計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。本方案在當移動終端切換射頻頻段啟動射頻功率放大器時，能夠通過對射頻功率放大器的狀態(tài)檢測，快速設置各個射頻功率放大器從而提升射頻的頻段切換的速度。附圖說明為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法的流程示意圖；圖2為本申請實施例提供的一種射頻功率放大器檢測電路的連接示意圖；圖3是本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測裝置的結構示意圖；圖4是本申請實施例提供的移動終端的結構示意圖。具體實施方式下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。甲類工作狀態(tài)：功放大器在信號周期內始終存在工作電流，即導通角0為360度。珠海射頻功率放大器生產(chǎn)廠家
AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領域的需求，也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測試標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點效率，但相比A類放大器則具有高效率（理論上可達60%到65%）。AB類放大器的優(yōu)點：與A類放大器相比，功率效率提高。AB類放大器的設計可以使用比A類更少的器件，對于相同的功率等級和頻率范圍，體積更小，價格更便宜。使用風冷，比A類放大器的冷卻器要輕。AB類放大器的缺點：產(chǎn)生的諧波需要注意具體產(chǎn)品給出的指標，尤其是二次諧波，AB類放大器可以通過仔細調整偏置的設置和采用推挽拓補結構將諧波明顯抑制。C類放大器C類放大器的晶體管偏置設置使得器件在小于輸入信號的半個周期內導通，在沒有輸入信號時不消耗電源電流，因此效率很高，可高達90%左右。C類放大器在通常的商業(yè)EMC測試中很少使用，因為它們不能對連續(xù)波進行放大。它們在窄帶、脈沖應用中得到了應用，比如汽車電子ISO11452-2中的雷達波測試，DO-160以及MIL-464中的HIRF高脈沖場強測試等。C類放大器的工作原理圖如圖6所示。圖6：C類放大器的工作原理圖C類放大器相當于工作在飽和狀態(tài)而不是線性區(qū)，也就是輸入如果是正弦信號。珠海射頻功率放大器生產(chǎn)廠家GaN作為功率放大器中具有優(yōu)良材料 的寬帶隙半導體材料之一被譽為第5代半導體在微電應用領域存 在的應用.
用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換，電路結構簡單，能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發(fā)明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖1b為本發(fā)明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的電路結構示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖2b為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結構示意圖圖3為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖5a為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖5b為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的反饋電路的示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的偏置電路的示意圖；圖8為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的等效示意圖；圖9為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的的示意圖。
因為這些特性，GaAs器件被應用在無線通信、衛(wèi)星通訊、微波通信、雷達系統(tǒng)等領域，能夠在更高的頻率下工作，高達Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設計變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設計的常用選擇，在80MHz到6GHz的頻率范圍內的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是對高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進結構，也稱為贗調制摻雜異質結場效應晶體管（PMODFET），具有更高的電子面密度（約高2倍）；同時，這里的電子遷移率也較高（比GaAs中的高9%），因此PHEMT的性能更加優(yōu)越。PHEMT具有雙異質結的結構，這不提高了器件閾值電壓的溫度穩(wěn)定性，而且也改善了器件的輸出伏安特性，使得器件具有更大的輸出電阻、更高的跨導、更大的電流處理能力以及更高的工作頻率、更低的噪聲等。采用這種材料可以實現(xiàn)頻率達40GHz，功率達幾W的功率放大器。在EMC領域，采用此種材料可以實現(xiàn)，功率達200W的功率放大器。氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaNHEMT）氮化鎵（GaN）HEMT是新一代的射頻功率晶體管技術，與GaAs和Si基半導體技術相比。功率放大器的放大原理主要是將電源的直流功率轉化成交流信號功率輸出。
第六電容的第二端連接第二開關的端，第二開關的第二端連接第五電阻的端，第五電阻的第二端連接第五電容的端，第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端；其中，第二開關，用于響應微處理器發(fā)出的第七控制信號使自身處于關斷狀態(tài)，以降低反饋深度，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負增益模式；還用于響應第八控制信號使自身處于導通狀態(tài)，以增加反饋深度，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負增益模式。需要說明的是，假設射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時的放大系數(shù)為a，反饋電路的反饋系數(shù)為f，則加入反饋電路后射頻功率放大器電路100的放大系數(shù)af＝a/(1+af)，隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低，反饋系數(shù)f變大，反饋深度增加，放大系數(shù)af變小，有利于射頻功率放大器電路實現(xiàn)負增益模式。其中，第四電阻的阻值大于第五電阻的阻值。第二開關響應微處理器發(fā)出的第七控制信號使自身處于關斷狀態(tài)，以降低反饋深度，從而使射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負增益模式；第二開關響應微處理器發(fā)出的第八控制信號使自身處于導通狀態(tài)，以增加反饋深度，從而使射頻功率放大器電路實現(xiàn)負增益模式。在一些實施例中，反饋電路還可如圖6所示。匹配電路是放大器設計中關鍵一環(huán)，可以說放大設計主要是匹配設計。1-3G射頻功率放大器生產(chǎn)廠家
根據(jù)晶體管的增益斜率和放大器增益要求，確定待綜合匹配網(wǎng)絡的衰減斜 率、波紋、帶寬，并導出其衰減函數(shù)。珠海射頻功率放大器生產(chǎn)廠家
射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關閉狀態(tài)的電阻值。根據(jù)移動終端所切換的頻段，預設該頻段對應的射頻功率放大器的配置狀態(tài)，由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。(2)計算單元302計算單元302，用于計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。例如，移動終端進行頻段切換時，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，通過計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，從而獲取此時射頻功率放大器的狀態(tài)。其中，計算單元還包括計算電阻和處理器，計算電阻一端與射頻功率放大器檢測模塊連接，計算電阻另一端與電源電壓連接；處理器的引腳與計算電阻和射頻功率放大器檢測模塊連接。(3)比較單元303比較單元303，用于比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，將射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與預設的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時射頻功率放大器是否已完成配置。射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即移動終端頻段切換時的射頻功率放大器的電阻值。其中，射頻功率放大器檢測模塊與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示射頻功率放大器還沒有開啟，移動終端開啟此射頻功率放大器。珠海射頻功率放大器生產(chǎn)廠家