下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施方式,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器中自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的電路原理圖;圖3是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖;圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供的偏置電壓與輸出功率的曲線示意圖;圖5是現(xiàn)有的射頻高功率放大器與本申請(qǐng)實(shí)施例提供的高線性射頻放大器的imd3曲線圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合附圖,對(duì)本申請(qǐng)中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)的一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。在本申請(qǐng)的描述中,需要說(shuō)明的是,術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系。射頻功率放大器的主要技術(shù)指標(biāo)是輸出功率與效率如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設(shè)計(jì)目標(biāo)的。福建低頻射頻功率放大器技術(shù)
AB類(lèi)放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領(lǐng)域的需求,也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類(lèi)放大器為了線性度與B類(lèi)放大器相比了一點(diǎn)效率,但相比A類(lèi)放大器則具有高效率(理論上可達(dá)60%到65%)。AB類(lèi)放大器的優(yōu)點(diǎn):與A類(lèi)放大器相比,功率效率提高。AB類(lèi)放大器的設(shè)計(jì)可以使用比A類(lèi)更少的器件,對(duì)于相同的功率等級(jí)和頻率范圍,體積更小,價(jià)格更便宜。使用風(fēng)冷,比A類(lèi)放大器的冷卻器要輕。AB類(lèi)放大器的缺點(diǎn):產(chǎn)生的諧波需要注意具體產(chǎn)品給出的指標(biāo),尤其是二次諧波,AB類(lèi)放大器可以通過(guò)仔細(xì)調(diào)整偏置的設(shè)置和采用推挽拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)將諧波明顯抑制。C類(lèi)放大器C類(lèi)放大器的晶體管偏置設(shè)置使得器件在小于輸入信號(hào)的半個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通,在沒(méi)有輸入信號(hào)時(shí)不消耗電源電流,因此效率很高,可高達(dá)90%左右。C類(lèi)放大器在通常的商業(yè)EMC測(cè)試中很少使用,因?yàn)樗鼈儾荒軐?duì)連續(xù)波進(jìn)行放大。它們?cè)谡瓗?、脈沖應(yīng)用中得到了應(yīng)用,比如汽車(chē)電子ISO11452-2中的雷達(dá)波測(cè)試,DO-160以及MIL-464中的HIRF高脈沖場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試等。C類(lèi)放大器的工作原理圖如圖6所示。圖6:C類(lèi)放大器的工作原理圖C類(lèi)放大器相當(dāng)于工作在飽和狀態(tài)而不是線性區(qū),也就是輸入如果是正弦信號(hào)。陜西高頻射頻功率放大器值得推薦功率放大器在無(wú)線通信系統(tǒng)中是一個(gè)不可缺少的重要組成部分通信體制的發(fā)展功率放大器進(jìn)入了快速發(fā)展的階段。
5G時(shí)代,智能手機(jī)將采用2發(fā)射4接收方案,未來(lái)有望演進(jìn)為8接收方案。功率放大器(PA)是一部手機(jī)關(guān)鍵的器件之一,它直接決定了手機(jī)無(wú)線通信的距離、信號(hào)質(zhì)量,甚至待機(jī)時(shí)間,是整個(gè)射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動(dòng)智能移動(dòng)終端、基站端及IOT設(shè)備射頻PA穩(wěn)健增長(zhǎng)。功率放大器市場(chǎng)增長(zhǎng)相對(duì)穩(wěn)健,復(fù)合年增長(zhǎng)率為7%,將從2017年的50億美元增長(zhǎng)到2023年的70億美元。LTE功率放大器市場(chǎng)的增長(zhǎng),尤其是高頻和超高頻,將彌補(bǔ)2G/3G市場(chǎng)的萎縮。15G智能移動(dòng)終端,射頻PA的大機(jī)遇5G推動(dòng)手機(jī)射頻PA量?jī)r(jià)齊升無(wú)論是在基站端還是設(shè)備終端,5G給供應(yīng)商帶來(lái)的挑戰(zhàn)都首先體現(xiàn)在射頻方面,因?yàn)檫@是設(shè)備“上”網(wǎng)的關(guān)鍵出入口,即將到來(lái)的5G手機(jī)將會(huì)面臨更多頻段的支持、不同的調(diào)制方向、信號(hào)路由的選擇、開(kāi)關(guān)速度的變化等多方面的技術(shù)挑戰(zhàn)外,也會(huì)帶來(lái)相應(yīng)市場(chǎng)機(jī)遇。5G將給天線數(shù)量、射頻前端模塊價(jià)值量帶來(lái)翻倍增長(zhǎng)。以5G手機(jī)為例,單部手機(jī)的射頻半導(dǎo)體用量達(dá)到25美金,相比4G手機(jī)近乎翻倍增長(zhǎng)。其中濾波器從40個(gè)增加至70個(gè),頻帶從15個(gè)增加至30個(gè),接收機(jī)發(fā)射機(jī)濾波器從30個(gè)增加至75個(gè),射頻開(kāi)關(guān)從10個(gè)增加至30個(gè),載波聚合從5個(gè)增加至200個(gè)。5G手機(jī)功率放大器。
令rj為射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值,rj=vgpio*r0/(vdd-vgpio);vgpio為處理器引腳的電壓值,vdd為電源電壓,r0為計(jì)算電阻的電阻值。計(jì)算電阻r0的電阻值已知,本申請(qǐng)對(duì)于計(jì)算電阻r0的電阻值的設(shè)置不作限定,計(jì)算電阻r0用于計(jì)算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的射頻功率放大器檢測(cè)電路的連接示意圖。請(qǐng)參閱圖2,以四個(gè)射頻功率放大器并聯(lián)為例,計(jì)算電阻201的一端與電源電壓vdd相連,計(jì)算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連,射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連,計(jì)算電阻201與射頻功率放大器的連接之間設(shè)置處理器202。其中,在本申請(qǐng)實(shí)施例中,射頻功率放大器211、212、213和214的電阻值分別設(shè)為r1、r2、r3和r4,射頻功率放大器211、212、213和214各自的匹配電阻的電阻值分別為r11、r22、r33和r44。在移動(dòng)終端進(jìn)行頻段切換前,設(shè)所有射頻功率放大器的初始狀態(tài)都是關(guān)閉的,即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值分別為r1、r2、r3和r4。當(dāng)移動(dòng)終端進(jìn)行頻段切換時(shí),需要開(kāi)啟射頻功率放大器211,則預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)為射頻功率放大器211開(kāi)啟,射頻功率放大器212、213和214保持關(guān)閉。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。
通過(guò)微處理器發(fā)出的第五控制信號(hào)和第六控制信號(hào),控制電壓源檔位的切換,可切換第三mos管的柵極電壓,從而調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路的放大倍數(shù)。通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路的放大倍數(shù)使射頻功率放大器電路處于不同的增益模式中。第二電壓信號(hào)vcc用于給第二mos管和第三mos管的漏級(jí)供電,其中,通過(guò)微處理器控制vcc的大小。在一些實(shí)施例中,當(dāng)?shù)诙os管和第三mos管的溝道寬度為2mm時(shí),微控制器控制vcc為,控制電流源為12ma,控制電壓源為,使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式;微控制器控制vcc為,控制電流源為2ma,控制電壓源為,使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。顯然,可以設(shè)置更多的電壓源的檔位和電流源的檔位,通過(guò)切換不同的電壓源檔位、電流源檔位,并對(duì)第二mos管和第三mos管的漏級(jí)的供電電壓vcc進(jìn)行控制,從而實(shí)現(xiàn)增益的線性調(diào)節(jié)。需要說(shuō)明的是,第二偏置電路與偏置電路結(jié)構(gòu)相同,其調(diào)節(jié)方法也與偏置電路相同,當(dāng)?shù)谒膍os管和第五mos管的溝道寬度為5mm時(shí),微控制器控制第四mos管對(duì)應(yīng)的電流源為45ma,控制第五mos管對(duì)應(yīng)的電壓源為,使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式;微控制器控制第四mos管對(duì)應(yīng)的電流為6ma,控制第五mos管對(duì)應(yīng)的電壓源為。射頻功率放大器是無(wú)線通信系統(tǒng)中非常重要的組件。上海大功率射頻功率放大器
射頻功率放大器器件放大管基本上由氮化鎵,砷化鎵,LDMOS管電路運(yùn)用。福建低頻射頻功率放大器技術(shù)
且串聯(lián)電感的個(gè)數(shù)比到地電容的個(gè)數(shù)多1。在具體實(shí)施中,當(dāng)lc匹配電路為兩階匹配濾波電路時(shí),參照?qǐng)D4,給出了本發(fā)明實(shí)施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖4中,lc匹配濾波電路包括第四電感l(wèi)4以及第四電容c4,其中:第四電感l(wèi)4的端與主次級(jí)線圈121的第二端耦接,第四電感l(wèi)4的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接;第四電容c4的端與第四電感l(wèi)4的第二端耦接,第四電容c4的第二端接地。參照?qǐng)D5,給出了本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖4相比,圖5中,lc匹配濾波電路還包括第五電感l(wèi)5以及第六電感l(wèi)6,其中:第五電感l(wèi)5串聯(lián)在第四電容c4的第二端與地之間,第六電感l(wèi)6串聯(lián)在第四電容c4的端與射頻功率放大器的輸出端output之間。參照?qǐng)D6,給出了本發(fā)明實(shí)施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖5相比,lc匹配濾波電路還可以包括第五電容c5、第七電感l(wèi)7以及第八電感l(wèi)8,其中:第五電容c5的端與第六電感l(wèi)6的第二端耦接,第五電容c5的第二端與第七電感l(wèi)7的端耦接;第七電感l(wèi)7的端與第五電容c5的第二端耦接,第七電感l(wèi)7的第二端接地;第八電感l(wèi)8的端與第五電容c5的端耦接,第八電感l(wèi)8的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接。福建低頻射頻功率放大器技術(shù)
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