無錫商甲半導體有限公司有SGT MOSFET、Trench MOSFET等產品。
SGT MOSFET:一種創(chuàng)新的溝槽式功率MOSFET,具備更低的導通電阻,性能更加穩(wěn)定
SGT-MOSFET(屏蔽柵溝槽MOSFET)是一種創(chuàng)新的溝槽式功率MOSFET,基于傳統(tǒng)溝槽式MOSFET(U-MOSFET)的改進。通過運用電荷平衡技術理論,SGT-MOSFET在傳統(tǒng)功率MOSFET中引入額外的多晶硅場板進行電場調制,從而提升了器件的耐壓能力和降低了導通電阻。
這種結構設計使得SGT-MOSFET具有導通電阻低、開關損耗小、頻率特性優(yōu)越等***特點。屏蔽柵在漂移區(qū)中的作用相當于體內場板,使得SGT-MOSFET在導通電阻R_(ON(SP))和品質因數(shù)(FOM=Ron*Qg)等方面具有***優(yōu)勢,有效地提高了系統(tǒng)的能源利用效率。 商甲半導體30V產品主要用于PC主板和顯卡、馬達驅動、BMS、電動工具、無線充;寧波MOSFET選型參數(shù)大概價格多少
Trench MOSFET(溝槽型MOSFET)是一種特別設計的功率MOSFET
結構優(yōu)勢與劣勢
優(yōu)勢:
低導通電阻(Rds(on)):垂直電流路徑消除了平面MOSFET中的JFET電阻,單元密度提升(可達平面結構的2-3倍),***降低Rd。
劣勢:
工藝復雜度高:深槽刻蝕和柵氧化層均勻性控制難度大,易導致柵氧局部擊穿(如溝槽底部電場集中)。
耐壓限制:傳統(tǒng)Trench結構在高壓(>200V)下漂移區(qū)電阻占比陡增。
可靠性挑戰(zhàn):溝槽底部的電場尖峰可能引發(fā)熱載流子注入(HCI)退化。多晶硅柵極與硅襯底的熱膨脹系數(shù)差異,高溫循環(huán)下易產生機械應力裂紋。 寧波MOSFET選型參數(shù)大概價格多少MOSFET是重要的功率分立器件之一,具有穩(wěn)定性好、易于驅動、導通內阻小等特點。
場效應管(MOSFET)也叫場效應晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關斷能力,而且具備輸入電阻高、噪聲小、功耗低、驅動功率小、開關速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點,MOSFET在組合邏輯電路、放大器、電源管理、測量儀器等領域應用***。MOSFET按導電溝道可分為 P 溝道和 N 溝道,同時又有耗盡型和增強型之分,目前市場主要應用 N 溝道增強型。
MOSFET經歷了3次器件結構上的技術革新:溝槽型、超級結、屏蔽柵。每一次器件結構的進化,在某些單項技術指標上產品性能得到質的飛躍,大幅拓寬產品的應用領域。
(1)平面型功率MOSFET:誕生于1970s,具備易于驅動,工作效率高的優(yōu)點,但芯片面積相對較大,損耗較高。(2)溝槽型功率MOSFET:誕生于1980s,易于驅動,工作效率高,熱穩(wěn)定性好,損耗低,但耐壓低。
(3)超結功率MOSFET:誕生于1990s,易于驅動,頻率超高、損耗極低,***一代功率器件。
(4)屏蔽柵功率MOSFET:誕生于2000s,打破了硅材料極限,大幅降低了器件的導通電阻和開關損耗。
MOSFET、IGBT 選商甲半導體,專業(yè)研發(fā)、生產與銷售,與**晶圓代工廠緊密合作。
超結MOSFET的應用超結MOSFET在多個領域中得到了廣泛應用,尤其是在以下幾個方面:
1、開關電源超結MOSFET的低導通電阻和高擊穿電壓使其非常適合用于開關電源中,能夠提高轉換效率,減少能量損失。
2、電動汽車(EV)超結MOSFET被廣泛應用于電機驅動和電池管理系統(tǒng)中。它們的高效能和優(yōu)異的熱性能能夠提升整車的性能和可靠性。
3、光伏逆變器光伏逆變器需要處理高電壓和大電流,超結MOSFET的性能優(yōu)勢使其成為這些系統(tǒng)中的理想選擇,能夠提高能量轉換效率,減少熱量損耗。
4、工業(yè)自動化在工業(yè)自動化領域,超結MOSFET被用于各種電機驅動和電源管理應用中。它們的高效能和高可靠性能夠確保設備的穩(wěn)定運行。 商甲半導體提供逆變電路應用MOSFET選型。
電力電子器件(Power Electronic Device)又稱為功率半導體器件,主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上),無錫商甲半導體提供Trench/SGT/SJ MOS 等產品,產品型號全,可供客戶挑選送樣測試。
功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網絡通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備;消費電子領域的傳統(tǒng)黑白家電和各種數(shù)碼產品;工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設備等。
除了保證這些設備的正常運行以外,功率器件還能起到有效的節(jié)能作用。由于電子產品的需求以及能效要求的不斷提高,中國功率器件市場一直保持較快的發(fā)展速度。 功率半導體是新能源汽車電機驅動和控制的關鍵部件,市場需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。南京MOSFET選型參數(shù)歡迎選購
工業(yè)自動化生產線中的電機驅動與控制電路大量使用商甲半導體的 MOSFET。寧波MOSFET選型參數(shù)大概價格多少
便攜式儲能電源,簡稱“戶外電源”,是一種能采用內置高密度鋰離子電池來提供穩(wěn)定交、直流的電源系統(tǒng),有大容量、大功率、安全便攜的特點。
AC-DC充電部分,將民用交流電轉換為直流電壓給儲能電池充電,和PD開關電源原理類似,普遍采用快充方案。BMS鋰電池保護部分,儲能電源的電池為鋰電池,一般用多節(jié)三元鋰或者磷酸鐵鋰并聯(lián)加串聯(lián)的連接方式,電池電壓可以為12V、24V、36V、48V等多種選擇,通常會用到30-100V的Trench&SGTMOSFET進行充放電保護。DC-DC升降壓部分,這部分是將電池直流電轉換成5V、9V、12V、15V、20V等電壓滿足Typ-C、USB、車充、DC輸出等多種連接口方式的輸出,通常會用到30-100VSGTMOSFET。DC-AC逆變部分,是將電池直流電壓升壓逆變?yōu)槊裼媒涣麟?,滿足常用家用電器的用電需求。無錫商甲半導體設計團隊憑借技術優(yōu)勢,根據(jù)每個模塊的特點,在各功能模塊上都設計了相匹配的MOSFET可供選型,比如BMS應用更注重MOSFET的過大電流能力和抗短路能力;DC-DC升降壓應用更注重MOSFET的高頻開關特性以及續(xù)流特性;逆變高壓MOSFET則不僅要低內阻,低柵電荷,還要求較好的EMI兼容性。
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無錫商甲半導體有限公司為一家功率半導體設計公司,專業(yè)從事各類MOSFET、IGBT產品的研發(fā)、生產與銷售。總部位于江蘇省無錫市經開區(qū),是無錫市太湖人才計劃重點引進項目。公司目前已經與國內的8英寸、12英寸晶圓代工廠緊密合作,多平臺產品實現(xiàn)量產,產品在開關特性、導通特性、魯棒性、EMI等方面表現(xiàn)很好,得到多家客戶的好評。
公司定位新型Fabless模式,在設計生產高性能產品基礎上,提供個性化參數(shù)調控,量身定制,多方位為客戶解決特殊方案的匹配難題。公司產品齊全,可廣泛應用于工控、光伏、儲能、家電、照明、5G通信、醫(yī)療、汽車等各行業(yè)多個領域,公司在功率器件主要業(yè)務領域已形成可觀的競爭態(tài)勢和市場地位。公司秉承:“致力于功率半導體的設計與營銷,參與和傳承功率半導體的發(fā)展”的愿景,堅持“質量至上、創(chuàng)新驅動”的發(fā)展策略,遵循“問題解決+產品交付+售后服務”的營銷法則,努力將公司建設成一個具有國際競爭力的功率半導體器件供應商。