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重點(diǎn)介紹以下成型方法:固體無(wú)模成型。陶瓷無(wú)模成型是直接利用CAD設(shè)計(jì)結(jié)果,通過(guò)計(jì)算形成可執(zhí)行的像素單元文件,然后通過(guò)類(lèi)似計(jì)算機(jī)打印輸出設(shè)備將要成型的陶瓷粉體快速形成實(shí)際像素單元(尺寸可小至微米級(jí)),一個(gè)一個(gè)單元疊加的結(jié)果即可直接成型所需要的三維立體構(gòu)件。美國(guó)Rutgers大學(xué)和Argonne實(shí)驗(yàn)室利用熔融沉積成型技術(shù)制備了Al2O3噴嘴座,燒結(jié)密度98%,強(qiáng)度824±110MPa;麻省理工學(xué)院利用3D打印成型技術(shù)研制的四方氧化鋯陶瓷強(qiáng)度670MPa,斷裂韌性4MPa·m1/2,并制造出熱氣體陶瓷過(guò)濾器;英國(guó)布魯諾大學(xué)利用10%體積含量的ZrO2墨水采用噴墨打印機(jī)成型制備出相關(guān)陶瓷樣品。圖8為3D打印成型技術(shù)制備的各種精密陶瓷部件。碳化硅陶瓷在石油、化工、機(jī)械、航天、核能等領(lǐng)域大顯身手,日益受到人們的重視。低密度碳化硅陶瓷廠家直銷(xiāo)
氣壓燒結(jié)(GPS):氣壓燒結(jié)是指在陶瓷高溫?zé)Y(jié)過(guò)程中施加一定的氣體壓力,范圍在1~10MPa以便阻止高溫下陶瓷材料的分解和失重,從而可以提高燒結(jié)溫度,促進(jìn)材料的致密化,是先進(jìn)陶瓷較重要的燒結(jié)技術(shù)之一。該技術(shù)較早由日本的Mitomo報(bào)道,其較大優(yōu)勢(shì)在于可以較低成本制備性能優(yōu)良、形狀復(fù)雜的共價(jià)鍵陶瓷,并可以實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。近30年來(lái)氣壓燒結(jié)在日本、美國(guó)、德國(guó)和中國(guó)得到了普遍而深入的研究,燒結(jié)材料的范圍不斷擴(kuò)大與推廣,國(guó)內(nèi)在大尺寸氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷方面突破了國(guó)外技術(shù)封鎖,實(shí)現(xiàn)技術(shù)國(guó)產(chǎn)化。低密度碳化硅陶瓷廠家直銷(xiāo)通常意義上的碳化硅陶瓷是單相陶瓷材料,并不屬于復(fù)合材料。
碳化硅(SiC) [1] 是共價(jià)鍵很強(qiáng)的化合物,其Si--C鍵的離子型只12%左右,因此,它也具有優(yōu)良的力學(xué)性能、優(yōu)良的抗氧化性、高的抗磨損性以及低的摩擦系數(shù)等。碳化硅的較大特點(diǎn)是高溫強(qiáng)度高,普通陶瓷材料在1200 ~ 1400攝氏度時(shí)強(qiáng)度將明顯降低,而碳化硅在1400攝氏度時(shí)抗彎強(qiáng)度仍保持在500 ~600MPa的較高水平,因此其工作溫度可達(dá)1600 ~ 1700攝氏度。再加上碳化硅陶瓷的熱傳導(dǎo)能力也較高,在陶瓷中只次于氧化鈹陶瓷,因此碳化硅已經(jīng)普遍應(yīng)用于高溫軸承、防彈板、噴嘴、高溫耐蝕部件以及高溫和高頻范圍的電子設(shè)備零部件等領(lǐng)域。
在碳化硅行業(yè)的人都知道碳化硅可以用于很多方面。很多客戶(hù)采購(gòu)碳化硅微粉做陶瓷用,具體解釋如下:采用無(wú)壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、熱等靜壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)的SiC陶瓷具有各異的性能特點(diǎn)。如就燒結(jié)密度和抗彎強(qiáng)度來(lái)說(shuō),熱壓燒結(jié)和熱等靜壓燒結(jié)SiC陶瓷相對(duì)較多,反應(yīng)燒結(jié)SiC相對(duì)較低。另一方面,SiC陶瓷的力學(xué)性能還隨燒結(jié)添加劑的不同而不同。無(wú)壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷對(duì)強(qiáng)酸、強(qiáng)堿具有良好的抵抗力,但反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷對(duì)HF等較強(qiáng)酸的抗蝕性較差。就耐高溫性能比較來(lái)看,當(dāng)溫度低于900℃時(shí),幾乎所有SiC陶瓷強(qiáng)度均有所提高;當(dāng)溫度超過(guò)1400℃時(shí),反應(yīng)燒結(jié)SiC陶瓷抗彎強(qiáng)度急劇下降。高溫碳化硅陶瓷是新型航空材料國(guó)大飛機(jī)項(xiàng)目的關(guān)鍵技術(shù)之一。
碳化硅陶瓷的幾個(gè)主要應(yīng)用領(lǐng)域及用途:1、能源環(huán)保,將煤氣在高溫下直接凈化,可充分利 Hexolov熱交換器用煤氣的顯熱,比之常溫凈化可較大程度上提高熱效率,將高溫凈化后的煤氣直接用于燃?xì)廨啓C(jī)發(fā)電,可以較大程度上提高供電效率,減低有害物的排量,節(jié)約用水?,F(xiàn)代燃煤發(fā)電系統(tǒng)中燃?xì)廨啓C(jī)設(shè)備的使用與環(huán)境保護(hù)的標(biāo)準(zhǔn)都要求實(shí)現(xiàn)高溫燃?xì)庵苯映龎m。2、發(fā)熱元件,碳化硅重要的導(dǎo)電特性使得其是制造lOOO℃以上加熱爐發(fā)熱元件的較主要材料,碳化硅發(fā)熱元件是碳化硅材料的較主要產(chǎn)品,具有極大的市場(chǎng)。研究人員以B和C為添加劑,采用熱等靜壓燒結(jié)工藝,在1900℃便獲得高密度SiC燒結(jié)體。低密度碳化硅陶瓷廠家直銷(xiāo)
碳化硅噴嘴在安裝時(shí),不得對(duì)噴頭進(jìn)行拆裝、改動(dòng),并嚴(yán)禁給噴頭附加任何裝飾性涂層。低密度碳化硅陶瓷廠家直銷(xiāo)
碳化硅陶瓷的制備方法:a、熱壓燒結(jié)碳化硅陶瓷,熱壓燒結(jié)即在燒結(jié)過(guò)程中施加一定的壓力,壓力的存在使原子擴(kuò)散速率增大,燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力增加,從而加快燒結(jié)過(guò)程。然而,在高壓條件下,燒結(jié)體中會(huì)出現(xiàn)垂直于壓力方向定向生長(zhǎng)的晶粒,為避免這種現(xiàn)象,可以選用熱等靜壓燒結(jié)的方法。b、無(wú)壓燒結(jié)碳化硅陶瓷,無(wú)壓燒結(jié)被認(rèn)為是SiC燒結(jié)較有前途的燒結(jié)方法,通過(guò)無(wú)壓燒結(jié)工藝可以制備出復(fù)雜形狀和大尺寸的SiC部件。根據(jù)燒結(jié)機(jī)理的不同,無(wú)壓燒結(jié)又可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。低密度碳化硅陶瓷廠家直銷(xiāo)
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