顯然,所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例,本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法及裝置。本申請(qǐng)實(shí)施例的移動(dòng)終端可以為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等設(shè)備。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說明。需說明的是,以下實(shí)施例的描述順序不作為對(duì)實(shí)施例推薦順序的限定。一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法,包括:預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值,計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值,比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值,所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等,開啟所述射頻功率放大器,所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等,所述射頻功率放大器配置完成。如圖1所示,該方法的具體流程可以如下:101、預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如,移動(dòng)終端在連接一個(gè)頻段時(shí),需要啟動(dòng)該頻段所對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器。根據(jù)移動(dòng)終端所切換的頻段,預(yù)設(shè)該頻段對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器的配置狀態(tài)。噪聲系數(shù)是指輸入端信噪比與放大器輸出端信噪比的比值,單位常用“dB'’。重慶超寬帶射頻功率放大器電話多少
使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式??梢姡ㄟ^微控制器可控制第二mos管和第四mos管的漏級(jí)電流、第三mos管和第五mos管的門級(jí)電壓,進(jìn)而可調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路和功率放大電路的放大倍數(shù),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)射頻功率放大器電路的增益的線性調(diào)節(jié)。根據(jù)上述實(shí)施例可知,若需要使射頻功率放大器電路為非負(fù)增益模式,需要微控制器控制開關(guān)關(guān)斷,控制第二開關(guān)關(guān)斷,控制偏置電路使第二mos管的漏級(jí)電流和第三mos管的柵級(jí)電壓均變大,控制第二偏置電路使第四mos管的漏級(jí)電流和第五mos管的柵級(jí)電壓均變大。其中,第二開關(guān)關(guān)斷時(shí),反饋電路的放大系數(shù)af較大,有助于輸入信號(hào)的放大,偏置電路和第二偏置電路中漏極電流、門極電壓、漏級(jí)供電電壓較大,也有助于輸入信號(hào)的放大,開關(guān)關(guān)斷,則可控衰減電路被隔離開,對(duì)輸入信號(hào)的影響較小,通過這樣的控制,可以實(shí)現(xiàn)輸入信號(hào)的放大。當(dāng)射頻功率放大器電路的輸出功率(較大)確定后,微處理器可以進(jìn)一步得到其輸入功率和增益值,微處理器對(duì)輸入功率進(jìn)行調(diào)節(jié),控制電壓信號(hào)vgg,使開關(guān)關(guān)斷,控制第二開關(guān)關(guān)斷,通過控制偏置電路和第二偏置電路中的內(nèi)部電流源和內(nèi)部電壓源,并對(duì)漏級(jí)供電電壓vcc進(jìn)行控制,從而使偏置電路中漏級(jí)電流、柵級(jí)電壓變小。使用射頻功率放大器檢測(cè)技術(shù)射頻功率放大器包括A類、AB類、B類和c類等,開關(guān)放大 器包括D類、E類和F類等。
并對(duì)漏級(jí)供電電壓vcc進(jìn)行控制,從而使偏置電路中漏級(jí)電流、柵級(jí)電壓變大,使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):在信號(hào)的輸入端設(shè)計(jì)可變衰減電路,在實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路負(fù)增益的同時(shí),對(duì)非負(fù)增益模式下該電路性能的影響很小,并且加強(qiáng)了對(duì)輸入端口的靜電保護(hù),電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,占用芯片面積小,能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種增益控制方法,應(yīng)用于上述實(shí)施例中的的射頻功率放大器電路,包括:終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后,確定射頻功率放大器電路的工作模式,并通過發(fā)送模式控制信號(hào)控制射頻功率放大器電路進(jìn)入工作模式;可控衰減電路,根據(jù)終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號(hào),實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換;輸入匹配電路,使可控衰減電路和驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配;驅(qū)動(dòng)放大電路,放大輸入匹配電路輸出的信號(hào);反饋電路,調(diào)節(jié)射頻功率放大器電路的增益;級(jí)間匹配電路,使驅(qū)動(dòng)放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配;功率放大電路,放大級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào);輸出匹配電路,使射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。其中。
其次是低端智能手機(jī)(35%)和奢華智能手機(jī)(13%)。25G基站,PA數(shù)倍增長(zhǎng),GaN大有可為5G基站,射頻PA需求大幅增長(zhǎng)5G基站PA數(shù)量有望增長(zhǎng)16倍。4G基站采用4T4R方案,按照三個(gè)扇區(qū),對(duì)應(yīng)的PA需求量為12個(gè),5G基站,預(yù)計(jì)64T64R將成為主流方案,對(duì)應(yīng)的PA需求量高達(dá)192個(gè),PA數(shù)量將大幅增長(zhǎng)。5G基站射頻PA有望量?jī)r(jià)齊升。目前基站用功率放大器主要為基于硅的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS技術(shù),不過LDMOS技術(shù)適用于低頻段,在高頻應(yīng)用領(lǐng)域存在局限性。對(duì)于5G基站PA的一些要求可能包括3~6GHz和24GHz~40GHz的運(yùn)行頻率,RF功率在,預(yù)計(jì)5G基站GaN射頻PA將逐漸成為主導(dǎo)技術(shù),而GaN價(jià)格高于LDMOS和GaAs。GaN具有優(yōu)異的高功率密度和高頻特性。提高功率放大器RF功率的簡(jiǎn)單的方式就是增加電壓,這讓氮化鎵晶體管技術(shù)極具吸引力。如果我們對(duì)比不同半導(dǎo)體工藝技術(shù),就會(huì)發(fā)現(xiàn)功率通常會(huì)如何隨著高工作電壓IC技術(shù)而提高。硅鍺(SiGe)技術(shù)采用相對(duì)較低的工作電壓(2V至3V),但其集成優(yōu)勢(shì)非常有吸引力。GaAs擁有微波頻率和5V至7V的工作電壓,多年來一直應(yīng)用于功率放大器。硅基LDMOS技術(shù)的工作電壓為28V,已經(jīng)在電信領(lǐng)域使用了許多年,但其主要在4GHz以下頻率發(fā)揮作用。由于功率放大器的源和負(fù)載都是50歐姆,輸入匹配電路和輸出匹配 電路主要是對(duì)一端是50歐姆。
橫坐標(biāo)為輸出功率pout,曲線41對(duì)應(yīng)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供給共柵放大器的柵極偏置電壓,曲線42對(duì)應(yīng)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供給共源放大器的柵極偏置電壓。圖5示例性地示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器對(duì)應(yīng)的imd3(thirdorderintermodulation,三階互調(diào))曲線圖51,以及現(xiàn)有的射頻功率放大器對(duì)應(yīng)的imd3曲線圖52,根據(jù)曲線51和曲線52,可以看出本申請(qǐng)實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的imd3得到了提高(增幅為△imd3),橫坐標(biāo)為輸出功率pout。顯然,上述實(shí)施例是為清楚地說明所作的舉例,而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本申請(qǐng)創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。微波功率放大器在大功率下工作要合理設(shè)計(jì)功放結(jié)構(gòu)加裝散熱器以 提高功放管熱量輻散效率保證放大器穩(wěn)定工作。海南寬帶射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
功率放大器線性化技術(shù)一一功率回退、前饋、反饋、預(yù)失真,出于射頻 預(yù)失真結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于集成和實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)。重慶超寬帶射頻功率放大器電話多少
射頻前端集成電路領(lǐng)域,具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術(shù):射頻功率放大器的主要參數(shù)是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實(shí)地放大信號(hào)的參數(shù)。諸如lte和,要求射頻前端模塊具有極高的線性度,射頻功率放大器作為一個(gè)發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分,對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的線性度起著至關(guān)重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成,但是難以嚴(yán)格地滿足線性度需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:為了解決相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問題,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N高線性射頻功率放大器。技術(shù)方案如下:一方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種高線性射頻功率放大器,包括功率放大器、激勵(lì)放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路,自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級(jí)調(diào)節(jié)功率放大器的柵極偏置電壓;功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵(lì)放大器連接射頻輸入端,功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸出端;自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸入端連接射頻輸入端,自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器;其中,自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路至少由若干個(gè)nmos、若干個(gè)pmos管、若干個(gè)電容和電阻組成??蛇x的。重慶超寬帶射頻功率放大器電話多少
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