遼寧定制開發(fā)射頻功率放大器系列

來源: 發(fā)布時間:2022-01-03

    用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配;所述驅(qū)動放大電路,用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號;所述反饋電路,用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益;所述級間匹配電路,用于使所述驅(qū)動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配;所述功率放大電路,用于放大所述級間匹配電路輸出的信號;所述輸出匹配電路,用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例提供一種增益控制方法,應用于上述的射頻功率放大器電路,所述方法包括:終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后,確定所述射頻功率放大器電路的工作模式,并通過發(fā)送模式控制信號控制所述射頻功率放大器電路進入所述工作模式;所述可控衰減電路,根據(jù)所述終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號,實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換;所述輸入匹配電路,用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配;所述驅(qū)動放大電路,用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號;所述反饋電路,用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益;所述級間匹配電路,用于使所述驅(qū)動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配;所述功率放大電路。功率放大器按照工作狀態(tài)分為線性放大和非線性放大兩種非線性放大器 效率比較高而線性放大器的效率比較低。遼寧定制開發(fā)射頻功率放大器系列

    處理器308即處理器,用于控制所述射頻功率放大器的開啟和關閉。輸入單元403可用于接收輸入的數(shù)字或字符信息,以及產(chǎn)生與用戶設置以及功能控制有關的鍵盤、鼠標、操作桿、光學或者軌跡球信號輸入。具體地,在一個具體的實施例中,輸入單元403可包括觸敏表面以及其他輸入設備。觸敏表面,也稱為觸摸顯示屏或者觸控板,可收集用戶在其上或附近的觸摸操作(比如用戶使用手指、觸筆等任何適合的物體或附件在觸敏表面上或在觸敏表面附近的操作),并根據(jù)預先設定的程式驅(qū)動相應的連接裝置??蛇x的,觸敏表面可包括觸摸檢測裝置和觸摸控制器兩個部分。其中,觸摸檢測裝置檢測用戶的觸摸方位,并檢測觸摸操作帶來的信號,將信號傳送給觸摸控制器;觸摸控制器從觸摸檢測裝置上接收觸摸信息,并將它轉(zhuǎn)換成觸點坐標,再送給處理器408,并能接收處理器408發(fā)來的命令并加以執(zhí)行。此外,可以采用電阻式、電容式、紅外線以及表面聲波等多種類型實現(xiàn)觸敏表面。除了觸敏表面,輸入單元403還可以包括其他輸入設備。具體地,其他輸入設備可以包括但不限于物理鍵盤、功能鍵(比如音量控制按鍵、開關按鍵等)、軌跡球、鼠標、操作桿等中的一種或多種。安徽現(xiàn)代化射頻功率放大器制定微波功率放大器(PA)是微波通信系統(tǒng)、廣播電視發(fā)射、雷達、導航系統(tǒng)的部件之一。

    寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級或多級lc匹配。cllc結(jié)構,采用串聯(lián)電容到地電感級聯(lián)串聯(lián)電感到地電容;lccl采用串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)串聯(lián)電容到地電感。這兩種結(jié)構優(yōu)點是結(jié)構較簡單,插損較?。蝗秉c是寬帶性能一致性不好,在不同的頻率性能不一致,而且諧波性能差。兩級或多級lc結(jié)構,采用兩級或多級串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)在一起。這種結(jié)構優(yōu)點是諧波性能好,可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點插損較大。采用普通結(jié)構變壓器實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結(jié)構優(yōu)點是結(jié)構相對簡單,缺點是難以實現(xiàn)寬帶功率放大器,寬帶性能一致性差,諧波性能也較差。采用普通結(jié)構變壓器級聯(lián)lc匹配實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,采用變壓器及其輸入輸出匹配電容,輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構優(yōu)點是諧波性能好,可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點插損較大。技術實現(xiàn)要素:本發(fā)明實施例解決的是如何實現(xiàn)射頻功率放大器在較寬的頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)一致性的同時,具有較好的諧波性能和工作效率。為解決上述技術問題,本發(fā)明實施例提供一種射頻功率放大器。

    主次級線圈121的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接;輔次級線圈122的端與主次級線圈121的第二端耦接,輔次級線圈122的第二端與匹配濾波電路中的輸出端匹配濾波電路耦接。也就是說,在本發(fā)明實施例中,次級線圈由主次級線圈121以及輔次級線圈122組成,輔次級線圈122可以與輸出端匹配濾波電路組成功率合成的功能。在具體實施中,匹配濾波電路可以包括輸入端匹配濾波電路以及輸出端匹配濾波電路。輸入端匹配濾波電路可以與功率合成變壓器的輸入端、功率放大單元的輸出端耦接,以及與功率合成變壓器的第二輸入端、功率放大單元的第二輸出端耦接。輸出端匹配濾波電路可以串聯(lián)在輔次級線圈122的第二端與地之間。在具體實施中,輸入端匹配濾波電路可以包括子濾波電路以及第二子濾波電路,其中:子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸出端耦接,子濾波電路的第二端可以接地;第二子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸出端耦接,第二子濾波電路的第二端可以接地。也就是說,在本發(fā)明實施例中,在功率合成變壓器的輸入端以及功率合成變壓器的第二輸入端可以均設置有對應的濾波電路。目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs,GAN和LDMOS工藝。

將導致更復雜的天線調(diào)諧器和多路復用器。RF系統(tǒng)級封裝(SiP)市場可分為一級和二級SiP封裝:各種RF器件的一級封裝,如芯片/晶圓級濾波器、開關和放大器(包括RDL、RSV和/或凸點步驟);在表面貼裝(SMT)階段進行的二級SiP封裝,其中各種器件與無源器件一起組裝在SiP基板上。2018年,射頻前端模組SiP市場(包括一級和二級封裝)總規(guī)模為33億美元,預計2018~2023年期間的復合年均增長率(CAGR)將達到,市場規(guī)模到2023年將增長至53億美元。預測2023年,PAMiDSiP組裝預計將占RFSiP市場總營收的39%。2018年,晶圓級封裝大約占RFSiP組裝市場總量的9%。移動領域各種射頻前端模組的SiP市場,包括:PAMiD(帶集成雙工器的功率放大器模塊)、PAM(功率放大器模塊)、RxDM(接收分集模塊)、ASM(開關復用器、天線開關模塊)、天線耦合器(多路復用器)、LMM(低噪聲放大器-多路復用器模塊)、MMMBPa(多模、多頻帶功率放大器)和毫米波前端模組。MEMS預測,到2023年,用于蜂窩和連接的射頻前端SiP市場將分別占SiP市場總量的82%和18%。按蜂窩通信標準,支持5G(sub-6GHz和毫米波)的前端模組將占到2023年RFSiP市場總量的28%。智能手機將貢獻射頻前端模組SiP組裝市場的43%。諧波抑制,功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號同時在各項諧波幅度大小與信號大小呈一定的比例關系。北京定制開發(fā)射頻功率放大器設計

在所有微波發(fā)射系統(tǒng)中,都需要功率放大器將信號放大到足夠的功 率電平,以實現(xiàn)信號的發(fā)射。遼寧定制開發(fā)射頻功率放大器系列

    能夠快速設置各個射頻功率放大器。本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法,包括:預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值;計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值;比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值;所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等,開啟所述射頻功率放大器;所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等,所述射頻功率放大器配置完成??蛇x的,在本申請的一些實施例中,所述預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值,包括:所述配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關閉狀態(tài)的電阻值;所述射頻功率放大器設置匹配電阻;所述關閉狀態(tài)的電阻值為所述射頻功率放大器的電阻值;所述開啟狀態(tài)的電阻值為所述匹配電阻的電阻值??蛇x的,在本申請的一些實施例中,所述計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,包括:rj=vgpio*r0/(vdd-vgpio);其中,rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,vgpio為處理器引腳的電壓值,vdd為電源電壓,r0為計算電阻的電阻值??蛇x的,在本申請的一些實施例中,所述匹配電阻包括:不同的射頻功率放大器設置不同的匹配電阻。遼寧定制開發(fā)射頻功率放大器系列

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