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SiC陶瓷不只具有優(yōu)良的常溫力學(xué)性能,如高的抗彎強(qiáng)度、優(yōu)良的抗氧化性、良好的耐腐蝕性、高的抗磨損以及低的摩擦系數(shù),而且高溫力學(xué)性能(強(qiáng)度、抗蠕變性等)是已知陶瓷材料中較佳的。熱壓燒結(jié)、無壓燒結(jié)、熱等靜壓燒結(jié)的材料,其高溫強(qiáng)度可一直維持到1600℃,是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度較好的材料。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中較好的。別名金剛砂。稀土氧化物如Y2O,同樣可以作為碳化硅陶瓷的燒結(jié)助劑,通過液相燒結(jié)的途徑獲得致密的碳化硅。由于其液相燒結(jié)是通過玻璃相的形成來降低孔隙率,提高致密度的。熱壓添加劑:一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進(jìn)燒結(jié)。北京高頻碳化硅陶瓷
SiC的反應(yīng)燒結(jié)法較早在美國(guó)研究成功。反應(yīng)燒結(jié)的工藝過程為:先將α-SiC粉和石墨粉按比例混勻,經(jīng)干壓、擠壓或注漿等方法制成多孔坯體。在高溫下與液態(tài)Si接觸,坯體中的C與滲入的Si反應(yīng),生成β-SiC,并與α-SiC相結(jié)合,過量的Si填充于氣孔,從而得到無孔致密的反應(yīng)燒結(jié)體。反應(yīng)燒結(jié)SiC通常含有8%的游離Si。因此,為保證滲Si的完全,素坯應(yīng)具有足夠的孔隙度。一般通過調(diào)整較初混合料中α-SiC和C的含量,α-SiC的粒度級(jí)配,C的形狀和粒度以及成型壓力等手段來獲得適當(dāng)?shù)乃嘏髅芏取:幽细哳l碳化硅陶瓷純SiC不會(huì)被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。
雖然目前固體無模成型設(shè)備昂貴、技術(shù)封閉、材料性能不理想,但其與現(xiàn)代智能技術(shù)結(jié)合將進(jìn)一步提高陶瓷制備工業(yè)的水平,是成型技術(shù)發(fā)展的主要方向。先進(jìn)陶瓷的燒結(jié)技術(shù),陶瓷坯體通過燒結(jié)促使晶粒遷移、尺寸長(zhǎng)大、坯體收縮、氣孔排出形成陶瓷材料,根據(jù)燒結(jié)過程中不同的狀態(tài),分為固態(tài)燒結(jié)和液相燒結(jié)。先進(jìn)陶瓷的燒結(jié)技術(shù)按照燒結(jié)壓力分主要有常壓燒結(jié)、無壓燒結(jié)、真空燒結(jié)以及熱壓燒結(jié)、熱等靜壓燒結(jié)、氣氛燒結(jié)等各種壓力燒結(jié)。近些年通過特殊的加熱原理出現(xiàn)微波燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)、自蔓延燒結(jié)等新型燒結(jié)技術(shù)。
重點(diǎn)介紹以下成型方法:流延成型,1945年,美國(guó)麻省理工學(xué)院首先對(duì)流延成型進(jìn)行了報(bào)道。其原理是粘度適合、分散性良好的料漿通過流延機(jī)漿料槽道口流到基帶上,通過基帶和刮刀的相對(duì)運(yùn)動(dòng)使料漿鋪展,在表面張力作用下形成有光滑表面的坯體。坯體具有良好的韌性和強(qiáng)度,可以制備幾個(gè)微米到1mm厚的陶瓷薄片材料,目前已經(jīng)普遍應(yīng)用到電容器瓷片、Al2O3基片和壓電陶瓷膜片中,圖4所示為Al2O3基片。此外,可利用流延法制備Si3N4、SiC、氮化硼(BN)等疊層復(fù)合材料,從而制備出高韌性先進(jìn)陶瓷。碳化硅陶瓷的用途:高純度的單晶,可用于制造半導(dǎo)體、制造碳化硅纖維。
CNC加工碳化硅陶瓷的刀具選擇:加工碳化硅一般選用陶瓷雕銑機(jī)較為合適,加工陶瓷一般使用磨棒而不是傳統(tǒng)的刀具。每次的進(jìn)刀量控制在0.005左右,不宜太大,否則容易導(dǎo)致磨棒磨損過快甚至斷刀。選用的CNC機(jī)床要求防護(hù)性能好,機(jī)床剛性也足夠,能夠符合加工氧化鋯、碳化硅等陶瓷的要求。CNC加工注意事項(xiàng):1、找正工件時(shí),只能用手板動(dòng)卡盤或開較低速找正,不得開高速找正。2、改變主軸回轉(zhuǎn)方向時(shí),要先停主軸后進(jìn)行,不得突然改回轉(zhuǎn)方向。因此要選擇具有良好防腐防銹功能的切削液,或者采用無需兌水的磨削液。在碳化硅陶瓷的燒結(jié)方式上,大致可以分為四種。北京高頻碳化硅陶瓷
碳化硅陶瓷在石油、化工、微電子、汽車等領(lǐng)域具有較為普遍的應(yīng)用。北京高頻碳化硅陶瓷
何為反應(yīng)燒結(jié)碳化硅材料怎樣制成?接下來做一下簡(jiǎn)單介紹。在碳化硅中加入金屬硅粉和碳(石墨、碳黑等),在1450℃埋碳燒成,使硅粉與碳反應(yīng)生成低溫型β- SiC ,將原碳化硅顆粒結(jié)合起來。另一種方法:由碳與金屬硅直接反應(yīng)生成碳化硅制品,即用碳或碳與碳化硅成型,埋硅燒成。兩方法均可制成性能良好的碳化硅制品。由于制品中一般含有游離硅8%~15%及少量游離碳,使其使用溫度低于1400℃以下。其導(dǎo)熱系數(shù)、耐沖擊性良好,但強(qiáng)度、硬度、耐腐蝕性差。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅制品在燒結(jié)前后尺寸幾乎不變。北京高頻碳化硅陶瓷
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