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按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡單，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對時(shí) 延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內(nèi)存都是DRAM。82496 DDR信號(hào)質(zhì)量的測試方法、測試裝置與測試設(shè)備與流程；天津DDR一致性測試推薦貨源

對DDR5來說，設(shè)計(jì)更為復(fù)雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應(yīng)用IBIS模型針對基于 DDR5顆?；駾IMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證，比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄 生電容、片上端接ODT、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4taps DFE(4抽頭 判決反饋均衡)等。

DDR的讀寫信號(hào)分離

對于DDR總線來說，真實(shí)總線上總是讀寫同時(shí)存在的。規(guī)范對于讀時(shí)序和寫時(shí)序的 相關(guān)時(shí)間參數(shù)要求是不一樣的，讀信號(hào)的測量要參考讀時(shí)序的要求，寫信號(hào)的測量要參考寫 時(shí)序的要求。因此要進(jìn)行DDR信號(hào)的測試，第一步要做的是從真實(shí)工作的總線上把感興 趣的讀信號(hào)或者寫信號(hào)分離出來。JEDEC協(xié)會(huì)規(guī)定的DDR4總線的 一個(gè)工作時(shí) 序圖(參考資料： JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4),可以看到對于讀和寫信 號(hào)來說，DQS和DQ間的時(shí)序關(guān)系是不一樣的。 天津DDR一致性測試推薦貨源DDR原理及物理層一致性測試；

相關(guān)器件的應(yīng)用手冊，ApplicationNote:在這個(gè)文檔中，廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議，甚至參考設(shè)計(jì)，有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。

參考設(shè)計(jì)，ReferenceDesiqn:對于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì)，以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。

IBIS 文件:這個(gè)對高速設(shè)計(jì)而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過。

通常測量眼圖很有效的一種方法就是使用示波器的眼圖測量功能，即用時(shí)鐘做觸發(fā)對數(shù) 據(jù)信號(hào)進(jìn)行累積，看累積結(jié)果的差情況是否在可以容許的范圍內(nèi)。但遺憾的是，想用這種 方法直接測量DDR的信號(hào)質(zhì)量非常困難，因?yàn)镈DR信號(hào)讀寫時(shí)序是不一樣的。

可以看到，寫數(shù)據(jù)(DQ)的跳變位置對應(yīng)著鎖存信號(hào)(DQS)的中心，而 讀數(shù)據(jù)的跳變位置卻對應(yīng)著鎖存信號(hào)的邊沿，而且在總線上還有三態(tài)，因此如果直接用DQS 觸發(fā)對DQ累積進(jìn)行眼圖測量的話，會(huì)得到的結(jié)果。 DDR4 和 LPDDR4 一致性測試應(yīng)用軟件提供了多種可以簡化設(shè)計(jì)驗(yàn)證的關(guān)鍵功能。

DDR數(shù)據(jù)總線的一致性測試

DQS (源同步時(shí)鐘)和DQ (數(shù)據(jù))的波形參數(shù)測試與命令地址總線測試類似，比較簡 單，在此不做詳細(xì)介紹。對于DDR1, DQS是單端信號(hào)，可以用單端探頭測試；DDR2&3 DQS 則是差分信號(hào)，建議用差分探頭測試，減小探測難度。DQS和DQ波形包括三態(tài)(T特征，以及讀數(shù)據(jù)(Read Burst)、寫數(shù)據(jù)(Write Burst)的DQS和DQ的相對時(shí)序特征。在 我們測試時(shí)，只是捕獲了這樣的波形，然后測試出讀、寫操作時(shí)的建立時(shí)間和保持時(shí)間參數(shù) 是不夠的，因?yàn)閿?shù)據(jù)碼型是變化的，猝發(fā)長度也是變化的，只測試幾個(gè)時(shí)序參數(shù)很難覆蓋各 種情況，更難測出差情況。很多工程師花了一周時(shí)間去測試DDR,卻仍然測不出問題的關(guān) 鍵點(diǎn)就在于此。因此我們應(yīng)該用眼圖的方式去測試DDR的讀、寫時(shí)序，確保反映整體時(shí)序情 況并捕獲差情況下的波形，比較好能夠套用串行數(shù)據(jù)的分析方法，調(diào)用模板幫助判斷。 DDR3信號(hào)質(zhì)量測試,信號(hào)一致性測試。吉林DDR一致性測試參考價(jià)格

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DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種： 一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒，另一 種是做成DIMM條(Dual In - line Memory Module,雙列直插內(nèi)存模塊，主要用于服務(wù)器和 PC)或SO - DIMM(Small Outline DIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存，主要用于筆記本) 的形式插  在主板上使用。

在服務(wù)器領(lǐng)域，使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒有額外驅(qū)動(dòng)電路，延時(shí)較小，但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個(gè)內(nèi)存顆粒時(shí)，UDIMM需要保證CPU到每個(gè)內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等，設(shè)計(jì)難度較大，因此UDIMM在容量和頻率上都較低，通常應(yīng)用在性能/容量要求不高的場合。 天津DDR一致性測試推薦貨源