即射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值為射頻功率放大器211的電阻值是r11，射頻功率放大器212、213和214的電阻值仍是r2、r3和r4。計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測模塊的電阻值是r11，與配置狀態(tài)電阻值相同，則表示射頻功率放大器211已經開啟；如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測模塊的電阻值是r1，與配置狀態(tài)電阻值不相同，則表示射頻功率放大器211未開啟，移動終端開啟射頻功率放大器211。計算的各個射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與配置狀態(tài)電阻值均相同時，則射頻功率放大器已經配置完成。其中，頻段切換前，射頻功率放大器的初始狀態(tài)包括開啟狀態(tài)和關閉狀態(tài)，包括兩種情況：全部是關閉狀態(tài)或者部分關閉，部分開啟。頻段切換時，移動終端會對所有射頻功率放大器發(fā)出配置指令，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與本次指令要求的電阻值未有變化，則不作操作，否則按當前指令的電阻值進行射頻功率放大器的相關配置。103、比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即移動終端切換頻段時，此時射頻功率放大器的電阻值。在通信和雷達系統(tǒng)率放大器是極其重要的組成部分主要參數(shù)有最大輸出功率、效率、線性度和增益等。廣東V段射頻功率放大器哪里賣
并對漏級供電電壓vcc進行控制，從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變大，使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實施例提供的技術方案具有以下優(yōu)點：在信號的輸入端設計可變衰減電路，在實現(xiàn)射頻功率放大器電路負增益的同時，對非負增益模式下該電路性能的影響很小，并且加強了對輸入端口的靜電保護，電路結構簡單，占用芯片面積小，能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實施例還提供了一種增益控制方法，應用于上述實施例中的的射頻功率放大器電路，包括：終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，確定射頻功率放大器電路的工作模式，并通過發(fā)送模式控制信號控制射頻功率放大器電路進入工作模式；可控衰減電路，根據終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換；輸入匹配電路，使可控衰減電路和驅動放大電路之間阻抗匹配；驅動放大電路，放大輸入匹配電路輸出的信號；反饋電路，調節(jié)射頻功率放大器電路的增益；級間匹配電路，使驅動放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配；功率放大電路，放大級間匹配電路輸出的信號；輸出匹配電路，使射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。其中。遼寧L波段射頻功率放大器要多少錢射頻功率放大器的主要技術指標是輸出功率與效率如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設計目標的。
需要滿足：r20+r30＝r0，x20+x30＝x0，在zin和z30已知的情況下，可以計算得到r20和x20，進一步的，在第二電阻和開關的參數(shù)已知的情況下，可以計算得到電感的參數(shù)值。因為加入輸入匹配電路后的等效阻抗z20+z30與輸入阻抗zin能實現(xiàn)較好的匹配，因此，輸入端的回波損耗可滿足要求。其中，因為電感集成于硅基芯片上，所以，電感的品質因數(shù)一般不大于5。因為電感的品質因數(shù)小，因此在非負增益模式下，可控衰減電路的頻選特性不明顯，頻率響應帶寬較寬。在負增益模式下，回波損耗和頻率響應帶寬也能滿足要求。在一個可能的示例中，驅動放大電路102包括：第二電容c2、第二mos管t2和第三mos管t3，其中：第二mos管的柵級與第三電阻的第二端連接，第二mos管的漏級與第三mos管的源級連接，第二mos管的源級接地，第二電容的端連接第三mos管的柵級，第二電容的第二端接地。其中，第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一樣。在一個可能的示例中，反饋電路103包括：第三電容c3、第四電容c4、第五電容c5、第六電容c6、第四電阻r4、第五電阻r5和開關k1，其中：第四電容的端和第六電容的端連接第三mos管的漏級，第四電容的第二端連接第四電阻的端，第四電阻的第二段連接第三電容的端。
以對輸入至功率合成變壓器的信號進行對應的匹配濾波處理。在具體實施中，子濾波電路可以包括電容c1，電容c1的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸入端耦接，第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，為提高諧波濾波性能，子濾波電路還可以包括電感l(wèi)1，電感l(wèi)1可以設置電容c1的第二端與地之間。參照圖2，給出了本發(fā)明實施例中的另一種射頻功率放大器的電路結構圖。圖2中，子濾波電路包括電感l(wèi)1以及電容c1，電感l(wèi)1串聯(lián)在電容c1的第二端與地之間。在具體實施中，第二子濾波電路可以包括第二電容c2，第二電容c2的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸入端耦接，第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，為提高諧波濾波性能，第二子濾波電路還可以包括第二電感l(wèi)2，第二電感l(wèi)2可以設置第二電容c2的第二端與地之間。繼續(xù)參照圖2，第二子濾波電路包括第二電感l(wèi)2以及第二電容c2，第二電感l(wèi)2串聯(lián)在第二電容c2的第二端與地之間。在具體實施中，串聯(lián)電感的到地電容和該電感的諧振頻率可以在功率放大單元的二次諧波頻率附近。也就是說，當子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1時，電容c1與電感l(wèi)1的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。相應地。射頻功率放大器器件放大管基本上由氮化鎵，砷化鎵，LDMOS管電路運用。
LX5535+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96高功率版本參考設計中，F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無線網卡參考設計中。LX5518則是近年應用較多的一款高功率PA，與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講，MicrosemiLX5518與SkyworksSE2576占據了。LX5518的強悍性能如下圖所示。RFaxisRFaxis是一家相對較新的射頻半導體公司，成立于2008年1月，總部設于美國加州，專業(yè)從事射頻半導體的設計和開發(fā)。憑借其獨有的技術，RFaxis公司專為數(shù)十億美元的Bluetooth、WLAN、、ZigBee、AMR/AMI和無線音頻/視頻市場設計的下一代無線解決方案。利用純CMOS并結合其自身的創(chuàng)新方法和技術，RFaxis開發(fā)出全球射頻前端集成電路(RFeIC)。相信讀者一定了解，CMOSPA的巨大優(yōu)勢就是成本低，在如今WiFi設備價格如此敏感的環(huán)境下，這是RFaxis開拓市場的利器。從RFaxis的官方上可以看到已經有多款WiFiPA，但缺少匯總數(shù)據，用戶很難快速選型。本文*給出RFaxis主推的RFX240的性能。RFICRFIC的全稱是RFIntegratedCorp.，中文名稱是朗弗科技股份有限公司，這家公司顯得十分低調，在其官網上甚至找不到任何有關公司的介紹，筆者也是醉了。射頻功率放大器是無線通信系統(tǒng)中非常重要的組件。天津高頻射頻功率放大器哪里賣
匹配電路是放大器設計中關鍵一環(huán)，可以說放大設計主要是匹配設計。廣東V段射頻功率放大器哪里賣
用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換，電路結構簡單，能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發(fā)明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖1b為本發(fā)明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的電路結構示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖2b為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結構示意圖圖3為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖5a為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖5b為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的反饋電路的示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的偏置電路的示意圖；圖8為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的等效示意圖；圖9為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的的示意圖。廣東V段射頻功率放大器哪里賣
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