二延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內(nèi)。21.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：基板；有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：電極；面向所述電極的第二電極；以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在所述電極與所述第二電極之間的發(fā)光材料層；以及布置在所述基板與所述有機發(fā)光二極管之間并與所述有機發(fā)光二極管連接的薄膜晶體管，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。22.根據(jù)實施方案20所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括：布置在所述基板與所述有機發(fā)光二極管之間或在所述有機發(fā)光二極管上方的濾色器層。23.一種照明裝置，包括：基板；以及有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管在所述基板上或在所述基板上方并且包括：電極；面向所述電極的第二電極；以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在所述電極與所述第二電極之間的發(fā)光材料層，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。重慶開關(guān)二極管銷售強茂肖特基二極管原裝現(xiàn)貨。
第二延遲熒光摻雜劑562可以由式1或式3表示，第二磷光摻雜劑564可以由式5表示。第二磷光摻雜劑564相對于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比等于或小于約5％。例如，第二磷光摻雜劑564相對于第二延遲熒光摻雜劑562的重量百分比可以在約％至％，推薦地約％至％的范圍內(nèi)。盡管未示出，但是第三eml560還可以包含基質(zhì)。基質(zhì)可以在第三eml560中具有約50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。eml520的基質(zhì)和第三eml560的基質(zhì)可以相同或不同。cgl580被定位在發(fā)光部分530與第二發(fā)光部分550之間，第二cgl590被定位在第二發(fā)光部分550與第三發(fā)光部分570之間。即，發(fā)光部分530和第二發(fā)光部分550通過cgl580彼此連接，第二發(fā)光部分550和第三發(fā)光部分570通過第二cgl590彼此連接。cgl580和第二cgl590各自可以為p-n結(jié)型cgl。cgl580包括n型cgl582和p型cgl584，第二cgl590包括n型cgl592和p型cgl594。在cgl580中，n型cgl582被定位在etl536與第二htl552之間，p型cgl584被定位在n型cgl582與第二htl552之間。在第二cgl590中，n型cgl592被定位在第二etl554與第三htl572之間，p型cgl594被定位在n型cgl592與第三htl572之間。在oledd4中。
該微控制器15獲取該發(fā)光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據(jù)溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據(jù)該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發(fā)光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發(fā)光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發(fā)光二極管11的良好溫度值。在本發(fā)明的一個實施例中，提供了一種發(fā)光二極管11的控制方法，圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發(fā)光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值，調(diào)用預存儲的良好校準數(shù)據(jù)表進行良好對比，依據(jù)該良好對比的結(jié)果對該良好壓差值進行校準后，獲取第二壓差值，良好校準數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始溫度值和該初始電壓值統(tǒng)計表；步驟s704,獲取發(fā)光二極管的電流值，依據(jù)該第二壓差值和該電流值，調(diào)用預存儲的第二校準數(shù)據(jù)表進行第二對比，第二校準數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始壓差值和初始電流值統(tǒng)計表，在該第二對比的結(jié)果不符合預設(shè)閾值的情況下，發(fā)送報警信息。通過上述步驟s702至s704，發(fā)光二極管11出廠工作后，微控制器15自主控制該發(fā)光二極管11的電流。捷捷微二極管找巨新科。
利用運放將四pmos管mp4的源極電壓和二pmos管mp2的源極電壓分別鉗位至0v和步進電壓，利用一pmos管mp1和三pmos管mp3產(chǎn)生像素內(nèi)的偏置電流；在像素內(nèi)利用電流鏡單元鏡像一pmos管mp1和三pmos管mp3產(chǎn)生的偏置電流，一電流鏡單元通過數(shù)字開關(guān)控制像素內(nèi)的比例電流鏡鏡像偏置電流的比例，從而實現(xiàn)雪崩光電二極管apd偏置電壓的步進調(diào)節(jié)；通過引入負電源電壓，擴大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍，有利于提高apd陣列的均勻性和電壓穩(wěn)定性，提升光子探測的靈敏度；提出以pmos源極，而不是ldo電路中的漏極產(chǎn)生步進電壓，具有面積小、響應速度快，電壓準確度高等優(yōu)點；像素外的運放采用折疊式共源共柵運放結(jié)構(gòu)時，選擇pmos管作為輸入對管用于增大共模輸入范圍，另外將p輸入對管的襯底接到比較高電位，能夠使得輸入對管的閾值電壓因襯底偏置效應而增大。附圖說明圖1為本發(fā)明提出的基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路的一種電路實現(xiàn)結(jié)構(gòu)框圖。圖2為本發(fā)明提出的基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路中一運算放大器在實施例中采用折疊式共源共柵運放的電路原理圖。圖3為本發(fā)明提出的基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路在不同配置的情況下apd接口電壓的仿真波形示意圖。強茂二極管找巨新科。遼寧開關(guān)二極管專賣店
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具體實施方式下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細的描述。本發(fā)明提出一種基于負壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路，包括像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊和像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊，如圖1所示，像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括一運算放大器op1、二運算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一電阻r1、二電阻r2、一電流源i1和二電流源i2，一運算放大器op1的正相輸入端連接基準電壓vref，其反相輸入端連接二pmos管mp2的源極和一電流源i1，其輸出端連接一pmos管mp1的柵極；一pmos管mp1的源極連接電源電壓，其漏極連接二pmos管mp2的柵極并通過一電阻r1后連接負電源電壓vne；二運算放大器op2的正相輸入端接地，其反相輸入端連接四pmos管mp4的源極和二電流源i2，其輸出端連接三pmos管mp3的柵極；三pmos管mp3的源極連接電源電壓，其漏極連接四pmos管mp4的柵極并通過二電阻r2后連接負電源電壓vne；二pmos管mp2和四pmos管mp4的漏極連接負電源電壓vne。二pmos管mp2和四pmos管mp4用于產(chǎn)生一運算放大器op1和二運算放大器op2的反相輸入端信號，一電流源i1和二電流源i2用于為二pmos管mp2和四pmos管mp4提供偏置電流。無錫快恢復二極管穩(wěn)壓
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