第三子濾波電路的端可以與輔次級(jí)線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實(shí)施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級(jí)線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實(shí)施中，第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3，第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照?qǐng)D3，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖2相比較而言，圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過增加第三電感l(wèi)3，可以進(jìn)一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實(shí)施中，輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實(shí)施例中，第四子濾波電路的端可以與主次級(jí)線圈121的第二端耦接，第四子濾波電路的第二端可以與射頻功率放大器的輸出端output耦接。第四子濾波電路可以為lc匹配濾波電路，lc匹配濾波電路可以為兩階匹配濾波電路，也可以為多階匹配濾波電路。當(dāng)lc匹配濾波電路為兩階匹配濾波電路時(shí)，其可以包括一個(gè)串聯(lián)電感以及一個(gè)到地電容；當(dāng)lc匹配濾波電路為多階匹配濾波電路時(shí)，其可以包括兩個(gè)串聯(lián)電感或更多串聯(lián)電感和一個(gè)到地電容或更多個(gè)到地電容。效率：功率放大器的效率除了取決于晶體管的工作狀態(tài)、電路結(jié)構(gòu)、負(fù)載 等因素外，還與輸出匹配電路密切相關(guān)。山東寬帶射頻功率放大器報(bào)價(jià)
本申請(qǐng)實(shí)施例涉及但不限于射頻前端電路，尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術(shù)：射頻前端系統(tǒng)中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求發(fā)射功率可調(diào)，當(dāng)pa之前射頻收發(fā)器的輸出動(dòng)態(tài)范圍有限時(shí)，就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應(yīng)用場(chǎng)景中，對(duì)射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出，其動(dòng)態(tài)范圍要達(dá)到35～40db，并出現(xiàn)負(fù)增益的需求模式。相關(guān)技術(shù)中通常通過反饋電路提供的負(fù)反饋來對(duì)增益進(jìn)行調(diào)節(jié)，但是反饋電路只能增加或減少增益，而不能實(shí)現(xiàn)負(fù)增益，無法滿足射頻功率放大器電路的負(fù)增益需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種射頻功率放大器電路，應(yīng)用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路、輸入匹配電路、驅(qū)動(dòng)放大電路、級(jí)間匹配電路、功率放大電路和輸出匹配電路，與所述驅(qū)動(dòng)放大電路跨接的反饋電路；所述可控衰減電路，用于根據(jù)所述終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換；所述輸入匹配電路。陜西短波射頻功率放大器供應(yīng)商放大器能把輸入信號(hào)的電壓或功率放大的裝置，由電子管或晶體管、電源變壓器和其他電器元件組成。
其次是低端智能手機(jī)（35%）和奢華智能手機(jī)（13%）。25G基站，PA數(shù)倍增長(zhǎng)，GaN大有可為5G基站，射頻PA需求大幅增長(zhǎng)5G基站PA數(shù)量有望增長(zhǎng)16倍。4G基站采用4T4R方案，按照三個(gè)扇區(qū)，對(duì)應(yīng)的PA需求量為12個(gè)，5G基站，預(yù)計(jì)64T64R將成為主流方案，對(duì)應(yīng)的PA需求量高達(dá)192個(gè)，PA數(shù)量將大幅增長(zhǎng)。5G基站射頻PA有望量?jī)r(jià)齊升。目前基站用功率放大器主要為基于硅的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS技術(shù)，不過LDMOS技術(shù)適用于低頻段，在高頻應(yīng)用領(lǐng)域存在局限性。對(duì)于5G基站PA的一些要求可能包括3~6GHz和24GHz~40GHz的運(yùn)行頻率，RF功率在，預(yù)計(jì)5G基站GaN射頻PA將逐漸成為主導(dǎo)技術(shù)，而GaN價(jià)格高于LDMOS和GaAs。GaN具有優(yōu)異的高功率密度和高頻特性。提高功率放大器RF功率的簡(jiǎn)單的方式就是增加電壓，這讓氮化鎵晶體管技術(shù)極具吸引力。如果我們對(duì)比不同半導(dǎo)體工藝技術(shù)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)功率通常會(huì)如何隨著高工作電壓IC技術(shù)而提高。硅鍺(SiGe)技術(shù)采用相對(duì)較低的工作電壓（2V至3V），但其集成優(yōu)勢(shì)非常有吸引力。GaAs擁有微波頻率和5V至7V的工作電壓，多年來一直應(yīng)用于功率放大器。硅基LDMOS技術(shù)的工作電壓為28V，已經(jīng)在電信領(lǐng)域使用了許多年，但其主要在4GHz以下頻率發(fā)揮作用。
被公認(rèn)為是很合適的通信用半導(dǎo)體材料。在手機(jī)無線通信應(yīng)用中，目前射頻功率放大器絕大部分采用GaAs材料。在GSM通信中，國內(nèi)的紫光展銳和漢天下等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)曾憑借RFCMOS制程的高集成度和低成本的優(yōu)勢(shì)，打破了采用國際廠商采用傳統(tǒng)的GaAs制程完全主導(dǎo)射頻功放的格局。但是到了4G時(shí)代，由于Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等缺點(diǎn)，RFCMOS已經(jīng)不能滿足要求，手機(jī)射頻功放重新回到GaAs制程完全主導(dǎo)的時(shí)代。與射頻功放器件依賴于GaAs材料不同，90%的射頻開關(guān)已經(jīng)從傳統(tǒng)的GaAs工藝轉(zhuǎn)向了SOI（Silicononinsulator）工藝，射頻收發(fā)機(jī)大多數(shù)也已采用RFCMOS制程，從而滿足不斷提高的集成度需求。5G時(shí)代，GaN材料適用于基站端。在宏基站應(yīng)用中，GaN材料憑借高頻、高輸出功率的優(yōu)勢(shì)，正在逐漸取代SiLDMOS；在微基站中，未來一段時(shí)間內(nèi)仍然以GaAsPA件為主，因其目前具備經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的可靠性和高性價(jià)比的優(yōu)勢(shì)，但隨著器件成本的降低和技術(shù)的提高，GaNPA有望在微基站應(yīng)用在分得一杯羹；在移動(dòng)終端中，因高成本和高供電電壓，GaNPA短期內(nèi)也無法撼動(dòng)GaAsPA的統(tǒng)治地位。全球GaAs射頻器件被國際巨頭壟斷。全球GaAs射頻器件市場(chǎng)以IDM模式為主。在所有微波發(fā)射系統(tǒng)中，都需要功率放大器將信號(hào)放大到足夠的功 率電平，以實(shí)現(xiàn)信號(hào)的發(fā)射。
顯示單元404可用于顯示由用戶輸入的信息或提供給用戶的信息以及終端的各種圖形用戶接口，這些圖形用戶接口可以由圖形、文本、圖標(biāo)、視頻和其任意組合來構(gòu)成。顯示單元404可包括顯示面板，可選的，可以采用液晶顯示器(lcd，liquidcrystaldisplay)、有機(jī)發(fā)光二極管(oled，organiclight-emittingdiode)等形式來配置顯示面板。進(jìn)一步的，觸敏表面可覆蓋顯示面板，當(dāng)觸敏表面檢測(cè)到在其上或附近的觸摸操作后，傳送給處理器408以確定觸摸事件的類型，隨后處理器408根據(jù)觸摸事件的類型在顯示面板上提供相應(yīng)的視覺輸出。雖然在圖4中，觸敏表面與顯示面板是作為兩個(gè)的部件來實(shí)現(xiàn)輸入和輸入功能，但是在某些實(shí)施例中，可以將觸敏表面與顯示面板集成而實(shí)現(xiàn)輸入和輸出功能。移動(dòng)終端還可包括至少一種傳感器405，比如光傳感器、運(yùn)動(dòng)傳感器以及其他傳感器。具體地，光傳感器可包括環(huán)境光傳感器及接近傳感器，其中，環(huán)境光傳感器可根據(jù)環(huán)境光線的明暗來調(diào)節(jié)顯示面板的亮度，接近傳感器可在終端移動(dòng)到耳邊時(shí)，關(guān)閉顯示面板和/或背光。作為運(yùn)動(dòng)傳感器的一種，重力加速度傳感器可檢測(cè)各個(gè)方向上(一般為三軸)加速度的大小，靜止時(shí)可檢測(cè)出重力的大小及方向，可用于識(shí)別手機(jī)姿態(tài)的應(yīng)用。由于微波固態(tài)功率放大器輸出功率較大，很小的功率泄漏都會(huì)對(duì)周圍電路的 工作產(chǎn)生較大影響。浙江寬帶射頻功率放大器價(jià)格多少
射頻功率放大器一般都采用選頻網(wǎng)絡(luò)作為負(fù)載回路。山東寬帶射頻功率放大器報(bào)價(jià)
RF)領(lǐng)域成為全球的IC供貨商。立積電子的產(chǎn)品主要分為兩個(gè)產(chǎn)品線：一是射頻技術(shù)相關(guān)的收發(fā)器，另一個(gè)是射頻前端的相關(guān)射頻組件。Richwave的WiFiPA多見于Mediatek（Ralink）的參考設(shè)計(jì)，眾所周知，中國臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商喜歡在參考設(shè)計(jì)中選用中國臺(tái)灣的半導(dǎo)體器件，無源器件，這是促進(jìn)本土經(jīng)濟(jì)技術(shù)發(fā)展的有效手段。與RFaxis類似，Richwave官方網(wǎng)站也同樣沒有PA的匯總數(shù)據(jù)，只能看到其全部型號(hào)列表。筆者在早期的WiFi產(chǎn)品設(shè)計(jì)中試用過Richwave的RTC6691，其性能指標(biāo)如下圖所示。SkyworksSkyworks（于2011年收購了SiGe）同樣是一家老牌射頻半導(dǎo)體廠商，是高可靠性混合信號(hào)半導(dǎo)體的創(chuàng)新者。憑借其技術(shù)，Skyworks提供多樣化的標(biāo)準(zhǔn)及定制化線性產(chǎn)品，以支持汽車、寬帶、蜂窩式架構(gòu)、能源管理、工業(yè)、醫(yī)療、國防和移動(dòng)電話設(shè)備。產(chǎn)品系列包括放大器、衰減器、偵測(cè)器、二極管、定向耦合器、射頻前端模組、混合電路、基礎(chǔ)設(shè)施射頻子系統(tǒng)、/解調(diào)器、移相器、PLL/合成器/VCO、功率分配器/結(jié)合器、接收器、切換器和高科技陶瓷器件。Skyworks同樣具有種類齊全的WiFiPA產(chǎn)品線，在近期的QualcommAtheros的參考設(shè)計(jì)中，幾乎全部使用了Skyworks的WiFiPA/FEM。山東寬帶射頻功率放大器報(bào)價(jià)